在各向异性导电膜中，其目的在于，导电性粒子的分散性、粒子捕捉性优异，即使在窄间距化的端子彼此也维持导通可靠性。在含有导电性粒子（3）的各向异性导电膜（1）的制造方法中，在形成有同方向连续的多个槽（10）的片（2）的槽（10），埋入导电性粒子（3），将导电性粒子（3）排列，在槽（10）形成侧的片（2）表面，层压在可延伸的基底膜（6）上形成有热硬化性树脂层（5）的第1树脂膜（4），使导电性粒子（3）转附，将第1树脂膜（4）沿除与导电性粒子（3）的排列方向正交的方向之外的方向1轴延伸，将第2树脂膜（7）层压。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】各向异性导电膜的制造方法、各向异性导电膜及连接构造体
本专利技术涉及各向异性导电膜的制造方法、各向异性导电膜及连接构造体，特别涉及导电性粒子的分散性、粒子捕捉性优异的、即使在窄间距化的端子彼此也能够维持导通可靠性的各向异性导电膜的制造方法、各向异性导电膜及连接构造体。本申请以在日本于2012年8月1日申请的日本专利申请号码日本特愿2012－171331、及在日本于2013年8月1日申请的日本专利申请号码日本特愿2013－160116、日本特愿2013－160117、日本特愿2013－160118为基础而要求优先权，通过参照这些申请而被本申请引用。
技术介绍
各向异性导电膜（ACF：anisotropicconductivefilm）是将导电性粒子分散在用作粘接剂的绝缘性的粘合剂树脂中而成。通常的各向异性导电膜，由于分散有导电性粒子的粘合剂树脂组合物涂敷于基底膜上而形成为片状。在各向异性导电膜的使用时，例如将其夹入电子部件的凸点与布线板的电极端子之间，通过加热按压头来加热及加压从而导电性粒子被压碎于凸点和电极端子，通过在该状态下粘合剂树脂硬化来谋求电、机械的连接。在没有凸点的部分，导电性粒子维持分散于粘合剂树脂中的状态，电绝缘的状态得以保持，因此成为仅存在凸点的部分可谋求电导通。另外，各向异性导电膜的厚度设定为电子部件的凸点或布线板的电极的高度以上，由于加热按压头的按压，剩余的粘接剂成分流延于电极周边。各向异性导电膜中，导电性粒子的配合量，相对于粘接剂成分的体积多为5～15体积%。这是因为，若导电性粒子的配合量不到5体积%，则存在于凸点－电极端子间的导电性粒子的量（一般称此为“粒子捕捉率”。）变少，存在导通可靠性下降的可能性，相反若配合量超过15体积%，则在邻接的电极端子间导电性粒子以连绵的状态存在，存在成为短路的原因的可能性。然而，在分散有导电性粒子的各向异性导电膜中，与使导电性粒子的配合量最佳化相应，压接时大部分的导电性粒子流失，存在大量无助于导通的导电性粒子。另外，由于流失的导电性粒子在邻接的电极端子间形成导电性粒子的粒子积存，存在短路的危险。这样，电极端子间的间距越窄小化则危险性越高，产生不能与高密度安装化等充分对应的问题。由于这样的状況，尝试了不是将各向异性导电膜中的导电性粒子随机分散，而是均匀分散于粘合剂树脂层中（例如参照专利文献1、专利文献2）。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2005/054388专利文献2：日本特开2010－251337号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题专利文献1记载了各向异性导电膜的制造方法，该方法在可2轴延伸的膜上设置粘着层而形成层叠体，密集填充导电性粒子后，使该导电性粒子附着膜以导电性粒子的间隔为平均粒径的1～5倍且20μm以下的方式2轴延伸并保持，转附于绝缘性粘接片。另外，专利文献2记载了导电性粒子与连接对象物的图案相应地偏置的各向异性导电膜。然而，专利文献1记载的专利技术中，存在2轴延伸前的工序中难以使导电性粒子密集填充，容易出现未填充粒子的稀疏的部分的缺点。若在其状态下进行2轴延伸则出现不存在导电性粒子的大的空间，电子部件的凸点与布线板的电极端子之间的粒子捕捉性下降，有引起导通不良的担忧。另外，难以以2轴精度良好地均匀延伸。专利文献2记载的专利技术中，导电性粒子预先与电极图案相应地偏置，因此在将各向异性导电膜贴附于连接对象物时需要对准操作，有在与窄间距化的电极端子的连接中工序变繁杂的担忧。另外，必须与连接对象物的电极图案相应地改变导电性粒子的偏置图案，不适于量产化。因此，本专利技术目的在于，提供导电性粒子的分散性、粒子捕捉性优异的、即使在窄间距化的端子彼此也能维持导通可靠性的各向异性导电膜的制造方法、各向异性导电膜及连接构造体。用于解决课题的方案为了解决上述的课题，本专利技术的一方式在含有导电性粒子的各向异性导电膜的制造方法中，在形成有同方向连续的多个槽的片的上述槽中埋入导电性粒子，并排列上述导电性粒子，在上述槽形成侧的上述片表面，层压在可延伸的基底膜上形成光或热硬化性的树脂层的第1树脂膜的上述树脂层，使上述导电性粒子转附于上述第1树脂膜的上述树脂层，将上述导电性粒子转附于上述树脂层的上述第1树脂膜沿除与上述导电性粒子的排列方向正交的方向之外的方向1轴延伸，进而在配置有上述导电性粒子的上述第1树脂膜的上述树脂层，层压在基底膜上形成有光或热硬化性的树脂层的第2树脂膜。另外，本专利技术的其他方式是由至少2层构成形成的各向异性导电性膜，其特征在于，具备构成一层的第1树脂层、层压于上述第1树脂层的第2树脂层、以及与上述第1树脂层和上述第2树脂层之中至少上述第1树脂层相接的多个导电性粒子，上述导电性粒子，在上述第1树脂层中沿第1方向规则地排列而形成的粒子列沿与上述第1方向不同的第2方向规则地多个并列而设置，上述第1树脂层，比上述第2方向上的上述导电性粒子之间的部位更薄地形成上述第1方向上的上述导电性粒子之间的部位。进而，本专利技术的其他方式是将上述各向异性导电性膜用于电子部件的连接的连接构造体。专利技术的效果依据本专利技术的一方式，预先与片的槽图案相应地排列导电性粒子，因此通过使将其转附的第1树脂膜1轴延伸，从而能够将导电性粒子均匀地分散。因此，使各向异性导电膜含有的导电性粒子均匀分散于膜整个面所需要的最小限度的量足以，不需要过多地含有。另外，各向异性导电膜没有引起由于剩余的导电性粒子造成的端子间短路的担忧。另外，对于各向异性导电膜，由于导电性粒子均匀分散，因而即使在窄间距化的电极端子也能够谋求可靠地导通。另外，依据本专利技术的其他方式，对应窄间距化的各向异性导电膜中，能够可靠地进行均匀分散的导电性粒子的位置控制，因此能够可靠地谋求窄间距化的端子彼此的导通。进而，依据本专利技术的其他方式，能够确保连接构造体的基板与电子部件的良好的连接性，提高长期的连接可靠性。附图说明图1A及1B是示出将导电性粒子填充于片的槽而排列的一个例子的侧面图。图2A至2D是示出应用了本专利技术的各向异性导电膜的制造工序的截面图。图3A至3D是示出片的各种槽图案的立体图。图4A至4J是示出片的各种槽形状的截面图。图5是示出第1树脂膜的延伸工序的平面图。图6是示出第1树脂膜的延伸工序的平面图。图7是本专利技术的第1实施方式所涉及的各向异性导电膜的部分立体图。图8A是图7的P－P截面图，图8B是图7的Q－Q截面图。图9是示出本专利技术的第1实施方式所涉及的各向异性导电膜的导电性粒子的排列状态的平面图。图10是示出应用了本专利技术的第1实施方式所涉及的各向异性导电膜的连接构造体的结构的概略截面图。图11A及11B是本专利技术的第2实施方式所涉及的各向异性导电膜的制造方法中使用的引导体的概略结构图。图12是示出本专利技术的第2实施方式所涉及的各向异性导电膜的制造方法中使用的片的概略结构的截面图。图13是说明将导电性粒子埋入本专利技术的第2实施方式所涉及的各向异性导电膜的制造方法中的片的槽而排列的动作的截面图。图14是示出通过本专利技术的第2实施方式所涉及的各向异性导电膜的制造方法所制造的各向异性导电膜的导电性粒子的排列状态的平面图。图15A至15C是示出本专利技术的第3实施方式所涉及的各向异性导电膜的制造方法中所应用的导电性粒子的填充工序的截面图。图16是示出本本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种各向异性导电膜的制造方法，在含有导电性粒子的各向异性导电膜的制造方法中，在形成有同方向连续的多个槽的片的所述槽，埋入导电性粒子，并排列所述导电性粒子，在所述槽形成侧的所述片表面，层压在可延伸的基底膜上形成有光或热硬化性的树脂层的第1树脂膜的所述树脂层，使所述导电性粒子转附于所述第1树脂膜的所述树脂层，将所述导电性粒子转附于所述树脂层的所述第1树脂膜沿除与所述导电性粒子的排列方向正交的方向之外的方向1轴延伸，进而在配置有所述导电性粒子的所述第1树脂膜的所述树脂层，层压在基底膜上形成有光或热硬化性的树脂层的第2树脂膜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.01 JP 2012-171331;2013.08.01 JP 2013-160111.一种各向异性导电膜的制造方法，在含有导电性粒子的各向异性导电膜的制造方法中，在形成有同方向连续的多个槽的片的所述槽，埋入导电性粒子，并排列所述导电性粒子，在所述槽形成侧的所述片表面，层压在可延伸的基底膜上形成有光或热硬化性的树脂层的第1树脂膜的所述树脂层，使所述导电性粒子转附于所述第1树脂膜的所述树脂层，将所述导电性粒子转附于所述树脂层的所述第1树脂膜沿除与所述导电性粒子的排列方向正交的方向之外的方向1轴延伸，进而在配置有所述导电性粒子的所述第1树脂膜的所述树脂层，层压在基底膜上形成有光或热硬化性的树脂层的第2树脂膜。2.如权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，其中，所述第1及第2树脂膜的所述树脂层包含环氧树脂或丙烯树脂。3.如权利要求1或2所述的各向异性导电膜的制造方法，其中，所述槽的宽度是所述导电性粒子的粒径的1倍以上且小于2.5倍，所述槽的深度是所述导电性粒子的粒径的0.5～2倍。4.如权利要求1或2所述的各向异性导电膜的制造方法，其中，所述槽的宽度是所述导电性粒子的粒径的1倍以上且小于2倍，所述槽的深度是所述导电性粒子的粒径的0.5～1.5倍。5.如权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，其中，在将所述第1树脂膜沿除与所述导电性粒子的排列方向正交的方向之外的方向1轴延伸时，将所述第1树脂膜1轴延伸为其原来的长度的1.5倍以上。6.如权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，其中，在将所述导电性粒子埋入所述槽而排列时，使用所述槽的深度比所述导电性粒子的直径更小地形成的片和在与所述导电性粒子的接触面以既定间隔设有能够诱导至所述槽的多个突起部的引导体，在使用所述引导体时，使所述突起部的前端部抵接于所述片中的所述槽之间所具有的间隙部，一边使所述引导体沿...
【专利技术属性】
技术研发人员：石松朋之，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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