一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路制造技术

技术编号:11926444 阅读:75 留言:0更新日期:2015-08-21 17:36
为了克服用于光伏控制器电子开关只用一个MOSFET管不能在电压极性反向时也控制好电路的问题,本实用新型专利技术提供一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路。电路连接关系如下:MOSFET管Q1的源极与MOSFET管Q2的源极及电阻R1的一端相连;MOSET管Q1的栅极与MOSFET管Q2的栅极同电阻R1的另一端及电阻R2的一端相连;电阻R2的另一端与三极管的集电极相连;三极管的基极与R3的一端相连;三极管的发射极接地。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路
技术介绍
光伏控制器用于控制太阳能电池对蓄电池充电以及控制蓄电池对负载供电,在太阳能发电中很重要,所以不难发现它的电子开关也起着至关重要的作用。如若太阳能电池板已经将蓄电池充满但电路仍未断开,蓄电池可能会对太阳能电池板进行反充电,这样不仅对设备有影响而且不安全。传统用于光伏控制器的电子开关一般只用一个MOSFET管,一个MOSFET管可以确保电压极性正确时电路正常工作但无法保证电压反向时电路能够停止工作。本技术所要解决的问题就是设计一种简单可靠的用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路,在电路中无须增加很多元器件就能够安全可靠的使光伏控制器更加智能地工作从而达到保护电路的目的。
技术实现思路
为了克服用于光伏控制器电子开关只用一个MOSFET管不能在电压极性反向时也控制好电路的问题,本技术提供一种电路设计,该电路能更好地处理在相应电压极性变化时也能处理好电路的导通与断开。所述用于光伏控制器的双向电子开关驱动电路包括两个MOSFET管,三个电阻,一个三极管。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:M0SFET管Ql的源极与MOSFET管Q2的源极及电阻Rl的一端相连;M0SET管Ql的栅极与MOSFET管Q2的栅极同电阻Rl的另一端及电阻R2的一端相连;电阻R2的另一端与三极管的集电极相连;三极管的基极与R3的一端相连;三极管的发射极接地。本技术具体的工作原理如下。所述电阻R3 —侧的控制处给予电路高电平时,三极管B极产生电流Ib,C极产生电流Ic,Rl两端也会因电流Ic而产生一个电压U,此电压会使两个MOSFET管导通,电路导通;所述控制处给予电路低电平时,同理电阻Rl两端产生一个极性相反的电压,MOSFET管断开,电路断开。本技术的有益效果是在可以通过给予电路高低电平来控制MOSFET的导通与断开从而达到对电路双向控制的作用。【附图说明】图1是本技术所述的驱动电路原理图。图中二级管Dl和D2分别是MOSFET管Ql和Q2的寄生二级管。【具体实施方式】下面结合附图对本技术进行进一步介绍。一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路的系统结构如图1所示,设置有MOSFET管Ql和Q2,电阻R1、R2、R3,NPN三极管。MOSFET管Ql的源极与MOSFET管Q2的源极及电阻Rl的一端相连;M0SET管Ql的栅极与MOSFET管Q2的栅极同电阻Rl的另一端及电阻R2的一端相连;电阻R2的另一端与三极管的集电极相连;三极管的基极与R3的一端相连;三极管的发射极接地。所述三极管为NPN型的S9013,所述两个MOSFET管均为P沟道型。【主权项】1.一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路,由MOSFET管、电阻、三极管构成,其特征是MOSFET管Ql的源极与MOSFET管Q2的源极及电阻Rl的一端相连;M0SET管Ql的栅极与MOSFET管Q2的栅极同电阻Rl的另一端及电阻R2的一端相连;电阻R2的另一端与三极管的集电极相连;三极管的基极与R3的一端相连;三极管的发射极接地。2.根据权利要求1所述的一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路,其特征是MOSFET管采用P沟道MOSFET,三极管采用NPN型的S9013。【专利摘要】为了克服用于光伏控制器电子开关只用一个MOSFET管不能在电压极性反向时也控制好电路的问题,本技术提供一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路。电路连接关系如下:MOSFET管Q1的源极与MOSFET管Q2的源极及电阻R1的一端相连;MOSET管Q1的栅极与MOSFET管Q2的栅极同电阻R1的另一端及电阻R2的一端相连;电阻R2的另一端与三极管的集电极相连;三极管的基极与R3的一端相连;三极管的发射极接地。【IPC分类】H02M3-155【公开号】CN204578363【申请号】CN201420794675【专利技术人】王超, 邓串, 韦琳 【申请人】湖北工业大学【公开日】2015年8月19日【申请日】2014年12月17日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光伏控制器的双向电子开关及驱动电路,由MOSFET管、电阻、三极管构成,其特征是MOSFET管Q1的源极与MOSFET管Q2的源极及电阻R1的一端相连;MOSET管Q1的栅极与MOSFET管Q2的栅极同电阻R1的另一端及电阻R2的一端相连;电阻R2的另一端与三极管的集电极相连;三极管的基极与R3的一端相连;三极管的发射极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王超邓串韦琳
申请(专利权)人:湖北工业大学
类型:新型
国别省市:湖北;42

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