6000nm长波通红外滤光敏感元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种6000nm长波通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型专利技术所得到的一种6000nm长波通红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件5％Cut on=6000±300nm，7500～13500nm，Tavg≥70%，400～5500nm，Tavg≤0.1%，T≤3.0%。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及红外滤光敏感元件领域，尤其是一种6000nm长波通红外滤光敏感元件。
技术介绍
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光敏感元件，通过红外滤光敏感元件可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。但是，目前的红外滤光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的6000nm长波通红外滤光敏感元件。为了达到上述目的，本技术所设计的一种6000nm长波通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有237nm厚度的Ge层、171nm厚度的ZnS层、119nm厚度的Ge层、107nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、186nm厚度的ZnS层、Illnm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、78nm厚度的Ge层、254nm厚度的ZnS层、147nm厚度的Ge层、249nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、169nm厚度的ZnS层、121nm厚度的Ge层、176nm厚度的ZnS层、213nm厚度的Ge层、228nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、285nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、350nm厚度的ZnS层、107nm厚度的Ge层、418nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、273nm厚度的ZnS层、240nm厚度的Ge层、158nm厚度的ZnS层、252nm厚度的Ge层、118nm厚度的ZnS层、294nm厚度的Ge层、1136nm厚度的ZnS层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有207nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、248nm厚度的Ge层、372nm厚度的ZnS层、215nm厚度的Ge层、383nm厚度的ZnS层、226nm厚度的Ge层、400nm厚度的ZnS层、212nm厚度的Ge层、445nm厚度的ZnS层、207nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层、21 Inm厚度的Ge层、336nm厚度的ZnS层、255nm厚度的Ge层、502nm厚度的ZnS层、222nm厚度的Ge层、785nm厚度的ZnS层、202nm厚度的Ge层、575nm厚度的ZnS层、402nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、377nm厚度的Ge层、684nm厚度的ZnS层、16Inm厚度的Ge层、890nm厚度的ZnS层、293nm厚度的Ge层、408nm厚度的ZnS层、354nm厚度的Ge层、1250nm厚度的ZnS层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在1nm左右。本技术所得到的一种6000nm长波通红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件 5% Cut on=6000±300nm，7500 ?13500nm，Tavg ^ 70%，400 ?5500nm，Tavg 0.1%，T 彡 3.0%。【附图说明】图1是实施例整体结构示意图。图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。【具体实施方式】下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1。如图1、图2所示，本实施例描述的一种6000nm长波通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板2，以Ge、ZnS为第一镀膜层I和以Ge、ZnS为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层I与第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有237nm厚度的Ge层、171nm厚度的ZnS层、119nm厚度的Ge层、107nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、186nm厚度的ZnS层、Illnm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、78nm厚度的Ge层、254nm厚度的ZnS层、147nm厚度的Ge层、249nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、169nm厚度的ZnS层、121nm厚度的Ge层、176nm厚度的ZnS层、213nm厚度的Ge层、228nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、285nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、350nm厚度的ZnS层、107nm厚度的Ge层、418nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、273nm厚度的ZnS层、240nm厚度的Ge层、158nm厚度的ZnS层、252nm厚度的Ge层、118nm厚度的ZnS层、294nm厚度的Ge层、1136nm厚度的ZnS层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有207nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、248nm厚度的Ge层、372nm厚度的ZnS层、215nm厚度的Ge层、383nm厚度的ZnS层、226nm厚度的Ge层、400nm厚度的ZnS层、212nm厚度的Ge层、445nm厚度的ZnS层、207nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层、21 Inm厚度的Ge层、336nm厚度的ZnS层、255nm厚度的Ge层、502nm厚度的ZnS层、222nm厚度的Ge层、785nm厚度的ZnS层、202nm厚度的Ge层、575nm厚度的ZnS层、402nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、377nm厚度的Ge层、684nm厚度的ZnS层、16Inm厚度的Ge层、890nm厚度的ZnS层、293nm厚度的Ge层、408nm厚度的ZnS层、354nm厚度的Ge层、1250nm厚度的ZnS层。【主权项】1.一种6000nm长波通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板(2)，以Ge、ZnS为第一镀膜层(I)和以Ge、ZnS为第二镀膜层(3 )，且所述基板(2 )设于第一镀膜层(I)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(I)由内向外依次排列包含有237nm厚度的Ge层、171nm厚度的ZnS层、119nm厚度的Ge层、107nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、186nm厚度的ZnS层、Illnm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、78nm厚度的Ge层、254nm厚度的ZnS层、147nm厚度的Ge层、249nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、169nm厚度的ZnS层、121nm厚度的Ge层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种6000nm长波通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板（2），以Ge、ZnS为第一镀膜层（1）和以Ge、ZnS为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有237nm厚度的Ge层、171nm厚度的ZnS层、119nm厚度的Ge层、107nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、186nm厚度的ZnS层、111nm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、205nm厚度的ZnS层、78nm厚度的Ge层、254nm厚度的ZnS层、147nm厚度的Ge层、249nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、169nm厚度的ZnS层、121nm厚度的Ge层、176nm厚度的ZnS层、213nm厚度的Ge层、228nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、285nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、350nm厚度的ZnS层、107nm厚度的Ge层、418nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、273nm厚度的ZnS层、240nm厚度的Ge层、158nm厚度的ZnS层、252nm厚度的Ge层、118nm厚度的ZnS层、294nm厚度的Ge层、1136nm厚度的ZnS层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有207nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、248nm厚度的Ge层、372nm厚度的ZnS层、215nm厚度的Ge层、383nm厚度的ZnS层、226nm厚度的Ge层、400nm厚度的ZnS层、212nm厚度的Ge层、445nm厚度的ZnS层、207nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层、211nm厚度的Ge层、336nm厚度的ZnS层、255nm厚度的Ge层、502nm厚度的ZnS层、222nm厚度的Ge层、785nm厚度的ZnS层、202nm厚度的Ge层、575nm厚度的ZnS层、402nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、377nm厚度的Ge层、684nm厚度的ZnS层、161nm厚度的Ge层、890nm厚度的ZnS层、293nm厚度的Ge层、408nm厚度的ZnS层、354nm厚度的Ge层、1250nm厚度的ZnS层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王继平，吕晶，余初旺，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33