一种轻触式开关控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种轻触式开关控制电路，包括PMOS管Q1、NPN管Q2、Q3和Q4。Q1漏极接电源，源极连接LED并接地，栅极接在Q4的集电极，栅极和漏极之间接电阻；Q2基极连Q3集电极，集电极连电阻接电源，发射极接地；Q3基极通过电容接地，集电极和基极间串联电阻和开关；Q4基极连接电阻并接地，并与Q3基极相连，发射极接地。此电路特点在于利用体积较小的轻触开关即可实现大电流电路控制，以满足功率较大但体积较少的便携照明设备等需求。

【技术实现步骤摘要】
一种轻触式开关控制电路
本专利技术属于开关控制电路领域，尤其涉及一种轻触式开关控制电路。
技术介绍
随着社会的不断发展，人们对便携设备的需求日益增大，同时对产品的一些按键类型也有了一定的要求。通常情况下功率较大的照明产品，所用的控制开关一般为闭合型或截止型开关并且体积及可承受电流一般比轻触开关要大。如何在这一领域应用上轻触式开关，这就对设计提出一个重大的挑战。
技术实现思路
本专利技术针对上述技术问题，提供了一种更实用的电路框架，使得照明产品体积和承受电流更小。为了实现上述目的，本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种轻触式开关控制电路，包括PMOS管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3和NPN管Q4，所述的PMOS管Q1的漏极接在电源，源极串联电阻R8、大功率LED并接地，栅极串联电阻R5并连接在NPN管Q4的集电极，栅极和漏极之间连接电阻R1；所述的NPN管Q2基极串联负载电路并连接在NPN管Q3的集电极、电阻R7和R9，集电极串联电阻R6并接电源，发射极接地；所述的NPN管Q3基极连接电容C1、C3、电阻R4，其中C3接地，集电极和基极之间串联电阻R9和开关SW1；所述的NPN管Q4基极连接电阻R3并接地，连接电阻R10、R4并与Q3的基极相连，发射极接地。进一步地，开关SW1为轻触开关。进一步地，电源正极串联电阻R6、R4、电容C3并接地，电源串联电阻R7、R9、电容C4并接地。进一步地，NPN管Q2基极连接的负载电路是由电阻R2和电容C2并联的电路。进一步地，大功率LED连接电阻R8，阴极接地。进一步地，电阻R9的阻值大于电阻R7。在接入电池后，由于电容C3没充满电，所以Q3截止，Q2由于分压比得到高电压导通，而Q4和Q1截止，大功率LED不会点亮；按下轻触开关SW1后，电容C3充电，Q3导通，Q2截止，从而Q4和Q1导通，大功率LED点亮；再按下轻触开关SW1后，Q3基极电压再次被降低而截止，此时Q2导通，Q4和Q1截止，大功率LED熄灭。本专利技术通过轻触开关SW1控制电容C3的充电，改变Q3基极电压的高低，决定Q3导通或截止，进而影响后续电路中Q1、Q2和Q4的导通或截止，控制大功率LED在接入电池后的点亮与熄灭。说明书附图图1是轻触式开关控制电路的框架图。具体实施方式下面通过具体的实施例来做进一步地表述：PMOS管Q1的漏极接在电源正极，源极串联电阻R8、大功率LED并接地，栅极串联电阻R5并连接在NPN管Q4的集电极，栅极和漏极之间连接电阻R1；NPN管Q2的基极串联由电阻R2和电容C2并联的负载电路，并连接在NPN管Q3的集电极、电阻R7和R9，集电极串联电阻R6并接电源正极，发射极接地；NPN管Q3的基极连接电容C1、C3、电阻R4，其中C3接地，集电极和基极之间串联电阻R9和轻触开关SW1；NPN管Q4的基极连接电阻R3并接地，连接电阻R10、R4并与Q3的基极相连，发射极接地。电源正极串联电阻R6、R4、电容C3并接地，电源正极串联电阻R7、R9、电容C4并接地。电路接入电池后，电池BT1通过R6及R4对电容C3进行充电，同时通过R7及R9对电容C4进行充电；由于Q3基极串联电容C3到地，电容C3没充满电时，Q3的基极电压小于开启电压，从而Q3不导通。电容C4在充电时，R7与R9形成分压比，R9采用220K远大于R7为8.2K的阻值，因此Q2的基极分得高电平而导通，从而使Q3与Q4基极为低电平，Q3与Q4截止，PMOS管Q1栅极为高电平，Q1截止，因而大功率LED在接入电池时不会点亮。当按下轻触开关SW1瞬间，电池通过R7及R9对电容C3进行充电，Q3基极变为高电平而导通，从而把Q2基极电平拉低，Q2截止，Q4基极为高电平而导通，PMOS管Q1栅极变为低电平，PMOS导通，大功率LED点亮。当再次按下轻触开关SW1瞬间，Q3基极电位被电容C4拉低而截止，此时Q2立即导通，从而Q3，Q4，Q1截止，大功率LED熄灭。这样每当按下轻触开关SW1，Q2与Q3的状态都会互换，从而控制LED的点亮与熄灭。以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种轻触式开关控制电路，其特征在于：包括PMOS管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3和NPN管Q4，所述的PMOS管Q1的漏极接在电源，源极串联电阻R8、大功率LED并接地，栅极串联电阻R5并连接在NPN管Q4的集电极，栅极和漏极之间连接电阻R1；所述的NPN管Q2的基极串联负载电路并连接在NPN管Q3的集电极、电阻R7和R9，集电极串联电阻R6并接电源，发射极接地；所述的NPN管Q3的基极连接电容C1、C3、电阻R4，其中C3接地，集电极和基极之间串联电阻R9和开关SW1；所述的NPN管Q4的基极连接电阻R3并接地，连接电阻R10、R4并与Q3的基极相连，发射极接地。

【技术特征摘要】
1.一种轻触式开关控制电路，其特征在于：包括PMOS管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3和NPN管Q4，所述的PMOS管Q1的漏极接在电源，源极串联电阻R8、大功率LED并接地，栅极串联电阻R5并连接在NPN管Q4的集电极，栅极和漏极之间连接电阻R1；所述的NPN管Q2的基极串联负载电路并连接在NPN管Q3的集电极、电阻R7和R9，集电极串联电阻R6并接电源，发射极接地；所述的NPN管Q3的基极连接电容C1、C3、电阻R4，其中C3接地，集电极和基极之间串联电阻R9和开关SW1；所述的NPN管Q4的基极连接电阻R3并接地，连接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：田畴，胡沃康，
申请(专利权)人：广东金莱特电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44