天线装置制造方法及图纸

技术编号:11903460 阅读:89 留言:0更新日期:2015-08-19 16:03
本发明专利技术涉及天线装置,即使是小型的且将多个天线一体化也得到所需的绝缘。使第1元件(11)以及第2元件(12)的大致中央部弯曲成反“く”字形,以使得第1元件(11)与第2元件(12)间隔在大致中央部变大。另外,第1供电匹配部(11b)的图案与第2供电匹配部(12b)的图案的相对的角度θ1被设成约90°。通过该结构,能够在设计频带中得到-10db以上的绝缘特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备接近地配置了的多个天线元件的小型化了的天线装置
技术介绍
近年来,伴随着LTE (Long Term Evolut1n,长期演进)通信模块的普及,能够与MIMO(Multiple Input Multiple Output,多输入多输出)对应的天线的开发成了当务之急。LTE是移动电话通信标准之一,是进一步地使当前成为主流的第3代手机的通信标准(3G)高速化了的标准,理论上的最高通信速度在下载中被设成10Mbps以上,在上传中被设成50Mbps以上。因此,作为组合多个天线来扩宽数据发送接收的频带的无线通信技术的MIMO被装入到LTE通信模块。在MIMO中,通过多个天线同时发送不同的数据,在接收时通过合成来虚拟地实现宽频带,实现通信的高速化。在理论上能够得到与2根天线增加2倍带宽、3根天线增加3倍带宽相同的效果。这样通过MIMO技术来实现的吞吐量的提高是通过搭载多根天线来得到的。在能够与MMO对应的天线装置中,由于具备多个元件,所以难以小型化,如果小型化的话,则元件彼此接近地配置,所以有可能元件之间的绝缘劣化。作为以往的能够与MIMO对应的天线装置,专利文献I至专利文献3中记载了能够确保2个天线元件之间的绝缘的小型的MMO天线装置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-182536号公报专利文献2:日本特开2007-97167号公报专利文献3:日本特开2011-77608号公报
技术实现思路
图29示出能够与MIMO对应的以往的天线装置的一个例子的结构。图29所示的天线装置100在基板110的表面形成有第I元件111,在基板110的背面形成有第2元件112。第I元件111与第2元件112被设成相同的形状,隔着基板110大致重叠地形成,基板I1的表面的结构与背面的结构为对称形状。第I元件111的下端与第I供电匹配部Illb连接,在上端连接第I缩短线圈111a。在第I元件111的中途形成有反三角形状的加宽部。另外,第2元件112的下端与第2供电匹配部112b连接,在上端连接第2缩短线圈112a。在第2元件112的中途也形成有反三角形状的加宽部。所图示的长度L20是包括第I缩短线圈Illa的第I元件111或者包括第2缩短线圈112a的第2元件112的从前端到下端的物理长度,在将天线装置100的设计频带设成814MHz?894MHz时,如果将830MHz的波长表示为λ,则长度L20被设成约0.324 λ (约117mm)。此时的包括第I缩短线圈Illa的第I元件111、与包括第2缩短线圈112a的第2元件112的电气长度为约λ/2。这样,第I元件111与第2元件112成为约λ/2的电气长度的端部供电(电压供电)的偶极天线。在端部供电的偶极天线中,供电点的阻抗变高,所以通过第I供电匹配部Illb取得匹配而从未图示的供电线对第I元件111供电,并且通过第2供电匹配部112b取得匹配而从未图示的供电线对第2元件112供电。图30(a)示出将长度L20设成上述长度的以往的天线装置100的第I元件111与第2元件112之间的绝缘的频率特性,图30 (b)示出第I元件111的电压驻波比(VSWR)的频率特性,图30 (c)示出第2元件112的VSWR的频率特性。参照这些图,在814MHz?894MHz的设计频带中,绝缘能够得到约_6db以上。另外,在814MHz?894MHz的设计频带中,第I元件111得到约2.2以下的VSWR,第2元件112得到约2.5以下的VSWR。绝缘特性不良被认为是由于:第I元件111与第2元件112仅相离了基板110的厚度而接近地配置、以及、以隔着基板110重叠的方式相对地配置。作为2个元件之间的绝缘,要求-1Odb以上的绝缘,为了确保-1Odb以上的绝缘,图31示出增大了 2个元件之间的距离的能够与MMO对应的以往的天线装置的另一个例子的结构。图31所示的天线装置200在扩宽了横宽度的基板210的一个表面的左侧部形成有第I元件211,在右侧部形成有第2元件212。第I元件211与第2元件212被设成相同的形状,在基板210的两侧线对称地形成。第I元件211的下端与第I供电匹配部211b连接,在上端连接第I缩短线圈211a。在第I元件211的中途形成有反三角形状的加宽部。另外,第2元件212的下端与第2供电匹配部212b连接,在上端连接第2缩短线圈212a。在第2元件212的中途也形成有反三角形状的加宽部。图示的长度L21是包括第I缩短线圈211a的第I元件211或者包括第2缩短线圈212a的第2元件212的从前端到下端的物理长度,在将天线装置200的设计频带设成814MHz?894MHz时,如果将830MHz的波长表示为λ,则长度L21被设成约0.324 λ (约117mm)。此时的包括第I缩短线圈211a的第I元件211、与包括第2缩短线圈212a的第2元件212的电气长度为约λ/2。另外,长度L22是第I元件211与第2元件212之间的距离,被设成约0.112λ (约40mm)。这样,第I元件211与第2元件212成为约λ/2的电气长度的端部供电(电压供电)的偶极天线。在端部供电的偶极天线中,供电点的阻抗变高,所以通过第I供电匹配部211b取得匹配而从未图示的供电线对第I元件211供电,并且通过第2供电匹配部212b取得匹配而从未图示的供电线对第2元件212供电。图32 (a)示出将长度L21被设成了上述长度的以往的天线装置200的第I元件211与第2元件212之间的绝缘的频率特性,图32(b)示出第I元件211的电压驻波比(VSWR)的频率特性,图32 (c)示出第2元件212的VSWR的频率特性。参照这些图,在814MHz?894MHz的设计频带中,绝缘能够得到约-1Odb以上。另外,在814MHz?894MHz的设计频带中,第I元件211得到约1.8以下的VSWR,第2元件212得到约2.0以下的VSWR。这样,如果增大天线之间的距离L22则绝缘提高,所以可知天线之间的距离非常重要。另外,VSWR特性的提高被认为依赖于绝缘特性的提高。如果对比图29所示的以往的天线装置100与图31所示的以往的天线装置200的话,则存在这样的问题:虽然使基板的宽度变窄的话能够小型化,但无法得到所需的绝缘,如果在2个元件之间隔出间隔而设成能够得到所需的绝缘的基板的大小,则无法小型化。在能够与MMO对应的天线装置中,要求设置位置的小空间化、设计性上的天线的小型化、天线之间的绝缘的提高。因此,本专利技术的目的在于,提供即使是小型的且将多个天线一体化也能够得到所需的绝缘的天线装置。本专利技术所涉及的天线装置的最主要的特征在于,具备:使宽度变窄了的细长的矩形形状的基板;形成于该基板的表面的第I元件的图案;形成于所述基板的背面的与所述第I元件形状大致相同的第2元件的图案;形成于所述基板的下部并且连接了所述第I元件的下端的第I供电匹配部的图案;以及形成于所述基板的下部并且连接了所述第2元件的下端的第2供电匹配部的图案,使所述第I元件以及所述第2元件的大致中央部弯曲,以使得所述第I元件与所述第2元件的间隔在大致中央部变大。本专利技术的天线装置使第I元件以及第2元件的大致中央部弯曲本文档来自技高网...
天线装置

【技术保护点】
一种天线装置,其特征在于,具备:使宽度变窄了的细长的矩形形状的基板;形成于该基板的表面的第1元件的图案;形成于所述基板的背面的与所述第1元件形状大致相同的第2元件的图案;形成于所述基板的下部并且连接了所述第1元件的下端的第1供电匹配部的图案;以及形成于所述基板的下部并且连接了所述第2元件的下端的第2供电匹配部的图案,使所述第1元件以及所述第2元件的大致中央部弯曲,以使得所述第1元件与所述第2元件的间隔在大致中央部变大。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:岸本知久
申请(专利权)人:日本安特尼株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1