开关控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种开关控制电路，包括：MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和信号输入端；第一电阻分别与MOS管的栅极以及信号输入端连接，第二电阻分别与MOS管的栅极以及第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与信号输入端连接，MOS管的栅极通过第三电阻接地。上述开关控制电路中，MOS管通过第一电阻形成开通通路，以及通过第二电阻和第一二极管形成关断通路，从而缩短了MOS管的开通和关断的过渡时间，减少了MOS管的发热量，延长MOS管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路领域，特别是涉及一种开关控制电路。
技术介绍
开关电源电路是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源。开关电源电路通常包括脉冲宽度调制(PWM)控制IC和作为开关管的MOS管。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源电路技术也在不断地创新。目前，开关电源电路以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。然而，由于MOS管内部的电阻、结电容等因素的影响，MOS管的开通和关断需要一定的过渡时间，使得MOS管的发热量增大，严重影响开关电源的使用寿命。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有开关电源中开关管发热量较大的问题，提供一种缩短开关管的开通和关断的过渡时间以减少开关管发热量的开关控制电路。一种开关控制电路，包括:M0S管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和信号输入端；第一电阻分别与MOS管的栅极以及信号输入端连接，第二电阻分别与MOS管的栅极以及第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与信号输入端连接，MOS管的栅极通过第三电阻接地。在其中一个实施例中，MOS管为N沟道场效应管。在其中一个实施例中，还包括电压输入端、第二二极管、第四电阻和电容；第四电阻和电容并联，并分别与电压输入端以及第二二极管的负极连接，第二二极管的正极与MOS管的漏极连接。上述开关控制电路中，MOS管通过第一电阻形成开通通路，以及通过第二电阻和第一二极管形成关断通路，从而缩短了 MOS管的开通和关断的过渡时间，减少了 MOS管的发热量，延长MOS管的使用寿命。【附图说明】图1为本技术一实施例开关控制电路的电路结构示意图；图2为流过图1中所示MOS管的漏极和源极的电流随信号输入端接收的PWM信号变化曲线图；图3为本技术另一实施例开关控制电路的电路结构示意图。【具体实施方式】如图1所示，其为本技术一实施例开关控制电路10的电路结构示意图。开关控制电路10包括:MOS管110、第一电阻120、第二电阻130、第三电阻140、第一二极管150和信号输入端160。第一电阻120分别与MOS管110的栅极以及信号输入端160连接，第二电阻130分别与MOS管110的栅极以及第一二极管150的正极连接，第一二极管150的负极与信号输入端160连接，MOS管110的栅极通过第三电阻140接地。信号输入端160用于接收PWM信号，以控制MOS管110的开通和关断。本实施例中，MOS管110为N沟道场效应管，在其他实施例中，MOS管110也可以为P沟道场效应管。如图2所示，其为流过MOS管110的漏极和源极的电流iDS随信号输入端160接收的PWM信号变化曲线图。当加载在信号输入端160上的PWM信号电压由低变高，MOS管110由关断状态逐渐转换为开通状态过程中，PWM信号经由第一电阻120到达MOS管110的栅极，相对于现有技术中电流iDS形成的上升沿曲线301，开关控制电路10中MOS管110所形成的上升沿曲线401更加陡峭，从而缩短了 MOS管110的开通时间，第一电阻120用来调节MOS管110内部栅极和源极之间电容的充电速度，以控制MOS管110的开通的过渡时间，避免因MOS管110的开通的过渡时间过长而造成发热量过大，影响MOS管110的使用寿命。当加载在信号输入端160上的PWM信号电压由高变低，MOS管110由开通状态逐渐转换为关断状态过程中，MOS管110内部栅极和源极之间电容存储的电荷通过第二电阻130和第一二极管150进行释放，相对于现有技术中电流iDS形成的下降沿曲线302，开关控制电路10中MOS管110所形成的下降沿曲线402更加陡峭，实现MOS管110的快速关断，第二电阻130用来调节MOS管110中存储的电荷的释放速度，避免因MOS管110的关断的过渡时间过长而造成发热量过大，影响MOS管110的使用寿命。第三电阻140能够形成电荷的有效释放通路，防止积累在MOS管110栅极的电荷击穿MOS管110的栅极和源极。如图3所示，其为本技术另一实施例开关控制电路20的电路结构示意图。开关控制电路20包括:开关控制电路10、第四电阻210、电容220、电压输入端230和第二二极管240。第四电阻210和电容220并联，并分别与电压输入端230以及第二二极管240的负极连接，第二二极管240的正极与MOS管110的漏极连接。电压输入端230用于接收直流电压信号。第二二极管240能够防止加载在电压输入端230的上的尖端脉冲信号损坏MOS管110，另外，第四电阻210和电容220形成对加载在MOS管110漏极的尖端脉冲信号的释放回路。上述开关控制电路10中，MOS管110通过第一电阻120形成开通通路，以及通过第二电阻130和第一二极管150形成关断通路，从而缩短了 MOS管110的开通和关断的过渡时间，减少了 MOS管110的发热量，延长MOS管110的使用寿命。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。【主权项】1.一种开关控制电路，其特征在于，包括:MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和信号输入端； 第一电阻分别与MOS管的栅极以及信号输入端连接，第二电阻分别与MOS管的栅极以及第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与信号输入端连接，MOS管的栅极通过第三电阻接地。2.根据权利要求1的开关控制电路，其特征在于，MOS管为N沟道场效应管。3.根据权利要求1的开关控制电路，其特征在于，还包括电压输入端、第二二极管、第四电阻和电容； 第四电阻和电容并联，并分别与电压输入端以及第二二极管的负极连接，第二二极管的正极与MOS管的漏极连接。【专利摘要】本技术涉及一种开关控制电路，包括：MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和信号输入端；第一电阻分别与MOS管的栅极以及信号输入端连接，第二电阻分别与MOS管的栅极以及第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与信号输入端连接，MOS管的栅极通过第三电阻接地。上述开关控制电路中，MOS管通过第一电阻形成开通通路，以及通过第二电阻和第一二极管形成关断通路，从而缩短了MOS管的开通和关断的过渡时间，减少了MOS管的发热量，延长MOS管的使用寿命。【IPC分类】H02M1-08【公开号】CN204425178【申请号】CN201520087290【专利技术人】盛黎明 【申请人】深圳市新港源技术有限公司【公开日】2015年6月24日【申请日】2015年2月6日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关控制电路，其特征在于，包括：MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和信号输入端；第一电阻分别与MOS管的栅极以及信号输入端连接，第二电阻分别与MOS管的栅极以及第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与信号输入端连接，MOS管的栅极通过第三电阻接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：盛黎明，
申请(专利权)人：深圳市新港源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44