【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，其特征在于：在内存初始化阶段，在运行MRC时，系统读取内存信息的内存电压值后，通过CPU内部的PCU单元，经过SVID总线向相应的VR地址，发送SVID命令“SetVID Fast XX”，实现对应VR的输出电压调整。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孔财，罗嗣恒，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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