放大电路制造技术

一种放大电路，包括：第一电源；集电极连接到第一电源的第一双极型晶体管；一端连接到第一双极型晶体管的发射极的第一电阻；集电极连接到第一电阻的另一端的第二双极型晶体管；第二电源；集电极连接到第二电源的第三双极型晶体管；一端连接到第三双极型晶体管的发射极的第二电阻；以及集电极连接到第二电阻的另一端的第四双极型晶体管。第二双极型晶体管的发射极直接连接到第四双极型晶体管的发射极，由此成为输出端。

【技术实现步骤摘要】
放大电路相关申请的交叉引用本申请要求2013年9月14日提交的日本在先专利申请JP2013-197332的权益，其全部内容在此通过引用被并入本文。
本公开涉及一种放大电路。
技术介绍
例如，放大音频信号等的电路的输出级由以推挽式连接NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路来构成。在日本未审查的专利申请公开No.2004-297746中描述了一种在不使用连接到推挽电路的每个晶体管的发射极的电阻(被适当地称为发射极电阻)的情况下改进音频信号的音质的技术。
技术实现思路
在日本未审查的专利申请公开No.2004-297746中描述的技术需要在两个位置处设置电路以执行温度补偿，从而存在电路复杂的问题。从而，希望提供一种能够在不新增加用于执行温度补偿的电路的情况下改进音质的放大电路。根据本公开的实施例的放大电路例如包括：第一电源；集电极连接到第一电源的第一双极型晶体管；一端连接到第一双极型晶体管的发射极的第一电阻；集电极连接到第一电阻的另一端的第二双极型晶体管；第二电源；集电极连接到第二电源的第三双极型晶体管；一端连接到第三双极型晶体管的发射极的第二电阻；以及集电极连接到第二电阻的另一端的第四双极型晶体管，其中第二双极型晶体管的发射极直接连接到第四双极型晶体管的发射极，由此成为输出端。根据所述实施例，可以提供在音频信号等的信号路径上不使用发射极电阻的放大电路。此外，此处描述的效果不必限制于此，并且可以是本公开中描述的效果中的任意一个。此外，不意在把本公开的内容解释为由示出的效果来限制。附图说明图1是示出一般的放大电路的输出级的构成的例子的示图；图2是示出一般的放大电路的并联推挽的构成的例子的示图；图3是示出根据本公开的实施例的放大电路的概要的示图；图4是示出在输出级中的晶体管的负载线的例子的示图；以及图5是示出根据本公开的实施例的放大电路的电路构成的例子的示图。具体实施方式以下，将参考附图描述本公开的实施例。此外，将按以下顺序进行描述。1.实施例2.变型例下面描述的实施例是优选的具体例子，本公开的内容不限于这样的实施例等。1.实施例一般的放大电路的构成为了容易理解本公开，将参考图1和图2描述一般的放大电路的构成的例子。图1示出了一般的放大电路的输出级的电路构成的例子。图1中示出的电路是所谓的单端推挽，并且NPN型双极型晶体管(简称为晶体管)Q1和PNP型晶体管Q2经由电阻R1和电阻R2串联。电阻R1是连接到晶体管Q1的发射极的发射极电阻。电阻R2是连接到晶体管Q2的发射极的发射极电阻。发射极电阻R1和发射极电阻R2的接点是作为输出信号的输出端的点，并且例如扬声器SP连接到所述输出端。在图1中示出的电路中，当输入信号S处于正周期时，晶体管Q1被导通，使得放大信号被输出，并且当输入信号S处于负周期时，晶体管Q2被导通，使得放大信号被输出。输入信号S是例如音频信号(对应于能够被人耳听见的各种声音的信号，诸如人声和音乐)，更具体地，是双声道(LR)音频信号的一个声道信号。此外，在图1中，从晶体管Q1经过发射极R1、发射极R2和晶体管Q2的虚线BC表示偏置电流(无功电流)。放大电路的输出级的构成不限于图1中示出的电路。例如，如图2所示，放大电路的输出级可以是多个图1中示出的电路并联的构成(并联推挽)。通过并联推挽的构成，能够产生大输出。此外，图2示出了诸如用于放大输入信号S的电压的运算放大器的电压放大器Ax1，以及把负反馈应用于电压放大器Ax1的负端子的构成。这一例子具有这样的构成，即从放大电路的输出级输出的信号经由反馈电阻Rx1被输入到电压放大器Ax1的负端子。发射极电阻作为放大电路中使用的发射极电阻，例如使用用胶合剂固定金属板的金属板电阻或者绕线电阻。发射极电阻的电阻值被设置成非常小的值(例如，约0.01Ω至1Ω)。在此，将描述在放大电路的输出级的电路中需要有发射极电阻的几个原因。作为需要发射极电阻的原因，例如可以用下面三点来举例。1.使偏置电流热稳定，并且防止热失控。2.在放大电路的输出被短路的情形中，保护晶体管。3.在由并联推挽构成的电路工作时，每个晶体管中出现的损耗(集电极损耗)是一致的。即，防止由晶体管的特性变化引起电流集中地流入特定晶体管。这样，就需要发射极电阻，但是由于发射极电阻串联地插入放大电路的输出和负载(这个例子中的扬声器)中，所以由发射极电阻引起的功率损耗很大。此外，由于L组件(线圈组件)包含在用于金属板电阻的金属板、绕线电阻等中，所以由L组件可能引起音色的变化等，音质可能恶化，并且应变可能增大。由于这样的问题，在放大电路的输出级中优选使用没有发射极电阻的电路。在上述日本未审查的专利申请公开No.2004-297746中描述了这样的电路。但是，如上所述，在日本未审查的专利申请公开No.2004-297746中描述的技术需要多个电路以补偿温度，并且电路复杂。此外，以与日本未审查的专利申请公开No.2004-297746中描述的技术相同的方式，只移除发射极电阻可能不满足需要上述发射极电阻的第二个原因。此外，为了在由并联推挽构成的电路中没有发射极电阻的情况下满足需要发射极电阻的第三个原因，需要使用具有特定特性的晶体管。但是，难以使用具有可变特性的晶体管。此外，即使每个晶体管在开始使用时保持特定特性，由于长期变化等每个晶体管的特性也可能变得不一致。从这样的观点出发，考虑用彼此具有不同极性的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)串联的电路构成放大电路的输出级，作为假定的技术(相关领域中没有的技术)。由于MOSFET具有负温度特性(如果温度升高，则电阻升高)，不需要提供对应于发射极电阻的构成。但是，MOSFET是昂贵的，从而成本可能升高。从这样的观点出发，将描述本公开的一个实施例。根据本公开的实施例的概要图3是示出根据本公开的实施例的概要的示图。根据本实施例的放大电路的输出级由NPN型晶体管Q10和PNP型晶体管Q20在不经过诸如发射极电阻的元件的情况下串联的单个推挽构成。此外，不经过诸如发射极电阻的元件的连接被适当地称为直接连接。具体地，晶体管Q10的发射极连接到晶体管Q20的发射极。直接连接的晶体管Q10和晶体管Q20的接点是输出端，并且例如扬声器SP连接到所述输出端。正电源(+Vcc)经由由晶体管Q11和电阻R11构成的电路CI1连接到晶体管Q10。此外，在图3中，与电路CI1相同的电路在正电源和晶体管Q10之间与电路CI1并联，以便能够产生大输出，但是可能只有电路CI1用于小输出放大器。晶体管Q11的集电极连接到正电源。晶体管Q11的发射极连接到电阻R11的一端。电阻R11的另一端连接到晶体管Q10的集电极。其它电路以与电路CI1相同的方式连接。恒压电路由包括串联的晶体管(例如晶体管Q10和晶体管Q11)的构成形成，并且保持晶体管Q10的集电极-发射极电压Vce为最小需求电压(恒定电位)。例如，晶体管Q10的集电极-发射极电压Vce成为5V(伏特)的恒压。同时，负电源(-Vcc)经由由晶体管Q21和电阻R21构成的电路CI2连接到晶体管Q20。此外，在图3中，与电路CI2相同的电路在负电源和晶体管Q20之间与电路CI2并联，以便能够产生大输出，但是可能只有电路CI2用于小输出放大器。晶体管Q21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放大电路，包括：第一电源；集电极连接到第一电源的第一双极型晶体管；一端连接到第一双极型晶体管的发射极的第一电阻；集电极连接到第一电阻的另一端的第二双极型晶体管；第二电源；集电极连接到第二电源的第三双极型晶体管；一端连接到第三双极型晶体管的发射极的第二电阻；以及集电极连接到第二电阻的另一端的第四双极型晶体管，其中，第二双极型晶体管的发射极直接连接到第四双极型晶体管的发射极，由此成为输出端。

【技术特征摘要】
2013.09.24 JP 2013-1973321.一种放大电路，包括：第一电源；集电极连接到第一电源的第一双极型晶体管；一端连接到第一双极型晶体管的发射极的第一电阻；集电极连接到第一电阻的另一端的第二双极型晶体管；第二电源；集电极连接到第二电源的第三双极型晶体管；一端连接到第三双极型晶体管的发射极的第二电阻；以及集电极连接到第二电阻的另一端的第四双极型晶体管，其中，第二双极型晶体管的发射极直接连接到第四双极型晶体管的发射极，由此成为输出端。2.根据权利要求1所述的放大电路，其中，在所述放大电路的输入侧产生对于第一双极型晶体管和第三双极型晶体管的偏置电压。3.根据权利要求2所述的放大电路，还包括：放大输入信号的电压的电压放大器；以及连接到所述电压放大器的输出侧的恒流电路，其中，第三电阻、产生对于第二双极型晶体管和第四双极型晶体管的偏置电压的偏置电路、以及第四电阻连接到所述恒流电路，其中，对于第一双极型晶体管的偏置电压由在第三电阻的两端...

【专利技术属性】
技术研发人员：塩原秀明，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP