具有点接触结构的太阳电池器件结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有点接触结构的太阳电池器件结构，它具有衬底、发射极和背电极，发射极与衬底之间以点接触结构构成欧姆连接，发射极的其余部分和衬底之间设置有本征非晶硅层，背电极与衬底之间也以点接触结构构成欧姆连接，背电极的其余部分与衬底之间也设置有本征非晶硅层。本实用新型专利技术能够保持具有较好钝化效果的前提下，降低串联电阻，提髙电池的填充因子，从而增加太阳电池的转换效率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种具有点接触结构的太阳电池器件结构，属于太阳能制造

技术介绍
目前，以N型晶体硅作为衬底制作异质结太阳能电池器件，一般使用本征的非晶硅薄膜钝化晶体硅(衬底)的上下表面，同时加上重掺杂的p-a-Si：H形成发射极和n-a-Si：H形成背电极(BSF)。由于本征层处于未掺杂状态，因此相对于掺杂的非晶硅薄膜来说电阻很大，势必增加太阳电池的串联电阻，会降低最终太阳能电池的填充因子。但若没有本征层钝化硅片表面，直接沉积摻杂的发射极或背电极，则由于表面复合严重，电池的开路电压降低，进而使得整体太阳电池的转换效率降低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种具有点接触结构的太阳电池器件结构，它能够保持具有较好钝化效果的前提下，降低串联电阻，提髙电池的填充因子，从而增加太阳电池的转换效率。为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种具有点接触结构的太阳电池器件结构，它具有衬底、发射极和背电极，发射极与衬底之间以点接触结构构成欧姆<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于，它具有衬底(1)、发射极(2)和背电极(3)，发射极(2)与衬底(1)之间以点接触结构构成欧姆连接，发射极(2)的其余部分和衬底(1)之间设置有本征非晶硅层(4)，背电极(3)与衬底(1)之间也以点接触结构构成欧姆连接，背电极(3)的其余部分与衬底(1)之间也设置有本征非晶硅层(4)。

【技术特征摘要】
1.一种具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于，它具有衬底(1)、发
射极(2)和背电极(3)，发射极(2)与衬底(1)之间以点接触结构构成欧姆连接，
发射极(2)的其余部分和衬底(1)之间设置有本征非晶硅层(4)，背电极(3)与衬
底(1)之间也以点接触结构构成欧姆连接，背电极(3)的其余部分与衬底(1)之间
也设置有本征非晶硅层(4)。
2.根据权利要求1所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：还
包括正面透明导电膜层(5)、背面透明导电膜层(6)、正面金属栅极(7)和背面金属
栅极(8)，正面透明导电膜层(5)沉积在发射极(2)的上表面上，正面金属栅极(7)
设置在正面透明导电膜层(5)的上表面上，背面透明导电膜层(6)沉积在背电极(3)
的下表面上，背面金属栅极(8)设置在背面透明导电膜层(6)的下表面上，发射极(2)
上在位于正面金属栅极(7)的正下方相应的部位与与衬底(1)之间以点接触结构构成
欧姆连接，背电极(3)上在位于背面金属栅极(8)的正上方相应的部位与衬底(1)
之间也以点接触结构构成欧姆连接。
3.根据权利要求2所述的具有点接触结构的太...

【专利技术属性】
技术研发人员：包健，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32