本实用新型专利技术公开了一种单模块熔断电感线圈检具，该单模块熔断电感线圈检具是在限高块上开设各能够与熔断电感线圈尺寸匹配的凹槽，利用该凹槽的长度、深度、高度、弧度和倾斜度来判断熔断电感线圈的熔断脚高度、电感脚倾斜角度、电感脚长度、线圈外径和线圈总长是否符合固定要求，该检具结构简单，可一体成型，可直观快速的一次性检验目标产品的所有尺寸，大幅度缩短了检验时间，减少了人为测量带来的误差和无操作。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种工件检具，尤其涉及一种单模块熔断电感线圈检具。
技术介绍
熔断电感线圈通常由金属丝绕制而成，线圈的两端分别伸展开形成电感脚和熔断脚。由于熔断电感线圈的要求较高，在其生产过程的控制中，需要对线圈尺寸进行极为严格的管控，如线圈的总长、线圈外径、熔断脚高度、电感脚脚长和高度等尺寸，均会对最终成品熔断电感线圈的性能有着至关重要的影响。目前现有技术中在进行熔断电感线圈的尺寸检验时，通常为人工采用普通量具进行检验，其采用的量具仪器众多且测量不够精准，此外此种测量方法会耗费大量人力工时，使用的普通检具尺寸不好掌握且制作困难，针对同一类型的熔断电感线圈在检测尺寸时不能做到快速高效的一目了然，因此太多的无附加值作业造成较大的成本浪费。
技术实现思路
为了克服上述技术缺陷，本技术提供了一种单模块熔断电感线圈检具，该检具能够快速高效一目了然的检验出熔断电感线圈尺寸是否符合标准。本技术为了解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种单模块熔断电感线圈检具，包括一限高块，该限高块上表面向下凹进形成有一供放置熔断电感线圈的容置槽，该容置槽内壁呈与待测熔断电感线圈外径匹配的弧形，该弧形的直径恰允许待测熔断电感线圈放置其中，且该容置槽的长度恰与待测熔断电感线圈的长度一致；所述限高块上表面紧邻容置槽处向下凹进形成一恰能搁置熔断脚的测高凹槽，该测高凹槽在限高块上的高度与熔断脚在待测熔断电感线圈上的高度一致；所述限高块上紧邻容置槽处开设有一恰能搁置待测熔断电感线圈电感脚的斜向凹槽，该斜向凹槽的长度与待测熔断电感线圈电感脚的长度一致，且该斜向凹槽的一侧内壁呈倾斜状构成倾斜内壁，该倾斜内壁的倾斜角度与电感脚倾斜角度一致。其进一步的技术方案是:所述测高凹槽的底部和容置槽最低点水平延长线之间的垂直距离恰与熔断脚底面和待测熔断电感线圈外径最低点切线之间的垂直距离一致。所述测高凹槽呈长条状开设于限高块的上表面，该测高凹槽与容置槽连通，且测高凹槽的长度方向与容置槽轴线方向垂直。所述测高凹槽呈长条状开设于容置槽开口处的一侧边上，该测高凹槽与容置槽连通，且测高凹槽的长度方向与容置槽轴线方向平行。所述测高凹槽靠近容置槽一侧形成有一挡条。所述限高块上表面上位于容置槽上端固设有一定位凸块，所述斜向凹槽开设于该定位凸块上表面，且斜向凹槽底部和容置槽底部之间的垂直距离恰与电感脚底面和待测熔断电感线圈外径最低点切线之间的垂直距离一致。所述斜向凹槽的横断面呈“u”型，且该“u”型斜向凹槽一侧内壁的倾斜角度与电感脚倾斜角度一致。所述限高块上表面位于容置槽两端处形成与容置槽底部弧度一致的引导凹槽，该引导凹槽的一侧内壁向上延伸构成斜向凹槽的倾斜内壁，该倾斜内壁的倾斜角度与电感脚倾斜角度一致，且该斜向凹槽的垂直距离与电感脚的高度一致。本技术的有益技术效果为:该单模块熔断电感线圈检具是在限高块上开设各能够与熔断电感线圈尺寸匹配的凹槽，利用该凹槽的长度、深度、高度、弧度和倾斜度来判断熔断电感线圈的熔断脚高度、电感脚倾斜角度、电感脚长度、线圈外径和线圈总长是否符合固定要求，该检具结构简单，可一体成型，可直观快速的一次性检验目标产品的所有尺寸，大幅度缩短了检验时间，减少了人为测量带来的误差和无操作。【附图说明】图1为本技术具体实施例1的正视图；图2为本技术具体实施例1的俯视图；图3为本技术具体实施例1的左视图；图4为本技术具体实施例2的立体结构示意图；图5为图4的正视图；图6为图4的俯视图；图7为图4的右视图；其中:1-限高块；2-容置槽；3-测高凹槽； 4-斜向凹槽；5-倾斜内壁； 6-挡条；7-定位凸块； 8-引导凹槽。【具体实施方式】结合图1至图7及具体实施例1和2对本技术做进一步的详细说明。具体实施例1结合图1至图3对本技术做进一步的详细说明。一种单模块熔断电感线圈检具，包括一限高块1，该限高块I上表面向下凹进形成有一供放置熔断电感线圈的容置槽2，该容置槽内壁呈与待测熔断电感线圈外径匹配的弧形，该弧形的直径恰允许待测熔断电感线圈放置其中，且该容置槽的长度恰与待测熔断电感线圈的长度一致，利用该容置槽的弧度是否能够与待测熔断电感线圈的外径完美贴合，来检验电感线圈的外径是否达到标准，同时观察待测熔断电感线圈长度是否与容置槽长度一致，若一致则为达到标准。所述限高块I上表面紧邻容置槽2处向下凹进形成一恰能搁置熔断脚的测高凹槽3，该测高凹槽在限高块上的高度与熔断脚在待测熔断电感线圈上的高度一致。测高凹槽3的底部和容置槽2最低点水平延长线之间的垂直距离恰与熔断脚底面和待测熔断电感线圈外径最低点切线之间的垂直距离一致。如图1至3所示，测高凹槽3呈长条状开设于限高块I的上表面，测高凹槽3与容置槽2连通，且测高凹槽的长度方向与容置槽轴线方向垂直。当将待测熔断电感线圈放置在容置槽2上时，使熔断脚搭设在测高凹槽3上，若熔断脚恰能够该测高凹槽3完美贴合，则表面熔断脚高度达到标准。所述限高块I上紧邻容置槽2处开设有一恰能搁置待测熔断电感线圈电感脚的斜向凹槽4，该斜向凹槽的长度与待测熔断电感线圈电感脚的长度一致，且该斜向凹槽的一侧内壁呈倾斜状构成倾斜内壁5，该倾斜内壁的倾斜角度与电感脚倾斜角度一致，且该斜向凹槽的垂直距离与电感脚的高度一致。其具体结构是:所述限高块I上表面上位于容置槽上端固设有一定位凸块7，所述斜向凹槽4开设于该定位凸块上表面，且斜向凹槽底部和容置槽底部之间的垂直距离恰与电感脚底面和待测熔断电感线圈外径最低点切线之间的当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单模块熔断电感线圈检具，其特征在于：包括一限高块(1)，该限高块(1)上表面向下凹进形成有一供放置熔断电感线圈的容置槽(2)，该容置槽内壁呈与待测熔断电感线圈外径匹配的弧形，该弧形的直径恰允许待测熔断电感线圈放置其中，且该容置槽的长度恰与待测熔断电感线圈的长度一致；所述限高块(1)上表面紧邻容置槽(2)处向下凹进形成一恰能搁置熔断脚的测高凹槽(3)，该测高凹槽在限高块上的高度与熔断脚在待测熔断电感线圈上的高度一致；所述限高块(1)上紧邻容置槽(2)处开设有一恰能搁置待测熔断电感线圈电感脚的斜向凹槽(4)，该斜向凹槽的长度与待测熔断电感线圈电感脚的长度一致，且该斜向凹槽的一侧内壁呈倾斜状构成倾斜内壁(5)，该倾斜内壁的倾斜角度与电感脚倾斜角度一致。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘昊，张芳顺，
申请(专利权)人：昆山埃维奥电机有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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