一种自容式触控显示面板及其阵列基板制造技术

技术编号:11593993 阅读:69 留言:0更新日期:2015-06-11 02:32
本发明专利技术公开了一种自容式触控显示面板及其阵列基板,该阵列基板包括:衬底,衬底上设置有栅极线、数据线及公共电极层,栅极线和数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元;像素单元包括:像素薄膜晶体管及像素电极;公共电极层包括多个触控单元;衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管;触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接,两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线,两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。触控单元的走线复用数据线,以便于为触控单元提供公共信号或触控信号,无需单独沉积金属层制作触控单元的走线,简化了制作工艺,降低了制作成本以及面板厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控显示
,更具体的说,涉及一种自容式触控显示面板及其阵列基板
技术介绍
触控显示的发展初始阶段,触控显示面板是由触控面板与显示面板贴合而成,以实现触控显示。需要单独制备触控面板与显示面板,成本高,厚度较大,且生产效率低。随着自容式触控显示技术的发展,可以将显示面板的阵列基板的公共电极兼做自容式触控检测的触控感测电极,通过分时驱动,分时序的进行触控控制与显示控制,可以同时实现触控与显示功能。这样,将触控感测电极直接集成在显示面板内,大大降低了制作成本,提高了生产效率,并降低了面板厚度。当复用公共电极作为触控感测电极时,需要将公共电极层分割为多个公共电极块。同时,为了实现触控与显示的分时控制,需要为每个公共电极块需要通过单独的走线提供电压信号,通过所述走线,在触控时序为对应公共电极块提供触控感测信号,在显示时序为对应公共电极块提供显示驱动电压。现有的自容式触摸显示面板一般需要单独沉积一层金属层,通过该金属层制备触控单元的走线,这样会导致自容式触摸显示面板制作工艺复杂,成本较高,且单独的走线层,增加了面板厚度。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供了一种自容式触控显示面板及其阵列基板,简化了制作工艺、降低了成本以及面板厚度。为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种自容式触控显示面板的阵列基板,该阵列基板包括:衬底,所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线、公共电极层,所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元;所述像素单元包括:像素薄膜晶体管以及像素电极;所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控单元,每个触控单元对应多个像素单元;所述衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管;其中,每个触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接,所述两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线,所述两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。优选的,在上述阵列基板中,多个所述触控单元呈阵列分布。优选的,在上述阵列基板中,在一个像素单元中,至多对应设置一个所述触控驱动薄膜晶体管。优选的,在上述阵列基板中,在每个像素单元内,所述像素薄膜晶体管的栅极连接至相邻的栅极线,其源极连接至相邻的数据线,其漏极连接像素电极;连接同一数据线的所述触控驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管分别设置在所述数据线的两侧或设置在所述数据线的同一侧。优选的,在上述阵列基板中,所述公共电极层位于所述像素电极与所述衬底之间;或,所述像素电极位于所述公共电极层与所述衬底之间。优选的,在上述阵列基板中,所述触控驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管同层O优选的,在上述阵列基板中,同一时刻,与同一栅极线连接的触控驱动薄膜晶体管和像素薄膜晶体管的导通电压不同。优选的,在上述阵列基板中,在同一触控单元中,连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线连续排列;或,在同一触控单元中,连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线间隔排列。优选的,在上述阵列基板中,所述阵列基板包括:红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元;所述触控驱动薄膜晶体管设置在所述阵列基板中对应所述红色像素单元的位置,或设置所述阵列基板中对应所述蓝色像素单元的位置。本专利技术还提供了一种自容式触控显示面板,该自容式触控显示面板包括:相对设置的阵列基板以及彩膜基板;设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质;其中,所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。优选的,在上述自容式触控显示面板中,所述触控显示面板的工作时间包括显示时序段和触控时序段;在触控时序段,打开触控驱动薄膜晶体管,通过所述触控驱动薄膜晶体管为所述触控单元传输触控信号;在显示时序段,多条数据线依次输入显示数据信号,所述显示数据信号通过所述像素薄膜晶体管传输至对应的像素电极;在同一触控单元中,同一时刻,至少一条数据线通过触控驱动晶体管向该触控单元传输公共信号。优选的,在上述自容式触控显示面板中,所述像素薄膜晶体管为NMOS,所述触控驱动薄膜晶体管为PMOS。优选的,在上述自容式触控显示面板中,在触控时序段,打开所述PMOS,通过所述PMOS为所述触控单元传输触控信号;在显示时序段,多条数据线依次输入显示数据信号,所述显示数据信号通过所述NMOS传输至对应的像素电极;在同一触控单元中,同一时刻,至少一条数据线通过PMOS向该触控单元传输公共信号。优选的,在上述自容式触控显示面板中,所述像素薄膜晶体管为PMOS,所述触控驱动薄膜晶体管为NMOS。优选的,在上述自容式触控显示面板中,在触控时序段,打开NMOS,通过所述NMOS为所述触控单元传输触控信号;在显示时序段,多条数据线依次输入显示数据信号,所述显示数据信号通过所述PMOS传输至对应的像素电极;在同一触控单元中,同一时刻,至少一条数据线通过NMOS向该触控单元传输公共信号。优选的,在上述自容式触控显示面板中,在所述显示时序段内:当通过一条连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时,其他连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号;当未有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时,所有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号。通过上述描述可知,本专利技术提供的阵列基板包括:衬底,所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线、公共电极层,所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元;所述像素单元包括:像素薄膜晶体管以及像素电极;所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控单元,每个触控单元对应多个像素单元;所述衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管;其中,每个触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接,所述两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线,所述两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。所述阵列基板的公共电极层分割为多个触控单元,可以进行自容式触控检测。所述触控单元的走线复用阵列基板像素单元的数据线,以便于为触控单元提供公共信号或触控信号,这样无需单独沉积金属层用于制作触控单元的走线,简化了制作工艺,降低了制作成本以及面板厚度。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为一种阵列基板的俯视图;图2为图一中阵列基板的切面图;图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图图4为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图;图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图;图6为本申请实施例提供的一种像素薄膜晶体管与触控当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
一种自容式触控显示面板及其阵列基板

【技术保护点】
一种自容式触控显示面板的阵列基板,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线、公共电极层,所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元;所述像素单元包括:像素薄膜晶体管以及像素电极;所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控单元,每个触控单元对应多个像素单元;所述衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管;其中,每个触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接,所述两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线,所述两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李谷骏孙云刚杨康
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司天马微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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