背光监控装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种背光监控装置，包括激光器、探测器、电源、单片机、四个晶体管和两个取样电阻；四个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，两个取样电阻分别为第一取样电阻和第二取样电阻；所述激光器连接至第一晶体管，第一晶体管连接至第二晶体管，第二晶体管连接至第一取样电阻，第一取样电阻连接至所述单片机；所述探测器连接至第三晶体管，第三晶体管连接至第四晶体管，第四晶体管连接至第二取样电阻，第二取样电阻连接至所述单片机；第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管均连接至所述电源。所述背光监控装置通过上述结构可实现对光器件背光电流进行监控，并且监控精度高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种背光监控装置，属于光通信领域。
技术介绍
现在，光通信业务发展迅速，光模块在其中起到的作用也越来越重要。在实际应用中，光模块发射和接收光功率的大小对于系统能否正常运行起到了至关重要的作用，因此，越来越多的系统上需要光模块具有数字诊断监控功能，以便能有效的对光模块发射和接收光功率进行监控，在系统出现故障时，可以提高解决问题的效率。为了实现对光模块发射和接收功率进行监控，首先需要对光器件背光电流进行监控，以便检测光模块实际发射和接收功率，而目前的光器件上设置的背光监控元件的精度较低，导致其监控误差较大。因此有必要设计一种背光监控装置，以克服上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种监控精度较高的背光监控装置。本技术是这样实现的：本技术提供一种背光监控装置，包括激光器、探测器、电源、单片机、四个晶体管和两个取样电阻；四个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，两个取样电阻分别为第一取样电阻和第二取样电阻；所述激光器连接至第一晶体管，第一晶体管连接至第二晶体管，第二晶体管连接至第一取样电阻，第一取样电阻连接至所述单片机；所述探测器连接至第三晶体管，第三晶体管连接至第四晶体管，第四晶体管连接至第二取样电阻，第二取样电阻连接至所述单片机；其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管均连接至所述电源。进一步地，所述第一晶体管和所述第二晶体管相同。进一步地，所述第三晶体管和所述第四晶体管相同。进一步地，所述激光器至所述第一晶体管之间的电流与所述第二晶体管至所述第一取样电阻之间的电流相同。进一步地，所述探测器至所述第三晶体管之间的电流与所述第四晶体管至所述第二取样电阻之间的电流相同。本技术具有以下有益效果：所述第一晶体管采集到激光器的背光电流以后，通过第一取样电阻转换，输出给单片机，从而实现对发射光功率的监控；而探测器接收到光功率之后，通过第三晶体管和第四晶体管将电流通过所述第二取样电阻输出给单片机，实现对接收光功率的监控。所述背光监控装置通过上述结构可实现对光器件背光电流进行监控，并且监控精度高。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例提供的背光监控装置的原理框图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。如图1，本技术实施例提供一种背光监控装置，包括激光器、探测器、电源、单片机、四个晶体管和两个取样电阻。定义四个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，两个取样电阻分别为第一取样电阻和第二取样电阻。如图1，所述激光器连接至第一晶体管，第一晶体管连接至第二晶体管，第二晶体管连接至第一取样电阻，第一取样电阻连接至所述单片机。所述探测器连接至第三晶体管，第三晶体管连接至第四晶体管，第四晶体管连接至第二取样电阻，第二取样电阻连接至所述单片机；其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管均连接至所述电源。如图1，在本较佳实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管相同；所述激光器至所述第一晶体管之间的电流与所述第二晶体管至所述第一取样电阻之间的电流相同。所述第三晶体管和所述第四晶体管相同；所述探测器至所述第三晶体管之间的电流与所述第四晶体管至所述第二取样电阻之间的电流相同。如图1，所述电源给四个晶体管供电，激光器正常发光时会有一定的背光电流流过，即A处电流值为I1，由于第一晶体管和第二晶体管的工作指标和电气性能均相同，所以在B处流经二者的电流是相同的，那么C处的电流I2=I1，电流I2经过第一取样电阻处理后输出给单片机，单片机实现对发射器件发光功率实时监控。同样的，当探测器件接收到一定功率的光时，会有电流流经D处，该电流为I3，在E处第三晶体管和第四晶体管的电流相同，所以F处电流I4=I3，电流I4经过第二取样电阻处理后输出给单片机，单片机实现对接收光功率实时监控。另外，本技术涉及的各个光模块不局限于封装形式和传输速率。本技术实现对光模块发射和接收光功率监控，装置简单，监控精度高，成本较低，应用方便，并且不局限于封装形式和传输速率，经过验证，本技术高精度的背光监控装置满足应用要求，受环境影响小，对光功率监控精度可以控制在±0.3dB以内。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背光监控装置，其特征在于，包括激光器、探测器、电源、单片机、四个晶体管和两个取样电阻；四个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，两个取样电阻分别为第一取样电阻和第二取样电阻；所述激光器连接至第一晶体管，第一晶体管连接至第二晶体管，第二晶体管连接至第一取样电阻，第一取样电阻连接至所述单片机；所述探测器连接至第三晶体管，第三晶体管连接至第四晶体管，第四晶体管连接至第二取样电阻，第二取样电阻连接至所述单片机；其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管均连接至所述电源。

【技术特征摘要】
1.一种背光监控装置，其特征在于，包括激光器、探测器、电源、单片机、四个晶体管和两个取样电阻；
四个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，两个取样电阻分别为第一取样电阻和第二取样电阻；
所述激光器连接至第一晶体管，第一晶体管连接至第二晶体管，第二晶体管连接至第一取样电阻，第一取样电阻连接至所述单片机；
所述探测器连接至第三晶体管，第三晶体管连接至第四晶体管，第四晶体管连接至第二取样电阻，第二取样电阻连接至所述单片机；
其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆磊，李岩，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42