本实用新型专利技术适用于通讯领域,提供了金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述结构包括:谐振腔、盖板,置于所述谐振腔的介质谐振器、金属谐振器、台阶、金属片,所述台阶包括高位台阶和低位台阶,所述介质谐振器固定于所述低位台阶远离所述高位台阶的一侧,所述金属谐振器固定于所述高位台阶远离所述低位台阶的一侧,所述金属片的一端与所述低位台阶面固定,另一端为自由端,所述自由端位于所述介质谐振器的底面下端。本实用新型专利技术通过介质谐振器底面正对的金属片将介质谐振器发出的垂直传播的电磁波变为沿金属片传播,通过金属片和台阶与金属谐振器的水平传播的电磁波耦合,金属片和台阶的结构相对简单,不易发生形变,便于量产。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术属于通讯领域,尤其涉及金属谐振器与介质谐振器的耦合结构。
技术介绍
滤波器作为一种频率选择装置被广泛应用于通信领域,尤其是射频通信领域,在基站中,为了获得较高抑制和较低的损耗,一般采用介质谐振器,或金属谐振器与介质谐振器混合来实现,由于介质谐振器不是天然存在的,且加工工艺比较复杂,导致其价格远大于金属谐振器,为了节约成本,一般采用金属谐振器与介质谐振器进行组合。现有金属谐振器与介质谐振器的耦合结构为:在金属谐振器的底部安装有金属线,所述金属线穿过耦合窗口,沿介质谐振器折成一定弧度角的弧线,并与介质谐振腔的底部相连。现有金属谐振器与介质谐振器的耦合结构缺点是:金属线形状复杂,制作不易,且容易发生变形,不利于量产。
技术实现思路
本技术提供的金属谐振器与介质谐振器的耦合结构,旨在解决现有金属谐振器与介质谐振器的耦合结的金属线形状复杂,制作不易,且容易发生变形,不利于量产的问题。本技术是这样实现的,金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述结构包括:谐振腔、盖板,置于所述谐振腔的介质谐振器、金属谐振器、台阶、金属片,所述台阶包括高位台阶和低位台阶,所述介质谐振器固定在所述低位台阶远离所述高位台阶的一侧,所述金属谐振器固定于所述高位台阶远离所述低位台阶的一侧,所述金属片的一端与所述低位台阶面固定,另一端为自由端,所述自由端位于所述介质谐振器的底面下端。进一步的,所述金属片沿所述介质谐振器的外表面方向弯曲。进一步的,所述金属片的表面镀银或镀铜。进一步的,所述台阶与所述金属谐振腔一体成型。进一步的,所述高位台阶高度与所述金属谐振器高度的比值为1:2?1:3。进一步的,所述金属片与所述固定台阶可拆卸连接。进一步的,所述金属谐振器和所述介质谐振器垂直固定于所述谐振腔的底面。进一步的,所述介质谐振器为陶瓷介质谐振器。进一步的,所述盖板上设置有金属调节杆,所述金属调节杆位于所述台阶顶部。本技术提供的金属谐振器和介质谐振器耦合结构,通过介质谐振器底面正对的金属片将介质谐振器发出的垂直传播的电磁波变为沿金属片传播,通过金属片和台阶与金属谐振器的水平传播的电磁波耦合,金属片和台阶的结构相对简单,不易发生形变,便于量产。【附图说明】图1是本技术提供的新型实施例的金属谐振器和介质谐振器耦合结构的示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。参阅图1,本技术实施例的金属谐振器3和介质谐振器2耦合结构包括:谐振腔I及盖板(图中未示出)、置于所述谐振腔I内的介质谐振器2、金属谐振器3、台阶4、及金属片5,所述台阶4包括高位台阶和低位台阶,所述介质谐振器2固定于所述低位台阶远离所述高位台阶的一侧,所述金属谐振器3固定于高位台阶远离所述低位台阶的一侧,所述金属片5的一端与所述低位台阶面固定,另一端为自由端,所述自由端位于介质谐振器2的底面下端。介质谐振器2发出的垂直传播的电磁波通过所述金属片5将传播方向变为沿金属片5传播,金属谐振器3发出的水平传播的电磁波通过台阶4与金属片5与上述介质谐振器2发出的电磁波親合。优选地,所述金属片5沿介质谐振器2的外表面方向弯曲,能增大与介质谐振器2底面相对的金属片5表面积的调节范围,来调节介质谐振器2和金属谐振器3的耦合量。优选的,所述金属片5的表面镀银或镀铜,来调节金属片5的导电性。优选的,所述台阶4与所述谐振腔I 一体成型,该一体成型的结构可以简化安装过程,有利于量产。优选地,所述高位台阶高度:所述金属谐振器3高度为1:2?1:3,所述高位台阶的高度在上述高度范围增大时,介质谐振器2和金属谐振器3的耦合量随高位台阶的高度的增大有比较明显的增大。优选地,所述金属片5与所述低位台阶可拆卸连接,所述金属片5与低位台阶通过螺丝、螺栓可拆卸连接,可以根据需要更换不同长度的金属片5,介质谐振器2底面正对的金属片5的长度越长,所述介质谐振器2和金属谐振器3的耦合量越大。优选的,所述介质谐振器2和金属谐振器3垂直固定于所述谐振腔I的底面,简化了滤波器的设计结构,同时便于安装。优选的,所示介质谐振器2为陶瓷介质谐振器,由于陶瓷介质谐振器具有高介电常数、尚稳定相及低耗损等特点,可以大幅度提尚滤波器的电性能指标。优选的,所述盖板上设置有金属调节杆,所述金属调节杆位于台阶4顶部,在实际若发现耦合系数不能满足要求,还可以通过调节金属杆的尺寸和金属杆在谐振腔I内的长度来调节介质谐振器2和金属谐振器3的耦合量。本技术提供的金属谐振器3和介质谐振器2耦合结构,通过介质谐振器2底面正对的金属片5将介质谐振器2发出的垂直传播的电磁波变为沿金属片5传播,通过金属片4和台阶4与金属谐振器3的水平传播的电磁波耦合,金属片5和台阶4的结构相对简单,不易发生形变,便于量产。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.金属谐振器与介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述结构包括谐振腔、盖板,置于所述谐振腔的介质谐振器、金属谐振器、台阶及金属片,所述台阶包括高位台阶和低位台阶,所述介质谐振器固定于所述低位台阶远离所述高位台阶的一侧,所述金属谐振器固定于所述高位台阶远离所述低位台阶的一侧,所述金属片的一端与所述低位台阶面固定,另一端为自由端,所述自由端位于所述介质谐振器的底面下端。2.如权利要求1所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述金属片沿所述介质谐振器的外表面方向弯曲。3.如权利要求1或2所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述金属片的表面镀银或镀铜。4.如权利要求1所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述台阶与所述谐振腔一体成型。5.如权利要求1所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述高位台阶高度与所述金属谐振器高度的比值为1:2?1:3。6.如权利要求1所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述金属片与所述固定台阶可拆卸连接。7.如权利要求1所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述金属谐振器和所述介质谐振器垂直固定于所述谐振腔底面。8.如权利要求1或6所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述介质谐振器为陶瓷介质谐振器。9.如权利要求1所述的金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述盖板上设置有金属调节杆,所述金属调节杆位于所述台阶顶部。【专利摘要】本技术适用于通讯领域,提供了金属谐振器和介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述结构包括:谐振腔、盖板,置于所述谐振腔的介质谐振器、金属谐振器、台阶、金属片,所述台阶包括高位台阶和低位台阶,所述介质谐振器固定于所述低位台阶远离所述高位台阶的一侧,所述金属谐振器固定于所述高位台阶远离所述低位台阶的一侧,所述金属片的一端与所述低位台阶面固定,另一端为自由端,所述自由端位于所述介质谐振器的底面下端。本技术通过介质谐振器底面正对本文档来自技高网...
【技术保护点】
金属谐振器与介质谐振器的耦合结构,其特征在于,所述结构包括谐振腔、盖板,置于所述谐振腔的介质谐振器、金属谐振器、台阶及金属片,所述台阶包括高位台阶和低位台阶,所述介质谐振器固定于所述低位台阶远离所述高位台阶的一侧,所述金属谐振器固定于所述高位台阶远离所述低位台阶的一侧,所述金属片的一端与所述低位台阶面固定,另一端为自由端,所述自由端位于所述介质谐振器的底面下端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张中玉,李辉,熊家平,
申请(专利权)人:宁波华瓷通信技术有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。