一种低噪音高频变换器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低噪音高频变换器，其特征在于：由变压器T1，变压器T2，与变压器T1原边相连接的线性驱动电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成；变压器T2的原边与第二转换电路相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极作为电路输入端、负极经电阻R7后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C7等组成。本实用新型专利技术采用线性驱动电路，可以使变换器在高频工况下工作时产生很小的噪音，足一些低噪音要求的场合。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子领域，具体是指一种低噪音高频变换器。
技术介绍
随着电路电子技术的不断发展，变换器已经应用于各行各业中。同时，随着工业发展不断加快，生产设备也在不断更新，以满足人们的生产需求。然而，现有的变换器在高频环境下工作时噪音过大，无法满足一些低噪音要求的场合。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有的变换器在高频环境下工作时噪音过大的缺陷，提供一种低噪音高频率变换器。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种低噪音高频变换器，由变压器Tl，变压器T2，与变压器Tl原边相连接的线性驱动电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成；变压器T2的原边与第二转换电路相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极作为电路输入端、负极经电阻R7后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C7，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端经电阻R9后与三极管VT6的基极相连接的电阻R8，正极与三极管VT4的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C9，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C8，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻Rll，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的电阻R10，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管VT4的集电极相连接、反相端与三极管VT7集电极相连接的非门K，一端与三极管VT7发射极相连接、另一端经电阻R12后与三极管VT6的发射极相连接的电阻R13，P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R12和电阻R13的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极还与三极管TH的基极相连接、其发射极与三极管家VT6的基极相连接，三极管VT6的集电极接地，二极管D2的N极与变压器Tl原边同名端和非同名端相连接。所述的混频电路由双栅极场效应管Q，晶体振荡器X，电阻R1，电阻R3，以及电感LI组成；电阻Rl的一端与双栅极场效应管Q的a栅极相连接、另一端接地，晶体振荡器X的一端与场效应管Q的a栅极相连接、另一端与场效应管Q的漏极相连接，电感LI的一端与场效应管Q的漏极相连接、另一端经电阻R3后回到场效应管Q的漏极；电阻R3和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管Q的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。所述的第一转换电路由三极管VT2，一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管Q的源极相连接的电阻R2，与电阻R2相并联的电容Cl，负极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、正极与三极管VT2的集电极相连接的电容Cl组成；所述三极管VT2的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。所述处理电路由三极管VTl，三极管VT3，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R4，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端同时与三极管VT2的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R5组成；所述三极管VT3的基极与三极管VTl的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管VTl的基极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管Q的漏极以及第二转换电路相连接。所述的第二转换电路包括电容C6，电容C5，电容C4，电容C3，电阻R6 ;电容C6的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管VTl的集电极相连接，电容C5的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C4的正极与三极管VT3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C3的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极则经电阻R6后与电容C4的负极相连接；电容C3的负极还与外部电压相连接，所述变压器Tl副边同名端接地，变压器T2副边的同名端接地、非同名端作为信号输出端。所述的驱动芯片U为LM387集成芯片。本技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本技术能够大大提高变换器的工作频率，使其能够满足现在新型设备的工作需求。(2)本技术采用双栅极场效应管的设计，使变换器工作更加稳定。(3)本技术采用线性驱动电路，可以使变换器在高频工况下工作时产生很小的噪音，足一些低噪音要求的场合。【附图说明】图1为本技术的整体电路图。图2为本技术线性驱动电路的整体电路图。【具体实施方式】下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本技术的低噪音高频变换器，由变压器Tl，变压器T2，与变压器Tl原边相连接的线性驱动电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成；变压器T2的原边与第二转换电路相连接。如图2所示，所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管TH,正极作为电路输入端、负极经电阻R7后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C7，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端经电阻R9后与三极管VT6的基极相连接的电阻R8，正极与三极管VT4的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C9，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C8，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R11，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的电阻R10，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管Dl，正相端与三极管VT4的集电极相连接、反相端与三极管VT7集电极相连接的非门K，一端与三极管VT7发射极相连接、另一端经电阻R12后与三极管VT6的发射极相连接的电阻R13，P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R12和电阻R13的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极还与三极管VT7的基极相连接、其发射极与三极管家VT6的基极相连接，三极管VT6的集电极接地，二极管D2的N极与变压器Tl原边同名端和非同名端相连接。线性驱动电路，可以使变换器在高频工况下工作时产生很小的噪音，足一些低噪音要求的场合。为了保证实施效果，所述的驱动芯片U优选为LM387集成芯片，其灵敏度高、并且价格便宜。当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低噪音高频变换器，其特征在于：由变压器T1，变压器T2，与变压器T1原边相连接的线性驱动电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成；变压器T2的原边与第二转换电路相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极作为电路输入端、负极经电阻R7后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C7，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端经电阻R9后与三极管VT6的基极相连接的电阻R8，正极与三极管VT4的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C9，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C8，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R11，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的电阻R10，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管VT4的集电极相连接、反相端与三极管VT7集电极相连接的非门K，一端与三极管VT7发射极相连接、另一端经电阻R12后与三极管VT6的发射极相连接的电阻R13，P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R12和电阻R13的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极还与三极管VT7的基极相连接、其发射极与三极管家VT6的基极相连接，三极管VT6的集电极接地，二极管D2的N极与变压器T1原边同名端和非同名端相连接。所述驱动芯片U为LM387集成芯片。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈洋，
申请(专利权)人：成都紫晶蓝创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51