一种过压保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种过压保护电路，包括取样电路、控制驱动电路、PWM控制芯片U2和反馈光藕U3，取样电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1和基准源芯片U1，控制驱动电路包括电阻R4、电阻R5、三极管Q1、三极管Q2、二极管D1和二极管D2；取样电路采用基准源芯片U1内部电压作为参考比较电压，其精度高、稳定性好，受环境温度影响小；电容C1起到抗干扰滤波作用，能消除干扰信号对取样电路的影响；二极管D1用于瞬间关断PWM控制芯片U2反馈输入端的控制输出；二极管D2用于瞬间拉低释放PWM控制芯片U2启动端的电容C3储存的电荷，使得电路保护后正常工作时，必须重新将电容C3的电荷充满，PWM控制芯片U2启动端才能启动工作，使整个电路起到慢启动的作用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种过压保护电路，其特征在于，包括取样电路、控制驱动电路、PWM控制芯片U2和反馈光藕U3，取样电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和基准源芯片U1，取样电路采用基准源芯片U1内部电压作为参考比较电压；控制驱动电路包括电阻R4、电阻R5、三极管Q1、三极管Q2和二极管D1；所述电阻R1和电阻R2串联在DC电源正极与DC电源负极之间，基准源芯片U1的控制极同时连接电阻R1和电阻R2，基准源芯片U1的A极、电阻R5和三极管Q2发射极同时连接DC电源负极并接地，基准源芯片U1的K极同时连接三极管Q1基极和电阻R3，电阻R3的另一端连接电源VCC，电源VCC还与电阻R4、电容C2以及PWM控制芯片U2的Vcc端连接，电阻R4另一端连接三极管Q1发射极，电容C2另一端接地，三极管Q1的集电极同时连接电阻R5另一端和三极管Q2基极，三极管Q2的集电极连接二极管D1负极，二极管D1正极同时连接PWM控制芯片U2的反馈端和反馈光藕U3的1脚，二极管D1用于瞬间关断PWM控制芯片U2反馈输入端的控制输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李平昌，李明，
申请(专利权)人：合肥吉源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34