本发明专利技术公开了用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术，涉及电容器技术领域，具体涉及薄膜电容器替代Y2安规认证电容器技术。包括两条引线、电容器芯子和本体构成的电容器，电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质，电容器芯子的电极上焊接引线并盒式封装构成电容器。本发明专利技术解决了现有解决Y2认证的陶瓷电容容量小，精度较低，机械强度较低的问题。本发明专利技术电容器可以做为Y2安规认证电容器。本发明专利技术具有高频损耗小，耐电流能力强、损耗小、安全环保、容量高精度、体积小、抗机械强度搞、性价比高等优点。本发明专利技术能够在高压、高频率大电流的场合下应用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术，涉及电容器
，具体涉及薄膜电容器替代Y2安规认证电容器技术。包括两条引线、电容器芯子和本体构成的电容器，电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质，电容器芯子的电极上焊接引线并盒式封装构成电容器。本专利技术解决了现有解决Y2认证的陶瓷电容容量小，精度较低，机械强度较低的问题。本专利技术电容器可以做为Y2安规认证电容器。本专利技术具有高频损耗小，耐电流能力强、损耗小、安全环保、容量高精度、体积小、抗机械强度搞、性价比高等优点。本专利技术能够在高压、高频率大电流的场合下应用。【专利说明】用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术
本专利技术涉及电容器
，具体涉及薄膜电容器替代Y2安规认证电容器技术。
技术介绍
传统在市场上使用Y2认证的安规电容器一般是陶瓷电容。陶瓷电容器是将钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。 电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而变化。属超稳定、低损耗的电容器介质材料。常用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的场合。典型作用可以消除高频干扰。 由于电容器的介质材料为陶瓷，所以耐热性能良好，不容易老；能耐酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好；价格便宜，原材料丰富，适宜大批量生产。 但是由于由于材料的介点常数小，比容小，体积大，介质是将陶瓷钛酸钡一氧化钛烧制，很难做面积较大的片料。电极的有效面积受限。无法做大容量的产品。由于电极是用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成，在烧制过程中电极面积会有变化，容量的偏差较大。容量高精度的产品比较难生产。 作Y2认证的陶瓷电容器容量小，精度较低，机械强度较低。
技术实现思路
本专利技术提供一种用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术，本专利技术解决了现有解决Y2认证的陶瓷电容容量小，精度较低，机械强度较低的问题。 为解决上述问题，本专利技术采用如下技术方案:用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术，包括两条引线、电容器芯子和本体构成的电容器，电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质，电容器芯子的电极上焊接引线并盒式封装构成电容器。 本专利技术电容器可以做为Y2安规认证电容器。本专利技术具有高频损耗小，耐电流能力强、损耗小、安全环保、容量高精度、体积小、抗机械强度搞、性价比高等优点。本专利技术能够在高压、高频率大电流的场合下应用。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术结构示意图；图2是图1的左视图；图3是电容器芯子的示意图。 图中符号说明:1、介质；2、电极；W、电容器本体宽；H、电容器本体高度；T、电容器本体厚度；p、引线间距离；d、引线直径；a、中留边；b、双留边。 【具体实施方式】 下面用最佳的实施例对本专利技术做详细的说明。 如图1-3所示，用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术，包括两条引线、电容器芯子和本体构成的电容器，电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质，电容器芯子的电极上焊接引线并盒式封装构成电容器。 两层介质平行设置，上一层介质下面有金属镀层形成的电极，该电极两侧与上层介质边沿之间的双留边量为0.5-1毫米；下层介质下面有两条金属镀层形成的电极，两条电极之间的中留边量为1.5-2.5毫米。 金属化薄膜电容即是在聚酯薄膜的表面蒸镀一层金属膜代替金属箔做为电极，因为金属化膜层的厚度远小于金属箔的厚度，因此卷绕后体积也比金属箔式电容体积小很多。金属化膜电容的最大优点是“自愈”特性。所谓自愈特性就是假如薄膜介质由于在某点存在缺陷以及在过电压作用下出现击穿短路，而击穿点的金属化层可在电弧作用下瞬间熔化蒸发而形成一个很小的无金属区，使电容的两个极片重新相互绝缘而仍能继续工作，因此极大提高了电容器工作的可靠性。 本专利技术金属化薄膜内串高温电容器，该种电容器高频损耗小，自身升温小，比容较大、耐热能力强，介质性能稳定，还须具有较强的防潮能力及抗温度冲击能力。又能长期在100°C°C工作环境下正常工作。该种电容器体积小、容量高精度、体积小、抗机械强度搞、性价比高，也能够在高压、高频率大电流的场合下应用。 本专利技术电容器可靠性好，体积小，内部温升小，高频特性好,损耗小，绝缘电阻高，耐高温、高频、能承受大电流冲击。可以满足照明高温环境使用，小型化、高可靠、长寿命、高击穿电压电容器要求。 最后应说明的是:显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本专利技术的保护范围之中。【权利要求】1.用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术，其特征在于，包括两条引线、电容器芯子和本体构成的电容器，其特征是:电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质，电容器芯子的电极上焊接引线并盒式封装构成电容器。2.如权利要求1所述用薄膜电容器作为Υ2安规认证电容器技术，其特征在于，两层介质平行设置，上一层介质下面有金属镀层形成的电极，该电极两侧与上层介质边沿之间的双留边量为0.5-1毫米；下层介质下面有两条金属镀层形成的电极，两条电极之间的中留边量为1.5-2.5毫米。【文档编号】H01G4/33GK104517731SQ201310453484【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日 【专利技术者】谢志懋, 王占东 申请人:佛山市南海区欣源电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
用薄膜电容器作为Y2安规认证电容器技术，其特征在于，包括两条引线、电容器芯子和本体构成的电容器，其特征是：电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质，电容器芯子的电极上焊接引线并盒式封装构成电容器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢志懋，王占东，
申请(专利权)人：佛山市南海区欣源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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