一种FINFET结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)、鳍片(200)和伪栅叠层(500)；b.对所述半导体结构进行离子注入，形成源漏扩展区(202)；c.对所述半导体结构进行离子注入，形成扩散阻挡区(203)，所述扩散阻挡区(203)的浓度峰值所处的位置与源漏扩展区(202)吻合，即在源漏深度方向的误差不超过5nm；d.在伪栅叠层(500)两侧形成侧墙(505)；e.在侧墙两侧的衬底中形成源漏区并进行退火，形成层间介质层(450)；f.去除伪栅叠层(500)形成伪栅空位，在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(600)。根据本发明专利技术提供抑制源漏掺杂区扩散不均的方法，有效地改善了器件性能，而不增加工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)、鳍片(200)和伪栅叠层(500)；b.对所述半导体结构进行离子注入，形成源漏扩展区(202)；c.对所述半导体结构进行离子注入，形成扩散阻挡区(203)，所述扩散阻挡区(203)的浓度峰值所处的位置与源漏扩展区(202)一致；d.在伪栅叠层(500)两侧形成侧墙(505)；e.在侧墙两侧的衬底中形成源漏区并进行退火，形成层间介质层(450)；f.去除伪栅叠层(500)形成伪栅空位，在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(600)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，刘云飞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11