一种选择性发射极晶硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在硅片正面形成绒面；在硅片绒面上进行臭氧氧化，形成二氧化硅层；印刷含氟的腐蚀浆料，放置1-10分钟后，清洗、吹干，除去腐蚀浆料印刷区域的二氧化硅；在所述硅片正面进行磷扩散，在腐蚀浆料印刷区域形成重掺杂区域，在非腐蚀浆料印刷区域形成轻掺杂区域；去除磷硅玻璃和周边PN结；在硅片正面形成氮化硅减反膜；在硅片背面印刷背电极和铝背场；在腐蚀浆料印刷区域印刷正电极浆料；烧结。采用本发明专利技术，可使硅片表面的磷掺杂浓度呈选择性分布，防止磷浆挥发物对硅片的影响，提高硅片的外观质量，提升电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括以下步骤：在硅片正面形成绒面；在硅片绒面上进行臭氧氧化，形成二氧化硅层；印刷含氟的腐蚀浆料，放置1-10分钟后，清洗、吹干，除去腐蚀浆料印刷区域的二氧化硅；在所述硅片正面进行磷扩散，在腐蚀浆料印刷区域形成重掺杂区域，在非腐蚀浆料印刷区域形成轻掺杂区域；去除磷硅玻璃和周边PN结；在硅片正面形成氮化硅减反膜；在硅片背面印刷背电极和铝背场；在腐蚀浆料印刷区域印刷正电极浆料；烧结。采用本专利技术，可使硅片表面的磷掺杂浓度呈选择性分布，防止磷浆挥发物对硅片的影响，提高硅片的外观质量，提升电池的光电转换效率。【专利说明】
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及。
技术介绍
太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junct1n)上，形成新的空穴-电子对(V_Epair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，故又称太阳能电池或光伏电池，是太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成绒面；（2）在硅片绒面上进行臭氧氧化，形成二氧化硅层；（3）按栅线网版图案将含氟的腐蚀浆料印刷在所述二氧化硅层上，放置1‑10分钟后，清洗、吹干，除去腐蚀浆料印刷区域的二氧化硅；（4）在所述硅片正面进行磷扩散，温度控制在810‑900℃，在所述腐蚀浆料印刷区域形成重掺杂区域，在非腐蚀浆料印刷区域形成轻掺杂区域；（5）去除所述磷扩散在所述硅片正面形成的磷硅玻璃和周边PN结；（6）在所述硅片正面采用PECVD镀膜，形成氮化硅减反膜；（7）在硅片背面印刷背电极和铝背场；（8）在硅片正面的所述腐蚀浆料印刷区域印刷正...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，秦崇德，石强，黄玉平，何达能，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44