本发明专利技术公开了一种核磁共振波谱仪的梯度线圈，该梯度线圈由主线圈以及同轴设置于其外侧的屏蔽线圈组成，其中主线圈为若干组在所述线圈轴向方向上对称分布于上下两部的线圈绕组，上部的两组线圈与下部的两组线圈绕向相反，屏蔽线圈为两组上下两部对称分布且绕向相反的线圈绕组，所有绕组线圈串联连接，屏蔽线圈与主线圈之间优选保持4.3～5.3mm的间距，并且在主线圈的内部空间内还设置有隔热部件。按照本发明专利技术实现的梯度线圈，明显提高了线圈效率，并且用简单的算法和工艺就可获得强度大于50Gs/cm@10A、线性误差小于0.5Gs@10A的梯度磁场，并且能够确保梯度场在变温实验中的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于核磁共振波谱仪领域，更具体地，涉及一种梯度线圈。
技术介绍
核磁共振波谱仪进行梯度匀场、二维梯度实验时需要在主磁场中产生一很强的纵 向梯度场，一般要求其强度在50GS/cm@10A以上。因此需要在核磁共振波谱仪探头中加入 梯度线圈，其在外部脉冲梯度电流的驱动下产生一个梯度场，该梯度场强越强越好，然而当 梯度线圈产生梯度场时，它附近的金属导体上会感应出涡流，梯度场越强越容易产生涡流， 涡流会产生与原梯度场相反的磁场，降低梯度线圈的效率，并且降低磁场的稳定性，影响到 核磁共振波谱仪的正常工作。 现有技术中采用了流函数和目标场方法来求解，然而核磁共振波谱仪探头内放置 梯度线圈的空间十分有限，梯度线圈必须满足体积小、电感小、梯度场强大等要求，流函数 和目标场方法在场强要求高而线圈体积又被严格限制时，这种设计方法难以得出合理的梯 度线圈方案，并且导致加工困难无法进行实际生产。 目前已经存在采用自屏蔽线圈来解决涡流问题的主流方法，但是屏蔽线圈会在目 标区域产生反向磁场，会抵消掉主线圈几乎一半的梯度场，因此为了得到足够强的梯度场， 不得不增加线圈绕组数量，但是在增加绕组数量的情况下又增大了线圈的电感和电阻，影 响线圈的梯度场切换速度，并显著增加线圈功耗。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种核磁共振波谱仪的梯度 线圈，其目的在于提供一种算法简单且能获得较高强度的梯度磁场，并解决在采用自屏蔽 手段之后降低线圈功耗、减小线圈电感和电阻的技术问题。 为实现上述目的，按照本专利技术的一个方面，提供了一种核磁共振波谱仪梯度线圈， 其特征在于，该梯度线圈由主线圈以及同轴设置于其外侧的屏蔽线圈组成，其中所述屏蔽 线圈为沿所述梯度线圈轴向上下对称设置的若干线圈绕组，其上部线圈绕组与下部线圈绕 组绕向相反；所述主线圈为沿所述梯度线圈轴向上下对称设置的若干线圈绕组对，其对称 的上部线圈绕组与下部线圈绕组绕向相反；所有所述绕组线圈串联连接，由此与外部电流 源形成电流通路。 进一步地，所述屏蔽线圈与所述主线圈的间距优选为在核磁共振波谱仪探头允许 的空间范围内的最大值，由此提高所述梯度线圈的工作效率。 进一步地，所述屏蔽线圈与所述主线圈的间距优选为4. 3~5. 3mm。 进一步地，所述主线圈的内部空间内还设置有隔热部件。 进一步地，所述主线圈包含若干对用于产生基础磁场的线圈绕组和若干对用于消 除基础磁场9阶以内高阶奇数项的线圈绕组。 进一步地，所述主线圈的所述上部线圈绕组和所述下部线圈绕组分别具有多个匝 数不同的子线圈绕组。 进一步地，所述隔热部件（3)的热膨胀系数小于1(T7°C，可承受±200°C的热冲 击。 进一步地，所述隔热部件的体积磁化率为1(T6量级。 进一步地，所述隔热部件优选为石英玻璃管。 总体而言，通过本专利技术所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有 益效果： (1)产生一个强度为60Gs/cm@10A，在± 10mm的有效区域内整体线性误差小于 0. 5Gs@10A的纵向梯度场； (2)通过适当增大屏蔽线圈与主线圈间距的方式来减小屏蔽线圈在目标区域的反 向磁场，提高整个梯度线圈的效率，同时减小线圈电感和电阻； (3)通过在梯度线圈内设置一层石英玻璃管，使得梯度线圈与其内部空间的快速 温度变化相隔离，有效解决变温试验中线圈因热胀冷缩而发生形变，确保了梯度场在变温 实验中的稳定性。【附图说明】图1是按照本专利技术实现的核磁共振波谱仪的梯度线圈整体示意图； 图2是按照本专利技术实现的核磁共振波谱仪的梯度线圈中的主线圈的绕线方式及 电流方向示意图；图3是按照本专利技术实现的核磁共振波谱仪的梯度线圈主线圈在轴线上产生的梯 度场的计算结果示意图； 图4是按照本专利技术实现的核磁共振波谱仪的梯度线圈主线圈线性度指标的计算 结果示意图；图5是按照本专利技术实现的核磁共振波谱仪的梯度线圈整体线性度指标的计算结 果示意图。 在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中： 1-屏蔽线圈2-主线圈3-石英玻璃管21-第一上部线圈绕组22-第二上部线圈 绕组23-第一下部线圈绕组24-第二下部线圈绕组【具体实施方式】 为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对 本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，并 不用于限定本专利技术。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要 彼此之间未构成冲突就可以相互组合。 本专利技术梯度线圈由屏蔽线圈1、主线圈2和石英玻璃管3组成，如图1所示的核磁 共振波谱仪梯度线圈的整体结构示意图。屏蔽线圈1套于主线圈2的外层，两者之间保持 4. 3~5. 3mm的间距，屏蔽线圈1在其中心产生的磁场与主线圈2产生的梯度场方向相反， 且弱于主线圈2产生的梯度场，屏蔽线圈1产生的磁场抵消主线圈2外侧的发散磁场，但也 消弱了主线圈2中心的梯度场。 如图2所示的主线圈的结构示意图，其中屏蔽线圈1为沿梯度线圈轴向上下对 称设置的若干线圈绕组，其上部线圈绕组与下部线圈绕组绕向相反；主线圈2为沿梯度线 圈轴向上下对称设置的若干线圈绕组对，其对称的上部线圈绕组21，22与下部线圈绕组 23, 24,屏蔽线圈（1)与所述主线圈（2)之间绕向相反。屏蔽线圈1与主线圈2上的所有线 圈绕组用串连的方式相互连接。外部输入的驱动电流依次流过屏蔽线圈1和主线圈2,主线 圈2在其内部会产生一个场强大于设计要求的梯度场，主线圈2外侧的发散磁场会迅速衰 减。 屏蔽线圈1位于主线圈2外侧，并与主线圈保持4. 3~5. 3mm的间距，在这种设置 方式下，屏蔽线圈1与主线圈2共同产生的梯度场接近于理想的状态：整个梯度线圈中心的 梯度场强度为60Gs/cm，梯度线圈外侧的发散磁场接近于0，在此种情况下可避免梯度线圈 在其附近的金属导体上产生涡流。 本专利技术中，还更优选地采用石英玻璃管3同轴设置于主线圈2内部，使梯度线圈与 其中心的空间区域相互隔离。在核磁共振波谱仪使用过程中，经常进行温度变化的实验，梯 度线圈中心区域的温度会剧烈变化，并影响梯度线圈的形状、电阻率等各种特性，使梯度线 圈产生的梯度场不稳定。石英玻璃管3的放置，使梯度线圈与其中心区域相互隔离，梯度线 圈的温度保持恒定，可以在宽范围的温度下实现梯度场稳定。 如图2所示，是按照本专利技术实现的主线圈上线圈绕制示意图，梯度线圈的主线圈2 由两对Maxwell线圈组成，上部和下部线圈通以互为反向的电流，由一对21西Maxwell线 圈21、24和一对2匝Maxwell线圈22、23组成，其中21匝Maxwell线圈21与2匝Maxwell 线圈22成为一组设置在上部，另外一组23、24设置在下部，且上部和下部的线圈绕向相反。 其中，21西Maxwell线圈分布3层，每层7西，直径分别为11. 7mm、12. 3mm和12. 7mm，距离线 圈中心的高度为14mm，这对Maxwell线圈产生一个强度约90Gs/cm@10A的基础磁场，但含有 高阶奇数项。一对2西Maxwell线圈分布1层，直径11. 7mm，距离线圈中心高度为4. 5mm， 这对同轴线圈产生补偿磁场，可消除基础磁场本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种核磁共振波谱仪梯度线圈，其特征在于，该梯度线圈由主线圈(2)以及同轴设置于其外侧的屏蔽线圈(1)组成，其中所述屏蔽线圈(1)为沿所述梯度线圈轴向上下对称设置的若干线圈绕组，其上部线圈绕组与下部线圈绕组绕向相反；所述主线圈(2)为沿所述梯度线圈轴向上下对称设置的若干线圈绕组对，其对称的上部线圈绕组(21,22)与下部线圈绕组(23,24)绕向相反；所有所述绕组线圈串联连接，由此与外部电流源形成电流通路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈康，
申请(专利权)人：武汉中科波谱技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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