【技术实现步骤摘要】
液晶显示器件
本专利技术涉及适于AM (active matrix,主动矩阵)液晶显示器等的液晶组合物及含 有该组合物的AM液晶显示器等。特别涉及含有该组合物的FFS(Fringe Field Switching, 边界电场切换）模式的液晶显示器。
技术介绍
于液晶显示元件中，根据液晶的显示模式分为PCXphase change,相变)、TN(twist nematic，扭曲向列）、STN(super twisted nematic，超扭曲向列）、ECB (electrically controlled birefringence，电控双折射）、OCB (optically compensated bend，光学补偿 弯曲）、IPS (in-plane switching，共面转变)、VA (vertical alignment，垂直配向）等类 型。根据元件的驱动方式分为PM (passive matrix,被动矩阵)型和AM (active matrix,主 动矩阵）型。PM分为静态（static)和多路（multiplex)等类型。AM分为TFT (thin film transistor,薄膜晶体管）、MIM (metal insulator metal,金属-绝缘层-金属）等类型。 TFT的类型有非晶娃（amorphous silicon)和多晶娃（polycrystal silicon)。后者根据制 造工艺分为高温型和低温型。液晶显示元件根据光源的类型分为利用自然光的反射型、利 用背光的透过型、以及利用自然光和背光两种...
【技术保护点】
一种液晶显示器，包括两片基板和液晶层，其中，所述液晶显示器的显示区域内，所述两片基板中的一片基板上不存在电极；所述液晶层包含一种液晶组合物，并且所述液晶组合物包含：至少一种通式Ⅰ的化合物以及至少一种通式Ⅱ‑1和/或通式Ⅱ‑2的化合物其中，R1、R3和R4相同或不同，各自独立地表示H或碳原子数为1‑5的烷基；R2表示碳原子数为1‑5的烷基或烷氧基，或碳原子数为2‑5的烯基；L1、L2、L3和L4相同或不同，各自独立地为H或F；表示或并且当L1、L2和L3同时为H时，不为表示或其中中一个或多个‑CH2‑可以被‑O‑替代；Z1表示‑CH2CH2‑、‑CH=CH‑、‑COO‑或碳碳单键；X1表示F、OCF3、碳原子数为1‑4的烷基或烷氧基，并且当L2和L3同时为F时，X1为F；n表示0或1。
【技术特征摘要】
1. 一种液晶显示器，包括两片基板和液晶层，其中，所述液晶显示器的显示区域内，所 述两片基板中的一片基板上不存在电极；所述液晶层包含一种液晶组合物，并且所述液晶 组合物包含：其中， Rp R3和R4相同或不同，各自独立地表示H或碳原子数为1-5的烷基； R2表示碳原子数为1-5的烷基或烷氧基，或碳原子数为2-5的烯基； I^LyLdP L4相同或不同，各自独立地为H或F ;被-〇-替代； Z1 表示-CH2CH2-、-CH=CH-、-C00-或碳碳单键； X1表示F、OCF3、碳原子数为1-4的烷基或烷氧基，并且当L2和L 3同时为F时，X1为F ; n表示0或1。2. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述通式I的化合物占所述液晶 组合物总重量的35-85% ;以及所述通式II -1和/或通式II -2的化合物占所述液晶组合物 总重量的15-65%。3. 根据权利要求1或2任一项所述的液晶显示器，其特征在于，所述通式I的化合物选 自通式I -1、通式I -2、通式I -3及其组合的组中一种或更多种化合物：其中， R1表示H或碳原子数为1-5的烷基； R2表示碳原子数为1-5的烷基或烷氧基，或碳原子数为2-5的烯基； n表示O或1。4. 根据权利要求1或2任一项所述的液晶显示器，其特征在于，所述通式II -1的化合 物选自通式II -1-a、通式II -1-b及其组合的组中一种或更多种化合物：所述通式II ...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩文明，宋晓龙，胡娟，李鹏飞，陈昭远，谭玉东，
申请(专利权)人：江苏和成显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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