有机发光二极管显示装置制造方法及图纸

技术编号:11057461 阅读:101 留言:0更新日期:2015-02-18 20:36
一种有机发光二极管显示装置,包含一基底、一像素定义层、多个有机发光二极管、多个光间隔物、一第一隔绝层、一第二隔绝层、一第三隔绝层、一触控模块以及一封装基底。像素定义层位于基底上方。有机发光二极管设置于像素定义层中。光间隔物位于像素定义层上方,且对应于有机发光二极管设置。第一隔绝层位于光间隔物上方,且包含多个第一隔绝体。第一隔绝体对应于光间隔物设置。第二隔绝层位于第一隔绝层上方。第三隔绝层位于第二隔绝层上方,而触控模块设置于第三隔绝层中。封装基底位于第三隔绝层上方,且与基底对应设置。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置
本专利技术涉及一种显示装置,特别是一种有机发光二极管显示装置。
技术介绍
随着触控显示面板制造技术的发展,电容式触控显示面板已广泛应用于各种电子设备中。目前的电容式触控显示面板一般多由双面工艺形成,亦即将触控模块以及发光元件分别设置于封装玻璃的两侧。如此一来,可以解决电容式触控显示面板中的电容耦合现象,但却导致封装玻璃无法薄化,以至于电容式触控显示面板的厚度难以降低,造成制作电容式触控显示面板的一大瓶颈。然而,若将触控模块以及发光元件设置于封装玻璃的同一侧,虽然可以降低封装玻璃的厚度,使得触控显示面板的厚度得以降低,但如此一来,却会造成电容耦合的现象。亦即,由于触控模块以及发光元件设置于封装玻璃的同一侧,导致触控模块以及发光元件的电极间距离减少,造成寄生电容变大,使得触控模块的信噪比变差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管显示装置,以克服现有技术的上述缺陷。为了实现上述目的,本专利技术提供了一种有机发光二极管(organiclightemittingdiode;OLED)显示装置,包含一基底(substrate)、一像素定义层(pixeldefinelayer;PDL)、多个有机发光二极管、多个光间隔物(photospacer;PS)、一第一隔绝层、一第二隔绝层、一第三隔绝层、一触控模块以及一封装基底(encapsulationsubstrate)。像素定义层位于基底上方。有机发光二极管设置于像素定义层中。光间隔物位于像素定义层上方,且对应于有机发光二极管设置。第一隔绝层位于光间隔物上方。第一隔绝层包含多个第一隔绝体。第一隔绝体对应于光间隔物设置。第二隔绝层位于第一隔绝层上方。第三隔绝层位于第二隔绝层上方,而触控模块设置于第三隔绝层中。封装基底位于第三隔绝层上方,且与基底对应设置。本专利技术的技术效果在于:应用本专利技术的优点在于通过设置包含多个第一隔绝体的第一隔绝层,可使得因为将触控模块以及发光元件设置于封装玻璃的同一侧所造成的寄生电容有效地降低,进而提高触控模块的信噪比。另外,通过对应密封层设置第二隔绝体,可避免因为设置了第一隔绝体,而需要增加密封层的高度,造成有机发光二极管显示装置于封装上的困难。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述,但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1为本专利技术一实施例中,一种有机发光二极管显示装置的示意图;图2为根据本专利技术一实施例,绘示有机发光二极管显示装置的截面示意图;图3A为根据本专利技术一实施例,绘示第一隔绝层以及第二隔绝层的高度与寄生电容值间的关系图;图3B为根据本专利技术一实施例,绘示第一隔绝层以及第二隔绝层的高度与寄生电容值间的关系图;图4为根据本专利技术一实施例,绘示有机发光二极管显示装置的截面示意图。其中,附图标记100有机发光二极管显示装置110基底120像素定义层130、132有机发光二极管140光间隔物145共通电极150第一隔绝层160第一隔绝体170第二隔绝层180第三隔绝层182第一感测电极184第二感测电极186第一电桥190封装基底AA、BB线段a,b,c,d端点310密封层320第二隔绝体具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述:下文举实施例配合所附图作详细说明,但所提供的实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围,而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序,任何由元件重新组合的结构,所产生具有均等功效的装置,皆为本专利技术所涵盖的范围。此外,附图仅以说明为目的,并未依照原尺寸作图。为使便于理解,下述说明中相同元件将以相同的符号标示来说明。在全篇说明书与权利要求书所使用的用词(terms),除有特别注明外,通常具有每个用词使用在此领域中、在此公开的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本专利技术的用词将于下或在此说明书的别处讨论,以提供本领域技术人员在有关本公开的描述上额外的引导。另外,关于本文中所使用的“耦接”或“连接”,均可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触,或是相互间接作实体或电性接触,亦可指二或多个元件相互操作或动作。于本文中,除非内文中对于冠词有所特别限定,否则“一”与“该”可泛指单一个或多个。将进一步理解的是,本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”及相似词汇,指明其所记载的特征、区域、整数、步骤、操作、元件与/或组件,但不排除其所述或额外的其一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件,与/或其中的群组。另外,在本文中,使用第一、第二与第三等等的词汇,是用于描述各种元件、组件、区域、层与/或区块是可以被理解的。但是这些元件、组件、区域、层与/或区块不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件、组件、区域、层与/或区块。因此,在下文中的一第一元件、组件、区域、层与/或区块也可被称为第二元件、组件、区域、层与/或区块,而不脱离本专利技术的本意。请参照图1。图1为本专利技术一实施例中,一种有机发光二极管(organiclightemittingdiode;OLED)显示装置100的示意图。于一实施例中,有机发光二极管显示装置100包含一触控模块(图未示),上述触控模块包含多个第一感测电极182以及多个第二感测电极184。第一感测电极182中每两者间以一第一电桥(bridge)连接(如图2所示的第一电桥186),第二感测电极184中每两者间以一第二电桥连接(图未示)。请同时参照图2。图2为根据本专利技术一实施例,如图1所示的有机发光二极管显示装置100中线段AA所对应的位置的截面示意图。如图2所示,有机发光二极管显示装置100包含一基底(substrate)110、一像素定义层(pixeldefinelayer;PDL)120、多个有机发光二极管130以及132、多个光间隔物(photospacer;PS)140、一第一隔绝层150(insulatinglayer)、一第二隔绝层170、一第三隔绝层180、一触控模块(包含多个第一感测电极182、多个第二感测电极184以及第一电桥186)以及一封装基底190(encapsulationsubstrate)。于一实施例中,基底110可为但不限于一包含二氧化硅(SiO2)的玻璃基底。像素定义层120位于基底110上方,而有机发光二极管130以及132设置于像素定义层120中。像素定义层120的材料可为但不限于聚酰亚胺(Polyimide;PI)。于另一实施例中,像素定义层120还包含多个用以驱动有机发光二极管130以及132的薄膜晶体管(thin-filmtransistor;TFT)(图未示)。光间隔物140对应于有机发光二极管130以及132设置于像素定义层120上方。如图2所示,于有机发光二极管显示装置100中线段AA所对应的位置的截面上,光间隔物140设置于有机发光二极管130以及132的上方两侧。第一隔绝层150位于光间隔物140上方。第一隔绝层150包含多个第一隔绝体160,第一隔绝体160对应于光间隔物140设置。于一实施例中,第一隔绝体160的材料包含二氧化硅(SiO2)或是氮化硅(SiNx)。于另一实施例中,第一隔绝体160的高度约为0.5um。于图2所示的实施例中,第一隔绝体160对应于有机发光二极管130本文档来自技高网...
有机发光二极管显示装置

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置,包含:一基底;一像素定义层,位于该基底上方;多个有机发光二极管,设置于该像素定义层中;多个对应于该多个有机发光二极管设置的光间隔物,其中该多个光间隔物位于该像素定义层上方;一第一隔绝层,位于该多个光间隔物上方,该第一隔绝层包含多个第一隔绝体,其中该多个第一隔绝体对应于该多个光间隔物设置;一第二隔绝层,位于该第一隔绝层上方;一第三隔绝层,位于该第二隔绝层上方;一触控模块,设置于该第三隔绝层中;以及一封装基底,与该基底对应设置,该封装基底位于该第三隔绝层上方。

【技术特征摘要】
2014.10.06 TW 1031347751.一种有机发光二极管显示装置,包含:一基底;一像素定义层,位于该基底上方;多个有机发光二极管,设置于该像素定义层中;多个对应于该多个有机发光二极管设置的光间隔物,其中该多个光间隔物位于该像素定义层上方;一第一隔绝层,位于该多个光间隔物上方,该第一隔绝层包含多个第一隔绝体,其中该多个第一隔绝体对应于该多个光间隔物设置;一第二隔绝层,位于该第一隔绝层上方;一第三隔绝层,位于该第二隔绝层上方;一触控模块,设置于该第三隔绝层中;以及一封装基底,与该基底对应设置,该封装基底位于该第三隔绝层上方。2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包含:一密封层,位于该像素定义层上方,而该第一隔绝层还包含一对应于该密封层所设置的第二隔绝体。3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,该第二隔绝体的材料包含二氧化硅或氮化硅。4.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:林峰生赖俊吉王仓鸿吴仲容陈佩瑜詹晋瑜郭汉浤苏怡如黄彦士郑仲豪徐旭昇吕佳苹
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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