本实用新型专利技术提供一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，包括波导层，基底，畴结构，沟槽，波导面，芯片层，条形波导，保护层和抑制层，所述的波导层设置在波导面的下部；所述的基底设置在波导层的下部；所述的畴结构设置在基底的下部；所述的沟槽设置在基底正面的中间位置；所述的芯片层设置在沟槽底部的上面位置；所述的条形波导横向设置在波导面的上面；所述的保护层设置在芯片层的上部；所述的抑制层设置在保护层的上部位置。本实用新型专利技术的有益效果为：本实用新型专利技术的芯片层、沟槽和波导面的设置，有利于提高发射效果，放置芯片层，进一步提高集成化程度，减小体积，降低维护成本，进而延长使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光波导领域，更具体地，涉及一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导。
技术介绍
目前，铌酸锂晶体是一种热稳定性、化学稳定性良好的多功能光电材料，具有优秀的压电、声光、电光、铁电、热释电、非线性等性能。目前，以铌酸锂晶体为基地的光电元件已经在光通信调制器、激光调制器、光隔离器、激光倍频器、等方面获得广泛的应用。目前，采用提拉法生长的铌酸锂晶体大都是偏离其化学计量组分的同成分晶体，表现为Li原子的缺失，通过在同成分熔体中加入氧化钾或者改变铌酸锂熔体中的锂铌比(Li/NB)，或者通过气相运输平衡(VTE)技术对晶体进行处理等，都可以改变铌酸锂晶体中的锂铌比，从而生长制备出近化学计量比的LN晶体。铌酸锂光波导从制备方法上可以分为:钛扩散铌酸锂光波导、离子交换铌酸锂光波导以及质子交换铌酸锂光波导等。离子交换、质子交换光波导因高温时光学性能不稳定，应用领域受到限制。周期极化铌酸锂(PPLN)被广泛的使用在光参量振荡、倍频、差频等光学过程。集成光学以及光通信技术的快速发展对波长转换器要求越来越高。以往以铌酸锂等其他体材料作为核心元件制作的一类器件已经不能满足当前对光学器件小型化、集成化的要求。与同成分铌酸锂晶体相比，近化学计量比T1:PPLN光波导具有重要的研究以及应用价值。现有的技术为专利号为，CN 203117454 U的光波导。但是现有的光波导存在着集成化程度低，体积大，应用范围窄，维护成本高和使用寿命短的问题。因此，改进现有的光波导显得非常必要。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，能够解决现有的光波导存在着集成化程度低，体积大，应用范围窄，维护成本高和使用寿命短的问题。为实现上述目的，本技术采取的技术方案为:本技术提供了一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，包括波导层，基底，畴结构，沟槽，波导面，芯片层，条形波导，保护层和抑制层，所述的波导层设置在波导面的下部；所述的基底设置在波导层的下部；所述的畴结构设置在基底的下部；所述的沟槽设置在基底正面的中间位置；所述的芯片层设置在沟槽底部的上面位置；所述的条形波导横向设置在波导面的上面；所述的保护层设置在芯片层的上部；所述的抑制层设置在保护层的上部位置。优选地，所述的芯片层包括芯片层芯片，芯片层光发射器和芯片层条形波导，所述的芯片层光发射器设置在芯片层芯片的上端；所述的芯片层条形波导连接设置芯片层光发射器。优选地，所述的芯片层光发射器具体采用圆形半径为2微米至5微米的光发射器，有利于提高发射效果，降低能耗，进一步延长使用寿命。优选地，所述的沟槽具体采用正梯形槽，有利于放置芯片层，降低维护成本，延长使用寿命。优选地，所述的波导面具体设置在基底的正上方位置，进一步提高集成化程度，减小体积，降低维护成本，延长使用寿命。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果:由于本技术的一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导可以广泛应用于光波导技术等领域。同时，本技术的有益效果为:1、本技术的芯片层的设置，有利于提高发射效果，降低能耗，进一步延长使用寿命。2、本技术的沟槽的设置，有利于放置芯片层，降低维护成本，提高安全性能。3、本技术的波导面的设置，提高集成化程度，减小体积，降低维护成本，进而延长使用寿命。【附图说明】图1示出了根据本技术的结构示意图。图2示出了根据本技术的芯片层结构示意图。结合附图在图上标记以下附图标记:1-波导层，2-基底，3-畴结构，4-沟槽，5-波导面，6-芯片层，61-芯片层芯片，62-芯片层光发射器，63-芯片层条形波导，7-条形波导，8-保护层，9-抑制层。【具体实施方式】下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本专利技术。如图1和图2所示，本技术提供了一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，包括波导层I，基底2，畴结构3，沟槽4，波导面5，芯片层6，条形波导7，保护层8和抑制层9，所述的波导层I设置在波导面5的下部；所述的基底2设置在波导层I的下部；所述的畴结构3设置在基底2的下部；所述的沟槽4设置在基底I正面的中间位置；所述的芯片层6设置在沟槽4底部的上面位置；所述的条形波导7横向设置在波导面5的上面；所述的保护层8设置在芯片层6的上部；所述的抑制层9设置在保护层8的上部位置。优选地，所述的芯片层6包括芯片层芯片61，芯片层光发射器62和芯片层条形波导63，所述的芯片层光发射器62设置在芯片层芯片61的上端；所述的芯片层条形波导63连接设置芯片层光发射器62。优选地，所述的芯片层光发射器62具体采用圆形半径为2微米至5微米的光发射器，有利于提高发射效果，降低能耗，进一步延长使用寿命。优选地，所述的沟槽4具体采用正梯形槽，有利于放置芯片层6，降低维护成本，延长使用寿命。优选地，所述的波导面5具体设置在基底2的正上方位置，进一步提高集成化程度，减小体积，降低维护成本，延长使用寿命。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果:由于本技术的一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导可以广泛应用于光波导技术等领域。同时，本技术的有益效果为:本技术的芯片层、沟槽和波导面的设置，有利于提高发射效果，放置芯片层，进一步提高集成化程度，减小体积，降低维护成本，进而延长使用寿命。 以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，其特征在于，该新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导包括波导层(1)，基底(2)，畴结构(3)，沟槽(4)，波导面(5)，芯片层(6)，条形波导(7)，保护层(8)和抑制层(9)，所述的波导层(I)设置在波导面(5)的下部；所述的基底(2)设置在波导层(I)的下部；所述的畴结构(3)设置在基底的下部；所述的沟槽(4)设置在基底(2)正面的中间位置；所述的芯片层(6)设置在沟槽(4)底部的上面位置；所述的条形波导(7)横向设置在波导面(5)的上面；所述的保护层(8)设置在芯片层￠)的上部；所述的抑制层(9)设置在保护层(8)的上部位置。2.根据权利要求1所述的一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，其特征在于，所述的芯片层(6)包括芯片层芯片(61)，芯片层光发射器(62)和芯片层条形波导(63)，所述的芯片层光发射器(62)设置在芯片层芯片(61)的上端；所述的芯片层条形波导(63)连接设置芯片层光发射器(62)。3.根据权利要求2所述的一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，其特征在于，所述的芯片层光发射器￠2)具体采用圆形半径为2微米至5微米的光发射器。4.根据权利要求1所述的一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，其特征在于，所述的沟槽(4)具体采用正梯形槽，有利于放置芯片层(6)。5.根据权利要求1所述的一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，其特征在于，所述的波导面(5)具体设置在基底的正上方位置。【专本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导，其特征在于，该新型极化钛扩散近化学计量比铌酸锂条形光波导包括波导层(1)，基底(2)，畴结构(3)，沟槽(4)，波导面(5)，芯片层(6)，条形波导(7)，保护层(8)和抑制层(9)，所述的波导层(1)设置在波导面(5)的下部；所述的基底(2)设置在波导层(1)的下部；所述的畴结构(3)设置在基底的下部；所述的沟槽(4)设置在基底(2)正面的中间位置；所述的芯片层(6)设置在沟槽(4)底部的上面位置；所述的条形波导(7)横向设置在波导面(5)的上面；所述的保护层(8)设置在芯片层(6)的上部；所述的抑制层(9)设置在保护层(8)的上部位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜城，
申请(专利权)人：派尼尔科技天津有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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