一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法技术

本发明专利技术公开了一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法：提供一浅层离子注入层的光刻版图图形；从光刻版图图形中找出落在浅沟槽隔离区上的图形边界；图形边界到位于光刻胶打开区域的第一前层图形的距离为第一尺寸，且图形边界到位于光刻胶覆盖区域的第二前层图形的距离为第二尺寸；若第一尺寸的值小于第二尺寸的值，将图形边界朝第二前层图形的方向移动距离A1，否则，将图形边界朝第一前层图形的方向移动距离A2，A1的值小于第二尺寸的值，A2的值小于第一尺寸的值；利用浅离子注入层版图中多余距离空间，达到增加光刻工艺窗口的效果，浅沟槽隔离区上的离子注入是无效的，所以对器件无影响，能有效降低图形失真导致缺陷的风险，提高成品合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造
，尤其涉及一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法。
技术介绍
由于半导体的前层为多种衬底以及起伏形貌，离子注入层的光刻图形受到该衬底及其形貌的影响，会出现图形尺寸失真，导致线宽变形，且光刻工艺窗口减小，导致产生缺陷，从而降低成品的合格率。而规则式光学临近修正方法，在多种衬底以及起伏形貌时，测试图形数量需要成倍增加来提高图形覆盖率，大幅增加时间及人力成本；而模型式光学临近修正方法无法准确预测复杂前层衬底的情况。目前无论规则式、模型式光学临近修正方法，难以避免预测之外的线宽变形；落在浅沟槽隔离区上的光刻图形边界，当其距离打开区域的前层图形较远时，相比落在或靠近前层图形的情况，光刻胶图形边界尺寸误差更大，更容易露出本应该覆盖的有源区或多晶硅图形，导致缺陷，降低成品合格率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法，以解决上述光刻胶图形边界尺寸误差大以致于露出有源区或多晶硅图形，进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一光刻版图，所述光刻版图包括一浅层离子注入层的光刻版图图形；从所述光刻版图图形中找出落在浅沟槽隔离区上的图形边界，且所述图形边界到位于光刻胶打开区域的第一前层图形的距离为第一尺寸，到位于光刻胶覆盖区域的第二前层图形的距离为第二尺寸；其中，若所述第一尺寸的值小于所述第二尺寸的值，将所述图形边界朝所述第二前层图形的方向移动距离A1，否则，将所述图形边界朝所述第一前层图形的方向移动距离A2，且所述A1的值小于所述第二尺寸的值，所述A2的值小于所述第一尺寸的值。

【技术特征摘要】
1.一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其特征在于，包括
如下步骤：
提供一光刻版图，所述光刻版图包括一浅层离子注入层的光刻版
图图形；
从所述光刻版图图形中找出落在浅沟槽隔离区上的图形边界，且
所述图形边界到位于光刻胶打开区域的第一前层图形的距离为第一
尺寸，到位于光刻胶覆盖区域的第二前层图形的距离为第二尺寸；
其中，若所述第一尺寸的值小于所述第二尺寸的值，将所述图形
边界朝所述第二前层图形的方向移动距离A1，否则，将所述图形边
界朝所述第一前层图形的方向移动距离A2，且所述A1的值小于所述
第二尺寸的值，所述A2的值小于所述第一尺寸的值。
2.根据权利要求1所述的提高光刻工艺窗口的版图处理方法，
其特征在于，根据版图设计规则以及实际工艺需求设定所述A1和A2
的值。
3.根据权利要求1所述的提高光刻工艺窗口的版图处理方法，
其特征在于，根据实际工艺能力分别设定所述第一尺寸和所述第二尺
寸需满足的尺寸要求。
4.根据权利要求3所述的提高光刻工艺窗口的版图处理方法，
其特征在于，若所述第一尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：张月雨，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31