一种NAND flash的访问方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种NAND flash的访问方法和装置。所述方法包括：描所述NAND flash中的坏块，并记录所述NAND flash中坏块的地址；接收对所述NAND flash的操作，将所述操作所访问的所述NAND flash中数据存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配；若记录的坏块的地址中包含所述操作所访问的存储块的地址，则返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。本发明专利技术可以避免NAND flash使用中出现坏块标志被擦掉，造成写操作的混乱和不稳定的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种NAND flash的访问方法和装置。所述方法包括：描所述NAND flash中的坏块，并记录所述NAND flash中坏块的地址；接收对所述NAND flash的操作，将所述操作所访问的所述NAND flash中数据存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配；若记录的坏块的地址中包含所述操作所访问的存储块的地址，则返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。本专利技术可以避免NAND flash使用中出现坏块标志被擦掉，造成写操作的混乱和不稳定的问题。【专利说明】—种NAND flash的访问方法和装置
本专利技术涉及存储
，特别是涉及一种NAND flash的访问方法和装置。
技术介绍
根据实现的技术架构的不同，闪存芯片可以分为NOR flash,NAND flash和DINORflash等几种类型。相比于其他几种类型的闪存，NAND flash能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，因此，它是实现大容量数据存储器的理想数据存储介质。 由于制造工艺和成本原因，任何厂家的NAND flash在出厂时就含有坏块(即无效块,invalid block),因此,NAND flash在出厂时需要对坏块进行标记,标记方法有多种,例如，将坏块第一个页(page)的空闲区域(spare area)的第6个byte标记为不等于Oxff的值，又如，将整页的值都标记为O。 当用户访问NAND flash,对一个块做写操作之前,通过判断块的第6个byte是否为Oxff，如果是就证明不是坏块，可以对块进行先擦除再写入数据，反之，若是坏块就不能执行写操作。由此可见，NAND flash在使用上存在着风险，传统设计中的坏块标志在做擦写操作时都可以改变的，万一误操作，将坏块标志擦掉，坏块标志将不复存在，写入的信息可能丢失，造成写操作的混乱和不稳定。
技术实现思路
本专利技术提供一种NAND flash的访问方法和一种NAND flash的访问装置，以避免NAND flash使用中出现坏块标志被擦掉，造成写操作的混乱和不稳定的问题。 本专利技术提供了一种NAND flash的访问方法，包括: 扫描所述NAND flash中的坏块，并记录所述NAND flash中坏块的地址； 接收对所述NAND flash的操作，将所述操作所访问的所述NAND flash中数据存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配； 若记录的坏块的地址中包含所述操作所访问的存储块的地址，则返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。 优选地,所述扫描所述NAND flash中的坏块的步骤包括: 扫描所述NAND flash中所包含的各个数据存储块，找出第一个页的空闲区域的第6个比特标记为预设值的数据存储块作为坏块。 优选地,所述记录所述NAND flash中坏块的地址的步骤包括: 将所述NAND flash中坏块的地址保存到预置的坏块地址表中； 将所述坏块地址表固化到所述NAND flash的存储阵列中。 优选地，所述方法还包括: 在所述NAND flash的存储阵列中读取所述坏块地址表，并存放在所述NAND flash的寄存器中； 所述将所述操作所访问所述NAND flash的存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配的步骤包括: 读取保存在所述NAND flash的寄存器中的坏块地址表； 将所述操作所访问的所述NAND flash的存储块的地址与所述坏块地址表中坏块的地址进行匹配。 优选地，所述返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息的步骤包括: 若所述操作为写操作，则不执行所述写操作，并返回写操作失败的标志作为表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息； 若所述操作为读操作，则不执行所述写操作，将所述NAND flash缓存中的值修改为预设值，读取并返回所述缓存中的预设值作为表示所述操作所访问的存储块为坏块的信肩、O 优选地,所述预设值为不等于Oxff的值。 本专利技术还提供了一种NAND flash的访问装置，包括: 坏块扫描模块，用于扫描所述NAND flash中的坏块； 地址记录模块，用于记录所述NAND flash中坏块的地址； 操作接收模块，用于接收对所述NAND flash的操作； 地址匹配模块，用于将所述操作所访问的所述NAND flash中数据存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配； 信息返回模块，用于若记录的坏块的地址中包含所述操作所访问的存储块的地址，则返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。 优选地，所述坏块扫描模块包括: 坏块查找子模块，用于扫描所述NAND flash中所包含的各个数据存储块，找出第一个页的空闲区域的第6个比特标记为预设值的数据存储块作为坏块。 优选地，所述地址记录模块包括: 地址保存子模块，用于将所述NAND flash中坏块的地址保存到预置的坏块地址表中； 地址固化子模块，用于将所述坏块地址表固化到所述NAND flash的存储阵列中。 优选地，所述装置还包括: 地址表存放模块，用于在所述NAND flash的存储阵列中读取所述坏块地址表，并存放在所述NAND flash的寄存器中； 所述地址匹配模块包括: 地址表读取子模块，用于读取保存在所述NAND flash的寄存器中的坏块地址表； 地址表匹配子模块，用于将所述操作所访问的所述NAND flash的存储块的地址与所述坏块地址表中坏块的地址进行匹配。 优选地，所述信息返回模块包括: 写操作信息返回子模块，用于若所述操作为写操作，则不执行所述写操作，并返回写操作失败的标志作为表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息； 读操作信息返回子模块，用于若所述操作为读操作，则不执行所述写操作，将所述NAND flash缓存中的值修改为预设值，读取并返回所述缓存中的预设值作为表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。 优选地，所述预设值为不等于Oxff的值。 与现有技术相比，本专利技术包括以下优点: 依据本专利技术实施例，预先记录NAND flash中坏块的地址，在对NAND flash进行操作时，通过将操作的地址与记录的坏块的地址进行匹配确定为针对坏块的操作后，返回坏块的提示，从而可以避免现有技术中对访问的块进行判断，可能存在误操作将坏块标志擦掉，造成写操作的混乱和不稳定的问题，并且可以不启动内部读写电路，节省了功耗，又减少了 NAND flash内部busy的时间。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术实施例一所述的一种NAND flash的访问方法的流程图； 图2是本专利技术实施例二所述的一种NAND flash的访问方法的流程图； 图3是本专利技术实施例一所述的一种NAND flash的访问装置的结构框图； 图4是本专利技术实施例二所述的一种NAND flash的访问装置的结构框图； 图5是本专利技术实施例中对NAND flash进行扫描的流程图； 图6是本专利技术实施例中对NAND flash进行读操作的流程图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND flash的访问方法，其特征在于，包括：扫描所述NAND flash中的坏块，并记录所述NAND flash中坏块的地址；接收对所述NAND flash的操作，将所述操作所访问的所述NAND flash中数据存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配；若记录的坏块的地址中包含所述操作所访问的存储块的地址，则返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，刘会娟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11