一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架制造技术

本发明专利技术涉及一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架。本设计包括提取杆、固定架以及安装在固定架上的两排晶片夹持结构，每排夹持结构由三根等径的横杆组成，两根为夹持杆，一根为支撑杆，夹持杆和支撑杆两端水平嵌入固定架下部圆孔中，固定架外侧采用密封板粘合密封，提取杆两端水平嵌入密封板上部圆孔中，两排的夹持杆分别向内侧对称开有若干个晶片夹持卡槽，支撑杆的上端面开有相应若干个晶片支持卡槽，晶片支持卡槽与两侧的晶片夹持卡槽在同一圆弧面上，即形成一排固定晶片的夹持结构。采用本发明专利技术的清洗架对CMP之后的硫化镉单晶片进行清洗，可缓解超声清洗时晶片振动，与夹持卡槽接触时产生的应力集中，有效的降低晶片在清洗过程中碎裂的概率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于单晶片加工装置，尤其涉及一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架。
技术介绍
硫化镉（CdS）晶体是带宽2．4eV的直接跃迁型Ⅱ一IV族化合物半导体。单晶硫化镉的优异光电性质使其在探测器、太阳能电池，成像和半导体澈光器等方面有广泛的应用。衬底表面的质量将直接影响在其上生长器件的性能，目前硫化镉单晶片的表面加工通常经过研磨，化学机械抛光（CMP），及清洗几个步骤。在CMP过程中，通常将晶片粘贴在陶瓷盘上进行抛光，使硫化镉晶片表面达到纳米级平整，但在CMP结束后，将晶片粘贴在陶瓷盘上的石蜡，残留的抛光液及其与晶片化学反应所产生的反应产物依然附着在抛光片表面,需要通过清洗将其除去，原有的清洗工艺一般将晶片置于石英材质的清洗架中，并且卡槽未经过平滑处理，抛光片在清洗过程中容易与石英清洗架卡槽互相撞击，发生碎裂，因此改进晶片抛光后的清洗工艺，除去CMP后晶片粘贴使所使用的蜡，以及其它反应产物和附着在晶片表面的其它杂质，使平整的晶片保持清洁，并且确保单晶片在清洗过程中完整无碎裂，在硫化镉单晶片的加工中非常关键。
技术实现思路
 鉴于上述现有工艺存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架，其特征在于：包括提取杆（6）、两个固定架（5）以及安装在两个固定架（5）上的两排相同的晶片夹持结构，每排晶片夹持结构由三根等径的圆柱形横杆组成，其中两根水平高度相同的为晶片夹持杆（1），另外一根为晶片支撑杆（4）且位于两根晶片夹持杆（1）中部正下方，两排的晶片夹持杆（1）和晶片支撑杆（4）的两端分别水平嵌入左右两个固定架（5）下部预留的圆孔中，固定架（5）的外侧采用两个端面密封板（7）粘合密封，提取杆（6）位于两排晶片夹持结构正中间位置之上，且两端水平嵌入左右两个端面密封板（7）上部预留的圆孔中，两排的晶片夹持杆（1）分别向内侧对称开有若干个椭圆弧形的晶片夹持...

【技术特征摘要】
1.一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架，其特征在于：包括提取杆（6）、两个固定架（5）以及安装在两个固定架（5）上的两排相同的晶片夹持结构，每排晶片夹持结构由三根等径的圆柱形横杆组成，其中两根水平高度相同的为晶片夹持杆（1），另外一根为晶片支撑杆（4）且位于两根晶片夹持杆（1）中部正下方，两排的晶片夹持杆（1）和晶片支撑杆（4）的两端分别水平嵌入左右两个固定架（5）下部预留的圆孔中，固定架（5）的外侧采用两个端面密封板（7）粘合密封，提取杆（6）位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐世海，张弛，李晖，徐永宽，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12