小电流发生装置及包括该装置的无功补偿装置调试系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种小电流发生装置及包括该装置的无功补偿装置调试系统，该系统包括控制器、N个级联的小电流发生装置以及与小电流发生装置相配合的电平转换电路、驱动芯片。本发明专利技术通过小电流发生装置替代大功率换流器，避免了调试时大功率换流器频繁在导通、截止及短路状态之间的切换，降低了大功率换流器故障的概率，减少了有功损耗，节约了调试成本。

【技术实现步骤摘要】
小电流发生装置及包括该装置的无功补偿装置调试系统
本专利技术涉及无功补偿领域，尤其涉及一种小电流发生装置及包括该装置的无功补偿装置调试系统。
技术介绍
动态无功补偿发生装置即静止同步补偿器，又名静止无功发生器。由于其开关器件为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，所以其动态补偿效果是早期的同步调相机、电容器和无功补偿装置不能比拟的，无功补偿装置以其较低谐波，较高的效率，较快速的动态响应，成为现代柔性交流输电系统中的重要设备。动态无功补偿发生装置以电压型逆变器为核心，直流侧采用直流电容为储能元件以提供电压支撑，在运行时相当于一个电压、相位和幅值均可调的三相交流电源。但是，在无功补偿装置调试过程中，需要使大功率换流器频繁在导通、截止及短路状态之间切换，造成大量有功损耗，而且一旦调试出现故障造成器件损坏，成本损失较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种小电流发生装置及包括该装置的无功补偿装置调试系统，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。 为达此目的，本专利技术采用以下技术方案: 一种小电流发生装置，其包括MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3、M0S管Q4及直流电容Cl ;所述MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4的栅极均连接驱动芯片，所述MOS管Ql的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接待调试的动态无功补偿发生装置，所述MOS管Q2的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接与其级联的相同结构的小电流发生装置，所述MOS管Ql的漏极与MOS管Q2的漏极、直流电容Cl的一端连接，所述MOS管Q3的源极与MOS管Q2的源极、直流电容Cl的另一端连接。 本专利技术还公开了一种包括上述小电流发生装置的无功补偿装置调试系统，其包括控制器、N个级联的小电流发生装置以及与小电流发生装置相配合的电平转换电路、驱动芯片；所述小电流发生装置电连接待测试的动态无功补偿发生装置，所述驱动芯片与小电流发生装置电性连接，所述电平转换电路与驱动芯片电性连接，所述电平转换电路与控制器电性连接；调试时，所述控制器输出的PWM信号经电平转换电路处理后输出给驱动芯片，驱动芯片驱动小电流发生装置中相应的MOS管动作。 本专利技术提出的小电流发生装置及包括该装置的无功补偿装置调试系统通过小电流发生装置替代大功率换流器，避免了调试时大功率换流器频繁在导通、截止及短路状态之间的切换，降低了大功率换流器故障的概率，减少了有功损耗，节约了调试成本。 【附图说明】 图1为本专利技术实施例提供的小电流发生装置电路结构图； 图2为本专利技术实施例提供的无功补偿装置调试系统结构图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。 请参照图1所示，图1为本专利技术实施例提供的小电流发生装置电路结构图。 本实施例中小电流发生装置具体包括MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4及直流电容Cl。所述MOS管Q1、M0S管Q2、M0S管Q3及MOS管Q4的栅极均连接驱动芯片，所述MOS管Ql的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接待调试的动态无功补偿发生装置，所述MOS管Q2的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接与其级联的相同结构的小电流发生装置，所述MOS管Ql的漏极与MOS管Q2的漏极、直流电容Cl的一端连接，所述MOS管Q3的源极与MOS管Q2的源极、直流电容Cl的另一端连接。需要说明的是，如图1中所示，所述与其级联的相同结构的小电流发生装置由MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7、MOS管Q8及直流电容C2构成，具体连接关系同上，在此不再赘述。MOS管即指金属一氧化物-半导体-场效应晶体管。 如图2所示，图2为本专利技术实施例提供的无功补偿装置调试系统结构图。 本实施例中包括上述小电流发生装置102的无功补偿装置调试系统具体包括控制器101、N个级联的小电流发生装置102以及与小电流发生装置102相配合的电平转换电路103、驱动芯片104 ;所述小电流发生装置102电连接待测试的动态无功补偿发生装置，所述驱动芯片104与小电流发生装置102电性连接，所述电平转换电路103与驱动芯片104电性连接，所述电平转换电路103与控制器101电性连接；调试时，所述控制器101输出的PWM信号经电平转换电路103处理后输出给驱动芯片104，驱动芯片104驱动小电流发生装置102中相应的MOS管动作。其中，N为正整数，具体大小可依据实际情况灵活调整。 本专利技术的技术方案通过小电流发生装置替代大功率换流器，避免了调试时大功率换流器频繁在导通、截止及短路状态之间的切换，降低了大功率换流器故障的概率，减少了有功损耗，节约了调试成本。 注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小电流发生装置，其特征在于，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4；所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4的栅极均连接驱动芯片，所述MOS管Q1的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接待调试的动态无功补偿发生装置，所述MOS管Q2的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接与其级联的相同结构的小电流发生装置，所述MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极、直流电容C1的一端连接，所述MOS管Q3的源极与MOS管Q2的源极、直流电容C1的另一端连接。

【技术特征摘要】
1.一种小电流发生装置，其特征在于，包括MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4 ;所述MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4的栅极均连接驱动芯片，所述MOS管Q1的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接待调试的动态无功补偿发生装置，所述MOS管Q2的源极与MOS管Q3的漏极连接后的结点连接与其级联的相同结构的小电流发生装置，所述MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极、直流电容C1的一端连接，所述MOS管Q3的源极与MOS管Q2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷霄飞，许锡海，王国华，
申请(专利权)人：无锡市锡容电力电器有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32