一种高转换效率的太阳能电池板制造技术

技术编号:11117479 阅读:118 留言:0更新日期:2015-03-06 16:34
本发明专利技术公开了一种高转换效率的太阳能电池板,包括:位于外层的非晶硅薄膜和位于内层的无机半导体,所述非晶硅薄膜包裹在所述无机半导体的外表面,且所述非晶硅薄膜由金属钾和四卤化硅高温置换制得,按照质量进行配比,所述金属钾的含量占10-20%,所述四卤化硅的含量占80-90%,所述无机半导体包括镓和砷,按照质量进行配比,所述镓的含量为35-45%,所述砷的含量为55-65%,通过上述方式,本发明专利技术能够提高太阳能电池板的转换效率,有利于太阳能电池板的推广。

【技术实现步骤摘要】
一种高转换效率的太阳能电池板
本专利技术涉及一种太阳能
,特别涉及一种高转换效率的太阳能电池板。
技术介绍
随着科学技术的不断提高,太阳能技术的利用也越来越普及,而在太阳能技术中,太阳能板为太阳能发电系统中的核心部分,其作用是将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作,在目前使用的过程中,常常会遇见天气不好时,如下雨天,此时太阳光较微弱,太阳能电池板产生的电能极为微小甚至无电能产出。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种高转换效率的太阳能电池板。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种高转换效率的太阳能电池板,包括:位于外层的非晶硅薄膜和位于内层的无机半导体,所述非晶硅薄膜包裹在所述无机半导体的外表面,且所述非晶硅薄膜由金属钾和四卤化硅高温置换制得,按照质量进行配比,所述金属钾的含量占10-20%,所述四卤化硅的含量占80-90%,所述无机半导体包括镓和砷,按照质量进行配比,所述镓的含量为35-45%,所述砷的含量为55-65%。在本专利技术一个较佳实施例中,所述非晶硅薄膜的厚度为0.5-1mm。在本专利技术一个较佳实施例中,所述无机半导体的厚度为2-3mm。在本专利技术一个较佳实施例中,所述高温置换的温度为150℃。本专利技术的有益效果是:本专利技术高转换效率的太阳能电池板通过采用非晶硅薄膜包裹在无机半导体材料两种光伏材料的外表面方式,能够提高太阳能电池板的转换效率,有利于太阳能电池板的推广。具体实施方式下面对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述,以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。实施例1:一种高转换效率的太阳能电池板,包括:位于外层的非晶硅薄膜和位于内层的无机半导体,所述非晶硅薄膜包裹在所述无机半导体的外表面,且所述非晶硅薄膜由金属钾和四卤化硅高温置换制得,按照质量进行配比,所述金属钾的含量占10%,所述四卤化硅的含量占90%,所述无机半导体包括镓和砷,按照质量进行配比,所述镓的含量为35%,所述砷的含量为65%。实施例2:一种高转换效率的太阳能电池板,包括:位于外层的非晶硅薄膜和位于内层的无机半导体,所述非晶硅薄膜包裹在所述无机半导体的外表面,且所述非晶硅薄膜由金属钾和四卤化硅高温置换制得,按照质量进行配比,所述金属钾的含量占20%,所述四卤化硅的含量占80%,所述无机半导体包括镓和砷,按照质量进行配比,所述镓的含量为45%,所述砷的含量为55%。实施例3:一种高转换效率的太阳能电池板,包括:位于外层的非晶硅薄膜和位于内层的无机半导体,所述非晶硅薄膜包裹在所述无机半导体的外表面,且所述非晶硅薄膜由金属钾和四卤化硅高温置换制得,按照质量进行配比,所述金属钾的含量占15%,所述四卤化硅的含量占85%,所述无机半导体包括镓和砷,按照质量进行配比,所述镓的含量为40%,所述砷的含量为60%。进一步说明,所述非晶硅薄膜的厚度为0.5-1mm;所述无机半导体的厚度为2-3mm;所述高温置换的温度为150℃。在进一步说明,本专利技术一种高转换效率的太阳能电池板通过采用非晶硅薄膜包裹在无机半导体材料两种光伏材料的外表面方式,能够提高太阳能电池板的转换效率,有利于太阳能电池板的推广。以上所述仅为本专利技术的实施例,并非因此限制本专利技术的专利范围,凡是利用本专利技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高转换效率的太阳能电池板,其特征在于,包括:位于外层的非晶硅薄膜和位于内层的无机半导体,所述非晶硅薄膜包裹在所述无机半导体的外表面,且所述非晶硅薄膜由金属钾和四卤化硅高温置换制得,按照质量进行配比,所述金属钾的含量占10‑20%,所述四卤化硅的含量占80‑90%,所述无机半导体包括镓和砷,按照质量进行配比,所述镓的含量为35‑45%,所述砷的含量为55‑65%。

【技术特征摘要】
1.一种高转换效率的太阳能电池板,其特征在于,包括:位于外层的非晶硅薄膜和位于内层的无机半导体,所述非晶硅薄膜包裹在所述无机半导体的外表面,且所述非晶硅薄膜由金属钾和四卤化硅高温置换制得,按照质量进行配比,所述金属钾的含量占10-20%,所述四卤化硅的含量占80-90%,所述无机半导体包括镓和砷,按照质量进行配比,所述镓的含量为...

【专利技术属性】
技术研发人员:施旸
申请(专利权)人:苏州费米光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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