一种用于制造太阳能电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在具有第一导电类型的基板表面贴合活动选择性模板；通过使用离子注入法来在基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；移除所述活动选择性模板；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极是含有掺杂剂的银浆采用丝网印刷工艺印制并烧结而形成。本发明专利技术的用于制造太阳能电池的方法简单易操作，且用该方法制造的太阳能电池效率非常高。

【技术实现步骤摘要】
—种用于制造太阳能电池的方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及。
技术介绍
近来，由于预期现有能源(诸如石油和煤)会被耗尽，所以对于代替现有能源的另选能源的兴趣正在增加。在这些另选能源当中，用于从太阳能产生电能的太阳能电池尤其受到关注。 太阳能电池通常包括具有不同导电类型(例如，P型和η型)并形成ρ-η结的半导体部件以及分别连接到不同导电类型的半导体部件的电极。 当光入射在太阳能电池上时，在半导体部件中产生电子-空穴对。电子和空穴在Ρ-η结的影响下分别向η型半导体部件和P型半导体部件移动。电子和空穴分别由连接到η型半导体部件和P型半导体部件的电极来收集。利用电线将这些电极彼此连接，由此获得电力。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了，该方法包括以下步骤:在具有第一导电类型的基板表面贴合活动选择性模板；通过使用离子注入法来在基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；移除所述活动选择性模板；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上被活动选择性模板遮盖的位置，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板；所述第一电极是含有掺杂剂的银浆采用丝网印刷工艺印制并烧结而形成。 所述形成所述发射区的步骤可以包括以下步骤:使用所述离子注入法将所述第二导电类型的杂质注入到所述基板的所述第一表面中，以在所述基板的所述第一表面处形成杂质区；以及在氧气环境中对具有所述杂质区的所述基板进行热处理，以将所述杂质区转变为所述发射区并在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一热氧化膜和第二热氧化膜。 可以在大致700°C至900°C的温度执行所述热处理。 所述方法还可以包括以下步骤:去除所述第一热氧化膜和所述第二热氧化膜。 所述钝化层可以形成在位于所述基板的所述第二表面上的所述第二热氧化膜上。 所述方法还可以包括以下步骤:在位于所述基板的所述第一表面上的所述第一热氧化膜上形成防反射层。 所述第一电极可以通过所述防反射层和所述第一热氧化膜连接到所述基板。 所述防反射层可以由氮化硅形成。 所述第一热氧化膜和所述第二热氧化膜中的每一个可以具有大致15nm至30nm的厚度。 所述方法还可以包括以下步骤:在所述发射区上形成防反射层。 所述第一电极可以通过所述防反射层连接到所述发射区。 所述钝化层可以由氮化硅形成。 所述形成所述钝化层的步骤可以包括以下步骤:使用氧化硅形成第一钝化层；以及使用氮化硅形成第二钝化层。 所述形成所述钝化层的步骤可以包括以下步骤:使用氧化铝形成第一钝化层；以及使用氮化硅形成第二钝化层。 所述第一导电类型可以是P型，而所述第二导电类型可以是η型。另选地，所述第一导电类型可以是η型，而所述第二导电类型可以是P型。 所述方法还可以包括以下步骤:在形成所述发射区之前，在所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一个上形成纹理表面。 所述方法还可以包括以下步骤:对形成在所述基板的所述第二表面上的所述纹理表面进行抛光(polish)，以形成平坦表面。 本专利技术的用于制造太阳能电池的方法简单易操作，且用该方法制造的太阳能电池效率非常高。 【具体实施方式】 以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。 该方法包括以下步骤:在具有第一导电类型的基板表面贴合活动选择性模板；通过使用离子注入法来在基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；移除所述活动选择性模板；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上被活动选择性模板遮盖的位置，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板；所述第一电极是含有掺杂剂的银浆采用丝网印刷工艺印制并烧结而形成。 所述形成所述发射区的步骤可以包括以下步骤:使用所述离子注入法将所述第二导电类型的杂质注入到所述基板的所述第一表面中，以在所述基板的所述第一表面处形成杂质区；以及在氧气环境中对具有所述杂质区的所述基板进行热处理，以将所述杂质区转变为所述发射区并在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一热氧化膜和第二热氧化膜。 可以在大致700°C至900°C的温度执行所述热处理。 所述方法还可以包括以下步骤:去除所述第一热氧化膜和所述第二热氧化膜。 所述钝化层可以形成在位于所述基板的所述第二表面上的所述第二热氧化膜上。 所述方法还可以包括以下步骤:在位于所述基板的所述第一表面上的所述第一热氧化膜上形成防反射层。 所述第一电极可以通过所述防反射层和所述第一热氧化膜连接到所述基板。 [0031 ] 所述防反射层可以由氮化硅形成。 所述第一热氧化膜和所述第二热氧化膜中的每一个可以具有大致15nm至30nm的厚度。 所述方法还可以包括以下步骤:在所述发射区上形成防反射层。 所述第一电极可以通过所述防反射层连接到所述发射区。 所述钝化层可以由氮化硅形成。 所述形成所述钝化层的步骤可以包括以下步骤:使用氧化硅形成第一钝化层；以及使用氮化硅形成第二钝化层。 所述形成所述钝化层的步骤可以包括以下步骤:使用氧化铝形成第一钝化层；以及使用氮化硅形成第二钝化层。 所述第一导电类型可以是P型，而所述第二导电类型可以是η型。另选地，所述第一导电类型可以是η型，而所述第二导电类型可以是P型。 所述方法还可以包括以下步骤:在形成所述发射区之前，在所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一个上形成纹理表面。 所述方法还可以包括以下步骤:对形成在所述基板的所述第二表面上的所述纹理表面进行抛光(polish)，以形成平坦表面。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在具有第一导电类型的基板表面贴合活动选择性模板；通过使用离子注入法来在基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；移除所述活动选择性模板；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上被活动选择性模板遮盖的位置，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板；所述第一电极是含有掺杂剂的银浆采用丝网印刷工艺印制并烧结而形成。

【技术特征摘要】
1.一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤: 在具有第一导电类型的基板表面贴合活动选择性模板； 通过使用离子注入法来在基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区； 移除所述活动选择性模板； 在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及 形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上被活动选择性模板遮盖的位置，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板； 所述第一电极是含有掺杂剂的银浆采用丝网印刷工艺印制并烧结而形成。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述发射区的步骤包括以下步骤: 使用所述离子注入法将所述第二导电类型的杂质注入到所述基板的所述第一表面中，以在所述基板的所述第一表面处形成杂质区；以及 在氧气环境中对具有所述杂质区的所述基板进行热处理，所述热处理与印刷完银浆的烧结步骤同时进行，以将所述杂质区转变为所述发射区并在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一热氧化膜和第二热...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄继昌，黄漫卿，
申请(专利权)人：广西智通节能环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45