油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱制造技术

技术编号:11034928 阅读:144 留言:0更新日期:2015-02-11 19:51
本实用新型专利技术涉及一种油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,包括:用于接收光信号的光纤;控制箱,所述控制箱内设有光纤触发电路板,所述光纤触发电路板包括光信号输入端和电信号输出端;所述光信号输入端与所述光纤连接,电信号输出端通过二芯导电杆将电信号输出;油浸箱体,其内部设有晶闸管和励磁变压器,所述晶闸管的输入端与四芯导电杆连接,晶闸管的输出端与磁控电抗器本体连接;所述励磁变压器与磁控电抗器本体内的电源连接,励磁变压器获得的低压电源与所述光纤触发电路板连接。本实用新型专利技术将A、B、C三相的晶闸管统一布局,整体浸泡在变压器油中,保证了相间最小安全距离,极大的减小体积,从而最大限度的减小安装面积。

【技术实现步骤摘要】
油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱
本技术涉及一种磁控电抗器的磁控箱,具体地指一种油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱。
技术介绍
作为存放磁控电抗器控制系统的重要控制部件,磁控电抗器的磁控箱主要由箱体以及设于箱体内的晶闸管、二极管、热管散热器、熔断器和触发盒以及触发电路板等元件组成,其安装结构是:晶闸管和二极管固定在热管散热器上,熔断器分别与晶闸管和二极管串接,触发盒内设有触发电路板,触发电路板上设有光电转换模块,触发电路板把光纤传输的光信号转换成电信号,然后去触发晶闸管;箱体内设有磁控电抗器本体、晶闸管、二极管和触发电路板组成磁控电抗器原理电路,还设有由电容和电阻组成的耦合取能回路,该回路能够从磁控电抗器本体上取得电能,给整流器件提供电源;为了保证磁控电抗器磁控箱对地绝缘,一般箱体的底部还支撑有绝缘子,为了相间耐压绝缘,箱体设计成三相独立安装,安装占地的面积较大;另外,这种结构长期运行时易受到温升过高、环境污秽和风沙腐蚀的影响,箱体内的控制系统容易出现故障,严重影响磁控电抗器系统的安全稳定运行。
技术实现思路
本技术目的在于克服上述现有技术的不足而提供一种油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,该磁控箱的晶闸管、电阻电容浸入油浸箱体内的绝缘油中,保证了相间最小安全距离,极大的减小体积,还能避免风沙、污秽等造成的短路故障。 实现本技术目的采用的技术方案是一种油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,包括: 磁控电抗器本体,所述磁控电抗器本体内设有电源; 光纤,用于接收光信号; 控制箱,所述控制箱内设有光纤触发电路板,所述光纤触发电路板包括光信号输入端和电信号输出端;所述光信号输入端与所述光纤连接,电信号输出端通过二芯导电杆将电信号输出; 油浸箱体,其内部设有晶闸管和励磁变压器,所述晶闸管的输入端与四芯导电杆连接,晶闸管的输出端与磁控电抗器本体连接;所述励磁变压器与磁控电抗器本体内的电源连接,励磁变压器获得的低压电源与所述光纤触发电路板连接。 在上述技术方案中,所述磁控电抗器本体依次由跌落式熔断器、二芯导电杆导入油浸箱体内部与励磁变压器连接。 在上述技术方案中,所述二芯导电杆包括绝缘瓷瓶,以及设于绝缘瓷瓶内的外导电杆和两根内导电杆;所述四芯导电杆包括绝缘瓷瓶,以及设于绝缘瓷瓶内的外导电杆和两根内导电杆。 在上述技术方案中,所述外导电杆为中空状,且所述外导电杆短于所述内导电杆,所述内导电杆套于外导电杆内,所述内导电杆的两端分别从外导电杆的两端伸出;内导电杆与外导电杆之间浇注有绝缘树脂层,所述绝缘树脂层的上端延伸至内导电杆上端与外导电杆上端之间,以及所述绝缘树脂层的下端延伸至内导电杆下端与外导电杆下端之间;所述内导电杆和外导电杆的两端均设有螺纹,所述螺纹上均通过螺母锁紧;所述绝缘瓷瓶上端与内导电杆上端的螺母之间依次设有上密封胶垫、压盖、密封胶珠和瓷瓶上盖;所述绝缘瓷瓶下端与内导电杆下端的螺母之间依次设有下密封胶垫和导杆限位块。 本技术具有以下有益效果: 1.将A、B、C三相的晶闸管统一布局,整体浸泡在变压器油中,保证了相间最小安全距离,极大的减小体积,从而最大限度的减小安装面积,有效利用国土资源。此外,将晶闸管、电阻电容等器件浸入油中,既能避免风沙、污秽等造成的短路故障,不受环境限制,又能安装户外和户内,降低了电网敷设工程要求的难度及费用开支,提高了系统可靠性,有效保障电网安全可靠运行。 2.箱体外部两侧安装有散热器,可为箱体内部的晶闸管、励磁变压器等电力电子器件起到降温作用。 3.在安装时,可将箱体外面部分任意一点与地网中的接地扁铁焊接,确保设备维护安全可靠。 【附图说明】 图1为本技术油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱的外观示意图。 图2为本技术油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱的结构示意图。 图中:1-油枕,2-跌落式熔断器,3-散热器,4-避雷器,5- 二芯导电杆,6_十芯导电杆,7-控制箱,8-光纤触发电路板,9-光纤,10-四芯导电杆,11-晶闸管,12-电阻,13-电容,14-变压器油,15-励磁变压器,16-油浸箱体。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。 如图1和图2所示,本技术油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,包括:油枕1、光纤9、控制箱7和油浸箱体16,油浸箱体16内装变压器油14,油浸箱体16外部设有散热器3。 A、B、C三相的控制箱7内设有光纤触发电路板8,光纤触发电路板8包括光信号输入端和电信号输出端,光信号输入端与光纤9连接,电信号输出端通过四芯导电杆10将电信号输出。 油浸箱体16内设有晶闸管11、电阻12,电容13和励磁变压器15,晶闸管11的输入端与四芯导电杆10连接,晶闸管11的输出端与磁控电抗器本体连接;励磁变压器15与磁控电抗器本体内的电源连接,具体为:磁控电抗器本体励磁电源输入到跌落式熔断器2,经过二芯导电杆5导入油浸箱体16内部与励磁变压器15连接;励磁变压器15经过隔离获得的低压电源分别通过十芯导电杆6和四芯导电杆10导出油浸箱体16,给A、B、C三相控制箱7中安装的光纤触发电路板8提供电源。 本技术所用的导电杆包括绝缘瓷瓶,以及设于绝缘瓷瓶内的外导电杆和多根内导电杆,根据所需不同芯导电杆,选择相应数量的内导电杆。其中,外导电杆为中空状,且外导电杆短于所述内导电杆,内导电杆套于外导电杆内,内导电杆的两端分别从外导电杆的两端伸出;内导电杆与外导电杆之间浇注有绝缘树脂层,绝缘树脂层的上端延伸至内导电杆上端与外导电杆上端之间,以及所述绝缘树脂层的下端延伸至内导电杆下端与外导电杆下端之间;内导电杆和外导电杆的两端均设有螺纹,螺纹上均通过螺母锁紧;绝缘瓷瓶上端与内导电杆上端的螺母之间依次设有上密封胶垫、压盖、密封胶珠和瓷瓶上盖;绝缘瓷瓶下端与内导电杆下端的螺母之间依次设有下密封胶垫和导杆限位块。 本技术的工作过程如下: 光纤9接收光信号给光纤触发电路板8转换成电信号,十芯导电杆6和四芯导电杆10将电信号导入箱体16内部的晶闸管11连接进行触发控制;晶闸管11的输出经过安装避雷器4保护的二芯导电杆5导出连接到磁控电抗器本体,实现油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱对磁控电抗器本体控制、调节及保护作用。 本技术取电来自磁控电抗器本体,再由油浸箱体16内部的励磁变压器转15换成控制系统回路所需电源。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,其特征在于,包括:光纤,用于接收光信号;控制箱,所述控制箱内设有光纤触发电路板,所述光纤触发电路板包括光信号输入端和电信号输出端;所述光信号输入端与所述光纤连接,电信号输出端通过二芯导电杆将电信号输出;油浸箱体,其内部设有晶闸管和励磁变压器,所述晶闸管的输入端与四芯导电杆连接,晶闸管的输出端与磁控电抗器本体连接;所述励磁变压器与磁控电抗器本体内的电源连接,励磁变压器获得的低压电源与所述光纤触发电路板连接。

【技术特征摘要】
1.一种油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,其特征在于,包括: 光纤,用于接收光信号; 控制箱,所述控制箱内设有光纤触发电路板,所述光纤触发电路板包括光信号输入端和电信号输出端;所述光信号输入端与所述光纤连接,电信号输出端通过二芯导电杆将电信号输出; 油浸箱体,其内部设有晶闸管和励磁变压器,所述晶闸管的输入端与四芯导电杆连接,晶闸管的输出端与磁控电抗器本体连接;所述励磁变压器与磁控电抗器本体内的电源连接,励磁变压器获得的低压电源与所述光纤触发电路板连接。2.根据权利要求1所述的油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,其特征在于:所述磁控电抗器本体依次由跌落式熔断器、二芯导电杆导入油浸箱体内部与励磁变压器连接。3.根据权利要求1或2所述的油浸式三相一体化磁控电抗器磁控箱,其特征在于:所述二芯导电杆包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄启哲韦建波杨明江陈博徐学勇刘路周柯唐立文张近胜覃江英韦景邓春明覃剑永柳强李春华刘辉
申请(专利权)人:广西电网有限责任公司河池供电局武汉海奥电气有限公司
类型:新型
国别省市:广西;45

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