显示面板制造技术

本实用新型专利技术是有关于一种显示面板，该显示面板包括：一第一基板；一薄膜晶体管层，位于该第一基板上；一绝缘层，位于该薄膜晶体管层上；至少一像素电极，位于该绝缘层上并显露出该绝缘层的一显露区；一配向层，位于该像素电极与该显露区上，其中该配向层位于该显露区上的表面粗糙度大于该配向层位于该像素电极上的表面粗糙度。

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种显不面板，尤指一种不易漏光的显不面板。
技术介绍
随着显示器技术不断进步，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备。特别是，液晶显示设备可应用的领域相当多，但凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等显示设备，其显示面板多使用液晶显示面板。在部分显示面板的设计中，为了提高开口率与节省成本，在相邻两像素电极间隔处并无黑色矩阵(BM)遮蔽以明显区隔像素，然而在显示器驱动时，液晶分子受到电场影响而倾倒，同时，由于液晶具有连续分布现象，则在两像素电极间的液晶分子也会跟着倾倒，导致容易有漏光现象发生，无法清楚区隔相邻的像素电极，进而影响显示质量。现今液晶显示器发展技术已渐趋成熟，而各家厂商仍致力于发展具有更高显示质量的显示设备，以满足消费者对显示质量的要求，借此，目前仍需发展一种提升显示质量的显示设备，解决上述漏光问题，期盼带给消费者更稳定的显示效果。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种显示面板，以能减少因为没有黑色矩阵遮蔽处而产生的漏光情形，利于区隔相邻像素电极。为达成上述目的，本技术提供一种显示面板，该显示面板包括:一第一基板；一薄膜晶体管层，位于该第一基板上；一绝缘层，位于该薄膜晶体管层上；至少一像素电极，位于该绝缘层上并显露出该绝缘层的一显露区；以及一配向层，位于该像素电极与该显露区上，其中该配向层位于该显露区上的表面粗糙度大于该配向层位于该像素电极上的表面粗糙度。其中，该配向层位于该显露区上的表面粗糙度可为该配向层位于该像素电极上的表面粗糙度的1.1至3倍。其中，该绝缘层与该像素电极的侧边邻接处可具有一凹槽。其中，该配向层在该像素电极与该显露区的邻接处可具有一凹槽。其中，该凹槽的宽度可为0.1 μπι至5 μπι。其中，该凹槽的深度可为Inm至lOOnm。其中，该薄膜晶体管层包括多条扫描线与多条数据线，该些扫描线与该些数据线交错设置以形成多个次像素，该至少一像素电极中之一可横跨该些扫描线中之一。其中，横跨于该些扫描线中之一的该像素电极的两端可分别位于相邻两次像素中。其中该至少一像素电极包括相邻且绝缘设置的一第一像素电极与一第二像素电极，且该第一像素电极与该第二像素电极相邻的一端可共同位于该些次像素中之一内。其中，该显露区可位于相邻该第一像素电极与该第二像素电极之间。据此，由于设置于绝缘层的显露区上的配向层相比于设置于像素电极上的配向层具有较大的表面粗糙度，液晶层中的液晶分子受到不均匀配向层影响而改变排列方向。当显示面板驱动时，设置于对应像素电极的配向层上的液晶分子受到电场影响而倾斜排列；而设置于对应显露区的配向层上的液晶分子因配向层具有较大的表面粗糙度而不易受到电场影响。有鉴于此，在显示面板驱动时，没有该黑色矩阵(BM)遮蔽处不易漏光，利于区隔相邻像素电极。【附图说明】图1A为本技术一优选实施例的显示面板的制作流程示意图。图1B为本技术另一优选实施例的显示面板的制作示意图。图1C为本技术一优选实施例的显示面板示意图。图2为本技术一优选实施例的显示面板上视示意图。图3A为本技术再一优选实施例的显示面板的制作流程示意图。图3B为图3A的局部放大图。【符号说明】I基板2薄膜晶体管层21薄膜晶体管22扫描线23数据线24次像素3绝缘层31显露区41透明导电层42像素电极42a第一像素电极42b第二像素电极42al，42bl 相邻的一端51，54光刻胶层52，55掩模53，56图案化光刻胶6配向层7，7，凹槽8液晶层81，82液晶分子9彩色滤光片基板91彩色滤光层92黑色矩阵【具体实施方式】以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可针对不同观点与应用，在不背离本技术的精神下进行各种修饰与变更。本技术提供一种显示面板，如图1A所示，该显示面板包括:基板1、薄膜晶体管层2、绝缘层3、像素电极42与配向层6。其中，薄膜晶体管层2、绝缘层3和像素电极42依次设置于基板I上，且像素电极42位于绝缘层3上并显露出绝缘层3的一显露区31，配向层6则位于像素电极42与显露区上。其中，配向层6位于显露区31上的表面粗糙度大于配向层6位于像素电极42上的表面粗糙度。请参照图1A，其为该显示面板的制作流程示意图:首先，提供一基板1，然后在该基板I上以光刻刻蚀等技术制作一薄膜晶体管层2，接着在该薄膜晶体管层上设置一绝缘层3，并在该绝缘层3上设置一透明导电层41。下一步，在透明导电层41上设置一光刻胶层51，利用既定图案的掩模52进行曝光程序(光照方向如虚线箭头表示)，形成一图案化光刻胶53，然后，使用一刻蚀液刻蚀透明导电层41进行图案化程序，以形成一像素电极42并显露出部分绝缘层3 (即为一显露区31)。此时，接着以刻蚀液再继续刻蚀显露区31的绝缘层3，使没有图案化光刻胶53跟像素电极42覆盖的显露区31的绝缘层3表面呈现不平整的状态。最后，先行移除图案化光刻胶53，然后在像素电极42与显露区31上形成一配向层6，其中由于显露区31的绝缘层3表面不平整，使得配向层6位于显露区31上的表面粗糙度大于配向层6位于像素电极42上的表面粗糙度。或者，如图1B所示，先前步骤与图1A相同，利用光刻刻蚀工艺形成一图案化光刻胶53后，使用一刻蚀液刻蚀透明导电层41以形成像素电极42并显露出部分绝缘层3 (即为一显露区31)。接着，在像素电极42与显露区31上设置一配向层6，最后，利用既定图案的掩模52再次进行曝光程序(光照方向如虚线箭头表示)，调整光照能量使得对应像素电极42处的光照能量较小、对应到没有像素电极42覆盖的显露区31处的光照能量较大；或者，调整光照时间使对应像素电极42处的光照时间较短、对应到没有像素电极42覆盖的显露区31处的光照时间较长。如此一来，由于配向层6会受到光照的时间与强度而使得配向层6的分子产生聚集程度的不同，因此当配向层6受到光照时间较长或强度较强时，配向层6中的分子的聚集程度会高于受到光照时间较短或强度较弱的分子的聚集程度。而配向层6中的分子聚集程度会影响到配向层6的表面粗糙度，例如分子的聚集层度高的部分则表面粗糙度就会大于分子的聚集层度低的部分。因此配向层6位于显露区31上的表面粗糙度会大于配向层6位于像素电极42上的表面粗糙度。其中，配向层6位于显露区31上的表面粗糙度为配向层6位于像素电极42上的表面粗糙度的1.1至3倍，优选为1.1至2倍。在一实施例中，该配向层6位于该像素电极42上的表面粗糙度为2.46 Ra, 2.89 Rq，该配向层6位于该显露区31上的表面粗糙度为4.17Ra、5.04 Rq。「表面粗糙度」一词表示物件表面高低起伏的程度，可使用本
中常见的仪器测量。表面粗糙度有分为很多中，例如于高度方向的结构变化上，常见的粗糙度值包含中心线平均粗糙度(Ra)、平方平均值粗糙度(Rq)、十点平均粗糙度(Rz)等。测量方法也不受限，例如利用比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括：一第一基板；一薄膜晶体管层，位于该第一基板上；一绝缘层，位于该薄膜晶体管层上；至少一像素电极，位于该绝缘层上并显露出该绝缘层的一显露区；以及一配向层，位于该像素电极与该显露区上，其中，该配向层位于该显露区上的表面粗糙度大于该配向层位于该像素电极上的表面粗糙度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋国璋，李冠锋，黄鹏丞，刘桂伶，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71