一种台阶阵列阴极真空微电子压力传感器制造技术

技术编号:11505590 阅读:64 留言:0更新日期:2015-05-27 06:32
本发明专利技术公开了一种台阶阵列阴极真空微电子压力传感器,所述的传感器由阳极压力敏感膜、具有台阶的阴极、绝缘层和真空腔构成。传统的真空微电子压力传感器虽具有灵敏度高、温度稳定性好和抗辐射等优点,但由于传感器的阴极发射尖锥是分布在同一平面上,因而灵敏度的提高和量程的扩展都受到了限制。本发明专利技术的台阶阵列阴极真空微电子压力传感器,其特点是阴极有一个台阶,发射尖锥分布在台阶上下,有效地提高了传感器的灵敏度和量程。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种台阶阵列阴极真空微电子压力传感器,其特征在于:包括阳极压力敏感膜(1);尖锥阵列阴极(2);在阳极压力敏感膜(1)与尖锥阵列阴极(2)之间的真空腔(3);阳极压力敏感膜(1)与尖锥阵列阴极(2)封接处的绝缘层(4),阴极呈台阶状。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:鞠洪建
申请(专利权)人:大连康赛谱科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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