一种蓝光LED灯保护系统技术方案

技术编号:11209680 阅读:84 留言:0更新日期:2015-03-26 19:05
本发明专利技术公开了一种蓝光LED灯保护系统,其特征在于,主要由栅极驱动电路,逻辑控制电路,与逻辑控制电路相连接的功率放大器P1和功率放大器P2,与逻辑控制电路相连接的脉冲比较器U1和脉冲比较器U2,栅极均与栅极驱动电路相连接的场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3及场效应管MOS4等组成。本发明专利技术不仅具有短路保护、过压保护及开路保护的功能,而且其功耗较低,仅为传统保护电路功耗的1/3。同时,本发明专利技术设有开关电流源,因此能确保保护电路自身的用电需求,能有效的避免外部电磁干扰,提高控制的灵敏度和精度。

【技术实现步骤摘要】
一种蓝光LED灯保护系统
本专利技术涉及一种LED保护电路,具体是指一种蓝光LED灯保护系统。
技术介绍
目前,由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点,其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯,其需要由专用的驱动电路来进行驱动,因此市面上便出现了各式各样的用于防止驱动系统免受内部或外部不利因素干扰的保护系统。 虽然这些保护系统大多都具备短路保护功能和过热保护功能,但这些保护系统的结构往往都比较复杂,其维修难度较大。同时,这些保护系统的能耗较高,能有效避免LED灯驱动电路自身电路影响的力度较差,不能有效的整个驱动电路进行保护。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前LED灯保护系统所存在的结构复杂、能耗较高,以及全面保护力度较差的缺陷,提供一种全新的蓝光LED灯保护系统。 本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种蓝光LED灯保护系统,主要由栅极驱动电路,逻辑控制电路,与逻辑控制电路相连接的功率放大器Pl和功率放大器P2,与逻辑控制电路相连接的脉冲比较器Ul和脉冲比较器U2,栅极均与栅极驱动电路相连接的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝光LED灯保护系统,其特征在于,主要由栅极驱动电路,逻辑控制电路,与逻辑控制电路相连接的功率放大器P1和功率放大器P2,与逻辑控制电路相连接的脉冲比较器U1和脉冲比较器U2,栅极均与栅极驱动电路相连接的场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3及场效应管MOS4,以及串接在脉冲比较器U1的负极输入端和脉冲比较器U2的负极输入端之间的振荡器组成;所述场效应管MOS1的源极与脉冲比较器U1的正极输入端相连接,其漏极则与场效应管MOS2的源极相连接;场效应管MOS3的源极与脉冲比较器U2的正极输入端相连接,其漏极则与场效应管MOS4的源极相连接;所述场效应管MOS2的栅极还与功率放大...

【技术特征摘要】
1.一种蓝光LED灯保护系统,其特征在于,主要由栅极驱动电路,逻辑控制电路,与逻辑控制电路相连接的功率放大器Pl和功率放大器P2,与逻辑控制电路相连接的脉冲比较器Ul和脉冲比较器U2,栅极均与栅极驱动电路相连接的场效应管MOSl、场效应管M0S2、场效应管M0S3及场效应管M0S4,以及串接在脉冲比较器Ul的负极输入端和脉冲比较器U2的负极输入端之间的振荡器组成;所述场效应管MOSl的源极与脉冲比较器Ul的正极输入端相连接,其漏极则与场效应管M0S2的源极相连接;场效应管M0S3的源极与脉冲比较器U2的正极输入端相连接,其漏极则与场效应管M0S4的源极相连接;所述场效应管M0S2的栅极还与功率放大器Pl的正极输入端相连接,其漏极接地;所述场效应管M0S4的栅极还与功率放大器P2的正极输入端相连接,其漏极接地;所述功率放大器Pl和功率放大器P2的负极输入端均接地。2.根据权利要求1所述的一种蓝光LED灯保护系统,其特征在于,所述的栅极驱动电路由变压器T,驱动芯片M,串接于驱动芯片M的VCC管脚与INP管脚之间的开关电流源,串接于驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间的二极管Dl,串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C3,串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R7,以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C4和电容C5后接地、而发射极接地的晶体管Q4组成;所述变压器T的原边线圈的同名端与电容C4和电容C5的连接点相连接,其非同名端则与晶体管Q4的发射极相连接后接地;同时,晶体管Q4的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接,所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2 ;所述场效应管MOSl的栅极与副边线圈的同名端相连接,场效应管M0S4的栅极与副边线圈的非同名端相连接,场效应管M0S2的栅极与抽头Yl相连接,而场效应管M0S3的栅极则与抽头Y2相连接。3.根据权利要求2所述的一种蓝光LED灯保护系统,其特征在于,所述的开关电流源由晶体管Q1,晶体管Q2,晶体管Q3,直流电源S,串接在晶体管Ql的集电极与晶体管Q2的集电极之间的电阻Rl,串接在晶体管Ql的发射极与直流电源S的负极之间的RC滤波电路,串接在晶体管Ql的基极与直流电源S的负极之间的电阻R2,与直流电源S相并联的电阻R5,串接在晶体管Q3的发射极与...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄家英杜琴
申请(专利权)人:成都智利达科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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