降低总谐波失真及提高功率因数的电路制造技术

技术编号:11849333 阅读:225 留言:0更新日期:2015-08-07 16:51
本实用新型专利技术提供给一种降低总谐波失真(THD)、提高功率因数的电路,适用于可控制导通时间的电路系统中,包括输入模块以及控制模块,其中,当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压提高时,该控制模块提高该电路系统的频率限制点;以及当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压降低时,该控制模块降低该电路系统的频率限制点,从而改善总谐波失真和功率因数。

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种电路,尤指一种适用于可控制导通时间的电路系统中的 降低总谐波失真及提高功率因数的电路
技术介绍
[000引在AC-DC电源、巧光灯驱动、L邸驱动W及其他反激模式工作的系统中,功率因数PF低会造成干扰电网电压和系统损耗增大的危害,习知技术中通过控制导通时间Ton来改 善,详细叙述如下:[000引功率因数PF为系统中有功功率与视在功率的比值【主权项】1. 一种降低总谐波失真及提高功率因数的电路,适用于可控制导通时间的电路系统 中,其特征在于,该电路包括: 输入模块,用以接收控制导通时间的电压;以及 控制模块,用以控制该电路系统的频率限制点; 其中,当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压提高时,该控制模块提高该电 路系统的频率限制点;以及 当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压降低时,该控制模块降低该电路系统 的频率限制点; 该输入模块还包括第一n型晶体管以及第一电阻; 该控制模块还包括第一P型晶体管、第二P型晶体管、第二n型晶体管、第一电容、以及 比较器; 其中,该第一P型晶体管与第二P型晶体管的栅极相连接,并连接至该第一P型晶体管 的漏极与第一n型晶体管的漏极;该第一n型晶体管的源极连接该第一电阻;该第二p型晶 体管的漏极连接至该第二n型晶体管的漏极与该第一电容的一端;该第二n型晶体管的源 极连接至该第一电容的另一端;该比较器一端连接至该第二n型晶体管的漏极,该比较器 另一端连接一参考电压。2. 如权利要求1所述的降低总谐波失真及提高功率因数的电路,其特征在于,该电路 系统包括: 电流检测电阻、反馈电路模块、运算放大器、补偿电容、导通时间产生电路模块、逻辑电 路模块、驱动电路模块、功率管、以及外围电路,其中,该外围电路是由整流桥、变压器、电容 以及负载组成的, 其中,该外围电路连接该功率管,该功率管连接该电流检测电阻以及该反馈电路模块, 该反馈电路模块连接该运算放大器,该运算放大器连接该补偿电容与该导通时间产生电路 模块,该导通时间产生电路模块连接该逻辑电路模块,该逻辑电路模块连接该驱动电路模 块,以及该驱动电路模块连接该功率管的栅极。3. 如权利要求2所述的降低总谐波失真及提高功率因数的电路,其特征在于,该输入 模块连接该运算放大器的输出端,该控制模块连接该逻辑电路模块。 如权利要求1所述的降低总谐波失真及提高功率因数的电路,其特征在于,该频率限 制点与该用以控制导通时间的电压的关系为线性或非线性。4. 如权利要求1所述的降低总谐波失真及提高功率因数的电路,其特征在于,该电路 系统为反激模式工作的系统。5. 如权利要求1所述的降低总谐波失真及提高功率因数的电路,其特征在于,该电路 系统用于AC-DC电源、荧光灯驱动或LED驱动。【专利摘要】本技术提供给一种降低总谐波失真(THD)、提高功率因数的电路,适用于可控制导通时间的电路系统中,包括输入模块以及控制模块,其中,当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压提高时,该控制模块提高该电路系统的频率限制点;以及当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压降低时,该控制模块降低该电路系统的频率限制点,从而改善总谐波失真和功率因数。【IPC分类】H02M1-12, H02M1-42【公开号】CN204538956【申请号】CN201520075932【专利技术人】周松明, 胡三亚, 庄华龙, 王磊 【申请人】帝奥微电子有限公司【公开日】2015年8月5日【申请日】2015年2月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低总谐波失真及提高功率因数的电路,适用于可控制导通时间的电路系统中,其特征在于,该电路包括:输入模块,用以接收控制导通时间的电压;以及控制模块,用以控制该电路系统的频率限制点;其中,当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压提高时,该控制模块提高该电路系统的频率限制点;以及当该输入模块所接收的用以控制导通时间的电压降低时,该控制模块降低该电路系统的频率限制点;该输入模块还包括第一n型晶体管以及第一电阻;该控制模块还包括第一p型晶体管、第二p型晶体管、第二n型晶体管、第一电容、以及比较器;其中,该第一p型晶体管与第二p型晶体管的栅极相连接,并连接至该第一p型晶体管的漏极与第一n型晶体管的漏极;该第一n型晶体管的源极连接该第一电阻;该第二p型晶体管的漏极连接至该第二n型晶体管的漏极与该第一电容的一端;该第二n型晶体管的源极连接至该第一电容的另一端;该比较器一端连接至该第二n型晶体管的漏极,该比较器另一端连接一参考电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周松明胡三亚庄华龙王磊
申请(专利权)人:帝奥微电子有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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