【技术实现步骤摘要】
一种适用于低气压甚高频放电中交变磁场强度测量的探针
本专利技术涉及一种适用于低气压甚高频放电中交变磁场强度测量的探针,其属于低气压甚高频放电领域。
技术介绍
低气压等离子体被广泛应用于微电子工业的刻蚀和沉积工艺中。随着所使用电源的频率不断提高,电磁效应越来越显著。电磁效应的产生会导致等离子体密度径向分布的不均匀性,从而影响刻蚀和沉积的均匀性。在实际工艺中,良好的均匀性可以有效提高产品的良品率,对节约成本、提高效益有重要作用。在等离子体中,磁场的作用随着频率的增大会更加显著,因此对磁场强度的测量对改进工艺具有重要作用。传统测量磁场的方法其响应频率较低,随着频率的升高信噪比变差,尤其当频率达到甚高频波段(30~300MHz),测量误差非常大。为此,本专利技术针对目前甚高频放电中无法有效测量磁场强度的问题,在原有磁探针基础上加以改进,提出了一种适用于低气压甚高频放电中磁场强度测量的探针。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题,本专利技术提供了一种适用于低气压甚高频放电中交变磁场强度测量的探针。本专利技术采用的技术解决方案:一种适用于低气压甚高频放电中交变磁场强度测量的探针,它包括探头和探针外套,所述探针外套采用陶瓷管的一端与空心螺杆固定连接,所述探头采用射频空心电感线圈,射频空心电感线圈采用耐温胶固定在陶瓷管的另一端,射频空心电感线圈通过第一射频传输线和第二射频传输线与射频变压器的射频变压器原线圈电连接,射频变压器的射频变压器副线圈通过第三射频传输线和第四射频传输线与第一引出极和第二引出极电连接,第一引出极和第二引出极依次穿过第二四氟垫、第二O型密封圈和第一四氟 ...
【技术保护点】
一种适用于低气压甚高频放电中交变磁场强度测量的探针,它包括探头和探针外套,其特征在于:所述探针外套采用陶瓷管(17)的一端与空心螺杆(9)固定连接,所述探头采用射频空心电感线圈(1),射频空心电感线圈(1)采用耐温胶(16)固定在陶瓷管(17)的另一端,射频空心电感线圈(1)通过第一射频传输线(2)和第二射频传输线(3)与射频变压器(5)的射频变压器原线圈(5a)电连接,射频变压器(5)的射频变压器副线圈(5b)通过第三射频传输线(6)和第四射频传输线(7)与第一引出极(11)和第二引出极(12)电连接,第一引出极(11)和第二引出极(12)依次穿过第二四氟垫(15)、第二O型密封圈(18)和第一四氟垫(13)后,采用密封螺母(10)把第二四氟垫(15)和第一四氟垫(13)压紧在空心螺杆(9)内,在空心螺杆(9)的端面与第二四氟垫(15)的凸环之间设有第一O型密封圈(14);所述第一射频传输线(2)和第二射频传输线(3)外设有第一屏蔽线圈(4),第三射频传输线(6)和第四射频传输线(7)外设有第二屏蔽线圈(8)。
【技术特征摘要】
1.一种适用于低气压甚高频放电中交变磁场强度测量的探针,它包括探头和探针外套,其特征在于:所述探针外套采用陶瓷管(17)的一端与空心螺杆(9)固定连接,所述探头采用射频空心电感线圈(1),射频空心电感线圈(1)采用耐温胶(16)固定在陶瓷管(17)的另一端,射频空心电感线圈(1)通过第一射频传输线(2)和第二射频传输线(3)与射频变压器(5)的射频变压器原线圈(5a)电连接,射频变压器(5)的射频变压器副线圈(5b)通过第三射频传输线(6)和第四射频传输线(7)与第一引出极(11)和第二引出极(12)电连接,第一引出极(11)和第二引出极(12)依次穿过第二四氟垫(15)、第二O型密封圈(18)和第一四氟垫(13)后,采用密封螺母(10)把第二四...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘佳,高飞,王友年,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:辽宁;21
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