太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池的制备方法，依序包括切割硅片、制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结的步骤，其中，在切割硅片和制绒步骤之间，还包括对切割后的硅片进行烧结处理的步骤。在切割硅片和制绒步骤之间，进一步对切割后的硅片进行烧结处理。通过烧结处理步骤可以使硅片表面的油污和其他有机污染物与空气中的氧气发生氧化反应，并以气态形式逸散，从而能够较为彻底地去除硅片表面的这些污染物，达到有效清洁硅片表面的效果，进而能够提高太阳能电池的成品合格率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池制造领域，具体而言，涉及一种太阳能电池的制备方法。
技术介绍
硅片是制备太阳能电池的基础材料，是全球电子工业及光伏产业的基石。现有工艺中，太阳能电池通常采用以下步骤制得：硅片切割、硅片清洗、制绒、扩散、PECVD、以及印刷烧结。随着市场竞争日益激烈，高效率及低成本是太阳能电池未来的发展方向。然而硅片表面通常被油污以及其他有机物等污染，并且生产环节中由于自动化程度的限制，人为因素造成的污染也不可避免，其中手印片的比例很大。由于上述原因的存在，太阳能电池的成品率大幅下降，因此经过切割加工的硅片必须进行清洗。现有的清洗硅片的方法中，通常是使用化学试剂对硅片进行清洗，常用的清洗剂为高纯水、有机溶剂、浓酸强碱以及高纯中性洗涤剂等。但是当有大批量的硅片需要清洗时，化学试剂的使用量也会增大，那必然会带来环境污染的问题，同时大量化学试剂的使用对操作人员也有一定的危险性。并且采用现有的清洗方法，清洗效果并不理想，进而导致太阳能电池的成品率令人不太满意。鉴于上述问题的存在，有必要开发出一种环保、高效的去除硅片表面油污或其他有机污染物的方法。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种太阳能电池的制备方法，以解决现有的太阳能电池制备工艺中存在的硅片表面油污和有机污染物不易去除，从而导致电池成品率低的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种太阳能电池的制备方法，依序包括切割硅片、制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结的步骤，在切割硅片和制绒步骤之间，还包括对切割后的硅片进行烧结处理的步骤。进一步地，烧结处理的步骤包括：将切割后的硅片在第一温度下进行第一次烧结，第一温度为380～450℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第二温度下进行第二次烧结，第二温度为380～450℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第三温度下进行第三次烧结，第三温度为400～450℃，烧结时间为8～9s；将切割后的硅片在第四温度下进行第四次烧结，第四温度为400～450℃，烧结时间为8～9s；将切割后的硅片在第五温度下进行第五次烧结，第五温度为480～530℃，烧结时间为8～9s；以及将切割后的硅片在第六温度下进行第六次烧结，第六温度为480～530℃，烧结时间为8～9s。进一步地，烧结处理的步骤包括：将切割后的硅片在第一温度下进行第一次烧结，第一温度为400～430℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第二温度下进行第二次烧结，第二温度为400～430℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第三温度下进行第三次烧结，第三温度为410～440℃，烧结时间为8～9s；将切割后的硅片在第四温度下进行第四次烧结，第四温度为410～440℃，烧结时间为8～9s；将切割后的硅片在第五温度下进行第五次烧结，第五温度为490～520℃，烧结时间为8～9s；以及将切割后的硅片在第六温度下进行第六次烧结，第六温度为490～520℃，烧结时间为8～9s。进一步地，在烧结处理的步骤中，向切割后的硅片表面通入压缩空气。进一步地，在切割硅片的步骤之后，且在烧结处理的步骤之前，还包括对切割后的硅片进行预热处理的步骤。进一步地，预热处理的步骤中，第一预热温度为280～330℃，预热时间为11～12s；第二预热温度为280～330℃，预热时间为11～12s；第三预热温度为280～330℃，预热时间为11～12s；第四预热温度为280～330℃，预热时间为11～12s；优选地，预热处理的步骤包括：第一预热温度为290～320℃，预热时间为11～12s；第二预热温度为290～320℃，预热时间为11～12s；第三预热温度为290～320℃，预热时间为11～12s；第四预热温度为290～320℃，预热时间为11～12s。进一步地，在烧结处理的步骤之后，且在制绒步骤之前，还包括对烧结处理后的硅片进行冷却的步骤。进一步地，冷却步骤包括：将烧结处理后的硅片进行第一次冷却，使其温度降至150～250℃；以及将烧结处理后的硅片进行第二次冷却，使其温度降至80～130℃。进一步地，第一次冷却的步骤中，冷却速率为28.75～47.5℃/s；以及第二次冷却的步骤中，冷却速率为2.5～21.25℃/s。进一步地，冷却步骤中，冷却方式为风冷、水冷或自然冷却。本专利技术的主要目的在于提供一种太阳能电池的制备方法。应用本专利技术的技术方案，在切割硅片和制绒步骤之间，进一步对切割后的硅片进行了烧结处理。通过烧结处理步骤可以使硅片表面的油污和其他有机污染物与空气中的氧气发生氧化反应，并以气态形式逸散。从而能够较为彻底地去除硅片表面的这些污染物，达到有效清洁硅片表面的效果。进而能够提高太阳能电池的成品合格率。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本专利技术。如
技术介绍
所描述的，现有的制备方法存在着硅片表面油污和有机污染物不易去除，从而导致电池成品率低的缺陷。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种太阳能电池的制备方法，依序包括切割硅片、制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结的步骤，其中，在切割硅片和制绒步骤之间，还包括对切割后的硅片进行烧结处理的步骤。本专利技术提供的上述制备方法中，在切割硅片和制绒步骤之间，进一步对切割后的硅片进行了烧结处理。通过烧结处理步骤可以使硅片表面的油污和其他有机污染物与空气中的氧气发生氧化反应，并以气态形式逸散。从而能够较为彻底地去除硅片表面的这些污染物，达到有效清洁硅片表面的效果。进而能够提高太阳能电池的成品合格率。上述制备方法中，只要对切割后的硅片进行了烧结处理，就可以在一定程度上清洁硅片表面的污染物，进而提高太阳能电池的合格率。而本领域技术人员也可以选择具体的烧结工艺。在一种优选的实施方式中，上述烧结处理的步骤包括将切割后的硅片在第一温度下进行第一次烧结，第一温度为380～450℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第二温度下进行第二次烧结，第二温度为380～450℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第三温度下进行第三次烧结，第三温度为400～450℃，烧结时间为8～9s；将切割后的硅片在第四温度下进行第四次烧结，第四温度为400～450℃，烧结时间为8～9s；将切割后的硅片在第五温度下进行第五次烧结，第五温度为480～530℃，烧结时间为8～9s；以及将切割后的硅片在第六温度下进行第六次烧结，第六温度为480～530℃，烧结时间为8～9s。在对切割后的硅片进行烧结处理的步骤中，按照上述的分段烧结工艺，能够在不同的烧结阶段实现对不同油污或有机污染物的氧化处理，从而能够逐步去除不同成分的污染物。这有利于进一步提高硅片表面的有机污染物的分解程度和分解效率，以进一步提高太阳能电池的成品合格率。根据本专利技术的上述教导，本领域技术人员还可以进一步选择烧结步骤的工艺参数。在一种优选的实施方式中，烧结处理的步骤包括：将切割后的硅片在第一温度下进行第一次烧结，第一温度为400～430℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第二温度下进行第二次烧结，第二温度为400～430℃，烧结时间为9～10s；将切割后的硅片在第三温度下进行第三次烧结，第三温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制备方法，依序包括切割硅片、制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结的步骤，其特征在于，在所述切割硅片和所述制绒步骤之间，还包括对切割后的硅片进行烧结处理的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，依序包括切割硅片、制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结的步骤，其特征在于，在所述切割硅片和所述制绒步骤之间，还包括对切割后的硅片进行烧结处理的步骤；所述烧结处理的步骤包括：将所述切割后的硅片在第一温度下进行第一次烧结，所述第一温度为400～430℃，烧结时间为9～10s；将所述切割后的硅片在第二温度下进行第二次烧结，所述第二温度为400～430℃，烧结时间为9～10s；将所述切割后的硅片在第三温度下进行第三次烧结，所述第三温度为410～440℃，烧结时间为8～9s；将所述切割后的硅片在第四温度下进行第四次烧结，所述第四温度为410～440℃，烧结时间为8～9s；将所述切割后的硅片在第五温度下进行第五次烧结，所述第五温度为490～520℃，烧结时间为8～9s；以及将所述切割后的硅片在第六温度下进行第六次烧结，所述第六温度为490～520℃，烧结时间为8～9s；在所述切割硅片的步骤之后，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：寇继成，于全庆，闫英丽，汤欢，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13