【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种铁电薄膜材料，特别是一种具有自极化效应的铌镁酸铅-钛 酸铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法。
技术介绍
由于单片集成式铁电薄膜探测器比混成式铁电陶瓷探测器具有更高的探测率和更低的热串音，引起国际上对这种探测器广泛深入的研究。2001年 Raytheon-TI系统公司成功制备了基于锆钛酸铅(PZT)薄膜的单片集成式320 X240焦平面探测器，并实现了室温成像。然而到目前为止，还没有商业化的铁电薄膜焦平面列阵 出现。原因何在？主要是铁电薄膜焦平面列阵器件的均匀性和稳定性问题还没 有得到实质性解决，因此大大降低了器件的可靠性，阻碍了其商业化进程。解 决焦平面均匀性和稳定性问题的一个有效途径就是研制具有自极化效应的铁电 薄膜材料。自极化现象表现为，不经 过任何预极化处理(包括直流和交流电场处理)铁电薄膜就能表现出良好的热 释电特性。基于铁电材料的红外焦平面列阵器件，在实用前一般需要对灵敏元 进行极化处理。但是对于大面积焦平面列阵器件，均匀地极化每一个灵敏元是 及其困难的，同时极化后的灵敏元稳定性也不太好。而具有自极化效应的铁电 薄膜不需要极化处理，均匀性...
【技术保护点】
一种具有自极化效应的铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：§Ａ．前驱体溶液的配制：溶剂为乙二醇甲醚（ＣＨ↓［３］ＯＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］ＯＨ），稳定剂为乙酰丙酮（ＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］ＣＯＣＨ↓［２ ］ＣＨ↓［３］）；溶质为三水合醋酸铅（Ｐｂ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯ）↓［２］.３Ｈ↓［２］Ｏ）、乙醇铌（Ｎｂ（ＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］Ｏ）↓［２］）、醋酸镁（Ｍｇ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯ）↓［２］）、正丁醇钛（Ｔｉ（ＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］ ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］Ｏ），按ｘＰｂＭｇ↓［２／３］Ｎｂ↓［１／３］Ｏ↓［...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：褚君浩，孟祥建，林铁，石富文，孙璟兰，马建华，韩莉，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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