等离子光谱分析方法技术

本发明专利技术提供等离子光谱分析方法，使得等离子发光的再现性高。作为解决手段，本发明专利技术的等离子光谱分析方法特征在于，其包括检测通过施加电压而产生的等离子的发光的检测工序和不检测等离子的发光的非检测工序，反复进行所述检测工序和所述非检测工序，在所述检测工序中，交替地进行产生等离子的等离子产生工序和不产生等离子的等离子非产生工序。由此，能够提高等离子发光的再现性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及。
技术介绍
作为元素分析的装置，公开有如下等离子产生装置；在具有狭小部的流路中产生 气泡，并在所述气泡中产生等离子，测量所述狭小部中的发光（专利文献1)。但是，该装置 存在等离子发光的再现性低该样的问题。 对此，为了消除作为再现性低下的原因的气泡滞留，公开了如下方法；使所述流路 中的溶液移动，来去除所述气泡（专利文献2)。但是，为了使溶液移动，需要注射累等排出 构件，存在等离子产生装置大型化该样的问题。 此外，作为提高再现性的方法，提出了如下方法；将狭小部W外的区域作为等离 子发光的测量部，测量针对1次电压施加产生的多次等离子中的第2次W后的等离子发光 (专利文献3)。但是，根据该样的方法，也无法得到足够的再现性。 专利文献1 ;日本专利3932368号公报 专利文献2 ;日本特开2011-180045号公报 专利文献3 ;日本特开2012-185064号公报
技术实现思路
[000引因此，本专利技术的目的在于提供例如等离子发光的再现性优异的等离子光谱分析方 法。 为了解决所述本专利技术的问题，本专利技术的的特征在于，其包括 W下工序： 检测工序，检测通过向电极系统施加电压而在容器中产生的等离子的发光；化及 非检测工序，不检测等离子的发光， 反复进行所述检测工序和所述非检测工序， 在所述检测工序中，交替地进行产生等离子的等离子产生工序和不产生等离子的 等离子非产生工序。 本专利技术人进行深入研究，结果得到如下认识；等离子发光的再现性与因电压施加 而产生的气泡相关，通过控制所述气泡的产生和成长，能够提高所述再现性。另一方面，在 中，通常反复进行W下工序：通过电压施加产生等离子并检测等离子 发光的检测工序；W及不检测等离子的发光的非检测工序，在所述检测工序中，连续地施加 能够产生等离子的恒定的电压。针对该样的方法，本专利技术人发现，由于在所述检测工序中连 续地施加所述恒定电压，产生的气泡无限制地成长，因此，在每1次的所述检测工序中，不 能控制在哪个时刻所述狭小部被绝缘，因所述恒定电压的施加而产生等离子，其结果是，使 等离子发光变得不稳定。因此，在所述检测工序中，不连续地施加能够产生等离子的恒定电 压，而是交替地进行等离子的产生和等离子的不产生，由此控制气泡的产生和成长，其结果 是，提高了等离子发光的再现性。根据该样的本专利技术的，例如，能够实 现等离子发光的优异的再现性。因此，本专利技术例如在利用了等离子产生的元素等的分析中 极为有用。【附图说明】 图1是示出在本专利技术的分析方法中，所述检测工序与所述非检测工序之间的关系 的概略图。 图2是本专利技术的实施例1中的巧片的示意图。 图3是示出本专利技术的实施例1中的等离子发光的计数值的C.V.值的图表。图4是示出本专利技术的实施例2中的等离子发光的计数值的C.V.值的图表。【具体实施方式】如上所述，本专利技术的的特征在于，其包括W下工序： 检测工序，检测通过向电极系统施加电压而在容器中产生的等离子的发光；化及 非检测工序，不检测等离子的发光， 反复进行所述检测工序和所述非检测工序，在所述检测工序中，交替地进行产生等离子的等离子产生工序和不产生等离子的 等离子非产生工序。本专利技术的分析方法的特征在于，在所述检测工序中，交替地进行等离子的产生和 非产生，其它工序和条件等没有特别限制。在本专利技术的所述检测工序中，"产生等离子"是指实质产生等离子，具体而言，意味 着在等离子发光的检测中，产生了表现出能够实质检测出的发光的等离子，此外，"不产生 等离子"是指不实质产生等离子，具体而言，意味着在等离子发光的检测中，未产生表现出 能够实质检测出的发光的等离子。关于前者的"产生等离子"，作为具体例，可W说"产生了 利用等离子发光的检测器能够检测出的等离子"。关于后者的"不产生等离子"，例如包含 "完全不产生等离子的情况"和"即使产生等离子，也为检测界限W下的情况"，作为具体例， 可m兑"利用等离子发光的检测器不能够检测出等离子发光"。关于实质上的等离子的产生和非产生，例如可利用电压来进行调节，对本领域技 术人员而言，可适当设定用于产生表现出能够实质检测出的发光的等离子的电压和不产生 所述等离子的电压。在本专利技术中，W下，也将进行所述检测工序和所述非检测工序各1次该种反复称 作"1个周期"，将进行所述检测工序中的所述等离子产生工序和所述等离子非产生工序各 1次该种反复称作"1组"。此外，也将在1个周期中的1次或2次W上的所述检测工序中得 到的等离子发光的检测结果称作每1工序（或每1样本）的等离子发光的检测结果。在所述检测工序中，关于产生等离子的等离子产生工序和不产生等离子的等离子 非产生工序，例如可W通过调节所施加的电压来进行。作为所述施加的电压的调节，例如 存在将电路切换为闭路和开路的方法、W及将电路设为闭路并改变所施加的电压的值的方 法。 在前者的情况下，例如，通过将电路切换为闭路和开路，来交替地进行所述等离子 产生工序和所述等离子非产生工序。所述闭路的状态为所述等离子产生工序，能够通过将 电路设为闭路来施加产生等离子的电压。并且，所述开路的状态是所述等离子非产生工序， 能够通过设为开路而不施加电压，即，使电压为0伏（V)。所述闭路的电压是所述等离子产 生工序的电压，所述开路的电压即0V是所述等离子非产生工序的电压，不产生等离子。所 述闭路的电压没有特别限制，可举出产生等离子的电压，例如，下限为100VW上、250VW 上、600VW上或700VW上，上限为1200VW下、800VW下，其范围为100~1200V、250~ 800V、600 ~800V或 700 ~800V。 在后者的情况下，例如，将电路设为闭路并交替地施加相对较高的电压和相对较 低的电压，由此交替地进行产生等离子的工序和不产生等离子的工序。W下，也将该样的施 加称作"脉冲施加"。所述相对较高的电压是产生等离子的电压，施加所述相对较高的电压 的状态是所述等离子产生工序。此外，所述相对较低的电压是不实质产生等离子的电压，施 加所述相对较低的电压的状态是所述等离子非产生工序。所述相对较高的电压的下限例如 为100VW上、250VW上、700VW上，上限例如为1200VW下、800VW下，其范围例如为100~ 1200V、250~800V、700~800V。所述相对较低的电压只要低于所述相对较高的电压即可， 下限例如为0V或0VW上，上限例如小于100V，其范围例如为〇V、〇VW上且小于100V。 在所述检测工序中，在将进行所述等离子产生工序和所述等离子非产生工序各1 次该种反复作为1组的情况下，所述1组的时间没有特别限制。W下，也将所述1组的时间 称作转换（SW)时间。所述SW时间的下限例如为1ySW上、10ySW上，上限例如为1000yS W下、500USW下、100ysW下，其范围例如为 1 ~1000yS、1 ~500US、10 ~100US。 在所述检测工序中，在将进行所述等离子产生工序和所述等离子非产生工序各1 次该种反复作为1组的情况下，所述1组的时间中的所述等离子产生工序的时间的比例没 有特别限制。W下，也将所述比例称作占空比值Uty)。所述占空比的下限例如为1%W上、 10%W上，上限例如小于100%、8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子光谱分析方法，其特征在于，该等离子光谱分析方法包括以下工序：检测工序，检测通过向电极系统施加电压而在容器中产生的等离子的发光；以及非检测工序，不检测等离子的发光，反复进行所述检测工序和所述非检测工序，在所述检测工序中，交替地进行产生等离子的等离子产生工序和不产生等离子的等离子非产生工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中贵茂，白木裕章，工藤晃嗣，
申请(专利权)人：爱科来株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP