天线制造技术

一种天线(10A)，其包含介电体基板(11)、具有无供电部(23)及供电部(24)的不平衡供电件(12)、具有连接区域(26)及第1共振区域(27)以及第2共振区域(28)的共振用导体(13)、具有第1接地区域(32)及第2接地区域(33)的接地用导体(14)、以及具有第1辐射区域(37)及第2辐射区域(38)的辐射用导体(15)。天线(10A)中，在第2辐射区域(38)的第1后端部(41)形成第1～第3辐射阶梯状部分(42a～42c)，且在第2辐射区域(38)的第2后端部(43)形成第1～第3辐射阶梯状部分(44a～44c)。提供能够于宽频带使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线
本专利技术是有关具备不平衡供电件或共振用导体、接地用导体、辐射用导体的天线。
技术介绍
现有的天线，图15揭示的日本国特开2012－195713号公报的天线100中，其包含如同轴电缆的具有外侧导体及内侧导体的不平衡供电件、及平面形状成形H字形的板状无供电元件。如图15所示，天线100包含不平衡供电件111、共振用导体112、接地用导体113及供电元件114。共振用导体112由与供电部118平行且朝不平衡供电件111的轴方向前方延伸的第1及第2共振用导体120a、120b所构成。接地用导体113由电性连接不平衡供电件111的固定部125、及与无供电部119平行且由第1及第2共振用导体120a、120b朝轴方向后方延伸的第1及第2接地用导体126a、126b所构成。供电元件114具有规定面积且朝轴方向前方延伸，并电性连接构成供电部118的不平衡供电件111的中心导体115。该日本国特开2012－195713号公报揭示的天线100，其能够获得宽频带且高的增益，并能够自由的微调整使用频带的高低。具体而言，天线100中，使用频率约2.0GHz～约4.0GHz，且VSWR(电压驻波比)2以下。然而，该日本国特开2012－195713号公报揭示的天线100中，在一边维持其小型化一边维持宽频带的状态下，无法使低限截止频率降低为低的频带(例如，700MHz)，且全频带中无法使VSWR形成2以下。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在使用可能的频率频带(相对频带)内的全部的频带中，能够传送或接收电波，且能够使用于宽频带(wideband)的天线。本专利技术的另一目的是提供一种能够在宽频率频带中传送接收电波，且在700MHz～3,2GHz的频带中能够获得高增益，并在维持小型化的状态下VSWR能够形成2以下的天线。为了解决该课题，相关本专利技术的天线，其包含介电体基板、不平衡供电件、共振用导体、接地用导体及辐射用导体；该介电体基板具有规定的介电率，且具有借助使宽度尺寸分成两部分的中心轴线所区划的第1及第2领域；该不平衡供电件位于该中心轴线上，且具有朝轴方向延伸的规定长度的无供电部，及由该无供电部朝轴方向前方延伸的供电部；该共振用导体成形为具有规定面积的板状，且固定在该介电体基板的一侧的面；该接地用导体一体的连接在该共振用导体；该辐射用导体成形为具有规定面积的板状，且固定在该介电体基板的一侧的面，以电性连接该供电部；该共振用导体具有连接区域、第1共振区域及第2共振区域，该连接区域电性连接该不平衡供电件，该第1共振区域连接该连接区域且位于该介电体基板的第1领域，而由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸且朝轴方向延伸，该第2共振区域连接该连接区域且位于该介电体基板的第2领域，而由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸且朝轴方向延伸；该接地用导体具有第1接地区域及第2接地区域，该第1接地区域位于该介电体基板的第1领域，由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸，且由该第1共振区域朝轴方向后方延伸，该第2接地区域位于该介电体基板的第2领域，由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸，且由该第2共振区域朝轴方向后方延伸；该辐射用导体具有第1辐射区域及第2辐射区域，该第1辐射区域位于该第1及第2共振区域之间，由该共振用导体的连接区域朝轴方向前方延伸，且后端部连接在该供电部，该第2辐射区域由该第1辐射区域的前端部朝轴方向前方延伸，且宽度尺寸比该第1辐射区域的宽度尺寸大；在面对该第1共振区域的前端部的该第2辐射区域的第1后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个辐射阶梯状部分，在面对该第2共振区域的前端部的该第2辐射区域的第2后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个辐射阶梯状部分。作为相关本专利技术的天线的一个实例，形成在该第2辐射区域的第1后端部的辐射阶梯状部分，及形成在该第2辐射区域的第2后端部的辐射阶梯状部分，其具有第1辐射阶梯状部分、第2辐射阶梯状部分及第3辐射阶梯状部分；该第1辐射阶梯状部分位于该中心轴线旁边，且由该第1及第2后端部朝轴方向前方凹陷；该第2辐射阶梯状部分位于该第1辐射阶梯状部分的宽度方向外侧，且由该第1辐射阶梯状部分朝轴方向前方凹陷；该第3辐射阶梯状部分位于该第2辐射阶梯状部分的宽度方向外侧，且由该中心轴线逐渐隔离的形成倾斜。作为相关本专利技术的天线的另一个实例，在该第1共振区域的前端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向后方阶段性凹陷的数个共振阶梯状部分；在该第2共振区域的前端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向后方阶段性凹陷的数个共振阶梯状部分。作为相关本专利技术的天线的另一个实例，形成在该第1共振区域的前端部的共振阶梯状部分，及形成在该第2共振区域的前端部的共振阶梯状部分，其具有第1共振阶梯状部分、第2共振阶梯状部分及第3共振阶梯状部分；该第1共振阶梯状部分位于该中心轴线旁边，且由该些共振区域的前端部朝轴方向后方凹陷；该第2共振阶梯状部分位于该第1共振阶梯状部分的宽度方向外侧，且由该第1共振阶梯状部分朝轴方向后方凹陷；该第3共振阶梯状部分位于该第2共振阶梯状部分的宽度方向外侧，且由该第2共振阶梯状部分朝轴方向后方凹陷。作为相关本专利技术的天线的另一个实例，在该第1接地区域的后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个衰减阶梯状部分；在该第2接地区域的后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个衰减阶梯状部分。作为相关本专利技术的天线的另一个实例，形成在该第1接地区域的后端部的衰减阶梯状部分，及形成在该第2接地区域的后端部的衰减阶梯状部分，其具有第1衰减阶梯状部分及第2衰减阶梯状部分；该第1衰减阶梯状部分位于该中心轴线旁边，且由该些共振区域的后端部朝轴方向前方凹陷；该第2衰减阶梯状部分位于该第1衰减阶梯状部分的宽度方向外侧，且由该第1衰减阶梯状部分朝轴方向前方凹陷。作为相关本专利技术的天线的另一个实例，在该第1共振区域的前端部及该第2辐射区域的第1后端部之间延伸的介电体基板上，位于该辐射阶梯状部分的附近，随着朝向轴方向前方，形成由该中心轴线逐渐隔离延伸的第1槽缝；或者，位于该辐射阶梯状部分的附近，随着朝向轴方向前方，形成由该中心轴线逐渐隔离排列的数个第1贯通孔；在该第2共振区域的前端部及该第2辐射区域的第2后端部之间延伸的介电体基板上，位于该辐射阶梯状部分的附近，随着朝向轴方向前方，形成由该中心轴线逐渐隔离延伸的第2槽缝；或者，位于该辐射阶梯状部分的附近，随着朝向轴方向前方，形成由该中心轴线逐渐隔离排列的数个第2贯通孔。作为相关本专利技术的天线的另一个实例，在该第1共振区域的前端部及该第2辐射区域的第1后端部之间延伸的介电体基板上，位于该共振阶梯状部分的附近，随着朝向轴方向后方，形成由向该中心轴线逐渐隔离延伸的第3槽缝；或者，位于该共振阶梯状部分的附近，随着朝向轴方向后方，形成由该中心轴线逐渐隔离排列的数个第3贯通孔；在该第2共振区域的前端部及该第2辐射区域的第2后端部之间延伸的介电体基板上，位于该共振阶梯状部分的附近，随着朝向轴方向后方，形成由该中心轴线逐渐隔离延伸的第4槽缝；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种天线，其特征是：介电体基板，该介电体基板具有规定的介电率，且具有借助使宽度尺寸分成两部分的中心轴线所区划的第1及第2领域；不平衡供电件，该不平衡供电件位于该中心轴线上，且具有朝轴方向延伸的规定长度的无供电部，及由该无供电部朝轴方向前方延伸的供电部；共振用导体，该共振用导体成形为具有规定面积的板状，且固定在该介电体基板的一侧的面；接地用导体，该接地用导体一体的连接在该共振用导体；及辐射用导体，该辐射用导体成形为具有规定面积的板状，且固定在该介电体基板的一侧的面，以电性连接该供电部；该共振用导体具有连接区域、第1共振区域及第2共振区域，该连接区域电性连接该不平衡供电件，该第1共振区域连接该连接区域且位于该介电体基板的第1领域，而由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸且朝轴方向延伸，该第2共振区域连接该连接区域且位于该介电体基板的第2领域，而由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸且朝轴方向延伸；该接地用导体具有第1接地区域及第2接地区域，该第1接地区域位于该介电体基板的第1领域，由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸，且由该第1共振区域朝轴方向后方延伸，该第2接地区域位于该介电体基板的第2领域，由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸，且由该第2共振区域朝轴方向后方延伸；该辐射用导体具有第1辐射区域及第2辐射区域，该第1辐射区域位于该第1及第2共振区域之间，由该共振用导体的连接区域朝轴方向前方延伸，且后端部连接在该供电部，该第2辐射区域由该第1辐射区域的前端部朝轴方向前方延伸，且宽度尺寸比该第1辐射区域的宽度尺寸大；在面对该第1共振区域的前端部的该第2辐射区域的第1后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个辐射阶梯状部分，在面对该第2共振区域的前端部的该第2辐射区域的第2后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个辐射阶梯状部分。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.01.24 JP 2013-011365;2014.01.22 JP 2014-009281.一种天线，其特征在于，包括：介电体基板，该介电体基板具有规定的介电率，且具有借助使宽度尺寸分成两部分的中心轴线所区划的第1及第2领域；不平衡供电件，该不平衡供电件位于该中心轴线上，且具有朝轴方向延伸的规定长度的无供电部，及由该无供电部朝轴方向前方延伸的供电部；共振用导体，该共振用导体成形为具有规定面积的板状，且固定在该介电体基板的一侧的面；接地用导体，该接地用导体一体的连接在该共振用导体；及辐射用导体，该辐射用导体成形为具有规定面积的板状，且固定在该介电体基板的一侧的面，以电性连接该供电部；其中，该共振用导体具有连接区域、第1共振区域及第2共振区域，该连接区域电性连接该不平衡供电件，该第1共振区域连接该连接区域且位于该介电体基板的第1领域，而由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸且朝轴方向延伸，该第2共振区域连接该连接区域且位于该介电体基板的第2领域，而由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸且朝轴方向延伸；该接地用导体具有第1接地区域及第2接地区域，该第1接地区域位于该介电体基板的第1领域，由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸，且由该第1共振区域朝轴方向后方延伸，该第2接地区域位于该介电体基板的第2领域，由该不平衡供电件朝宽度方向外侧隔离规定尺寸，且由该第2共振区域朝轴方向后方延伸；该辐射用导体具有呈朝轴方向的长方形的第1辐射区域及第2辐射区域，该第1辐射区域位于该第1及第2共振区域之间，由该共振用导体的连接区域朝轴方向前方延伸，且后端部连接在该供电部，该第2辐射区域由该第1辐射区域的前端部朝轴方向前方延伸，且宽度尺寸比该第1辐射区域的宽度尺寸大；在面对该第1共振区域的前端部的该第2辐射区域的第1后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个辐射阶梯状部分，在面对该第2共振区域的前端部的该第2辐射区域的第2后端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的数个辐射阶梯状部分。2.如权利要求1所述的天线，其特征是：形成在该第2辐射区域的第1后端部的辐射阶梯状部分，及形成在该第2辐射区域的第2后端部的辐射阶梯状部分，其具有第1辐射阶梯状部分、第2辐射阶梯状部分及第3辐射阶梯状部分；该第1辐射阶梯状部分位于该中心轴线旁边，且由该第1及第2后端部朝轴方向前方凹陷；该第2辐射阶梯状部分位于该第1辐射阶梯状部分的宽度方向外侧，且由该第1辐射阶梯状部分朝轴方向前方凹陷；该第3辐射阶梯状部分位于该第2辐射阶梯状部分的宽度方向外侧，且由该中心轴线逐渐隔离的形成倾斜。3.如权利要求1或2所述的天线，其特征是：在该第1共振区域的前端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向后方阶段性凹陷的数个共振阶梯状部分；在该第2共振区域的前端部，随着由该中心轴线朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向后方阶段性凹陷的数个共振阶梯状部分。4.如权利要求3所述的天线，其特征是：形成在该第1共振区域的前端部的共振阶梯状部分，及形成在该第2共振区域的前端部的共振阶梯状部分，其具有第1共振阶梯状部分、第2共振阶梯状部分及第3共振阶梯状部分；该第1共振阶梯状部分位于该中心轴线旁边，且由该些共振区域的前端部朝轴方向后方凹陷；该第2共振阶梯状部分位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保崇将，石田武志，宇野亨，山崎太郎，森下久，作间正雄，野岛昭彦，庆野浩规，弓场庆吾，
申请(专利权)人：株式会社诺伊兹研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP