IGBT双管并联功率模块制造技术

本发明专利技术公开了一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和所述IGBT相连的低压连接器，其特征在于，所述一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT触发装置，用于接收控制信号并将控制信号进行隔离变换，将高压端子盒输入的高压单相的交流电变换成直流电，通过复合母排输出。本发明专利技术将控制电源和IGBT侧的高压进行隔离，防止主回路的高压对其他电路的损害，触发功率大，提高了IGBT使用的安全性、灵活性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和所述IGBT相连的低压连接器，其特征在于，所述一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT触发装置，用于接收控制信号并将控制信号进行隔离变换，将高压端子盒输入的高压单相的交流电变换成直流电，通过复合母排输出。本专利技术将控制电源和IGBT侧的高压进行隔离，防止主回路的高压对其他电路的损害，触发功率大，提高了IGBT使用的安全性、灵活性和可靠性。【专利说明】IGBT双管并联功率模块
本专利技术涉及电力电子
，特别是涉及一种IGBT双管并联功率模块。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；M0SFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT具有开关速度快，导通压降低，驱动功率小，工作频率高，控制灵活等特点，因此，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。目前，高电压、大电流的IGBT已经模块化，它的驱动电路现已制造出集成化的IGBT专用驱动电路，其性能更好，可靠性更高，体积更小，会在今后大、中功率的应用中占据主导地位。但在高电压、大功率变流器的许多应用领域中，要求器件的电压等级达到1kV以上，电流达到几千A，就目前而言，单个IGBT模块的电压和电流容量仍然有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求。 随着机车交流技术的发展，采用高频大功率IGBT作为开关元件的变流器应用日益广泛。在6500V这个电压等级的IGBT及保护，国际国内虽然有成熟技术，但目前可靠性差。主要难点是要攻克高压大电流IGBT触发技术，因此，设计出一款保护功能齐全、可靠性高的IGBT触发装置迫在眉睫。 因此，针对上述技术问题，有必要提供一种新的IGBT双管并联功率模块。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种新的IGBT双管并联功率模块，将控制电源和IGBT侧的高压进行隔离，防止主回路的高压对其他电路的损害。 为了实现上述目的，本专利技术实施例提供的技术方案如下: 一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和所述IGBT相连的低压连接器，所述一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT触发装置，用于接收控制信号并将控制信号进行隔离变换，将高压端子盒输入的高压单相的交流电变换成直流电，通过复合母排输出，所述IGBT触发装置包括: 用于接收控制信号的第一连接器； 用于将控制信号进行隔离变换的隔离变压器； 用于传输控制信号的光耦； 用于输出控制信号的第二连接器。 作为本专利技术的进一步改进，所述模块还包括用于固定高压端子盒和IGBT的水冷基板。 作为本专利技术的进一步改进，所述IGBT与水冷基板相接触的一面上涂覆有导热硅脂层。 作为本专利技术的进一步改进，所述模块还设有一框架，所述水冷基板与框架固定安装。 作为本专利技术的进一步改进，所述低压连接器与框架固定安装。 作为本专利技术的进一步改进，所述框架上固定安装有若干门极驱动组件。 作为本专利技术的进一步改进，所述IGBT触发装置与门极驱动组件固定对应安装。 作为本专利技术的进一步改进，所述模块还包括若干与水冷基板固定安装的支撑端子。 本专利技术的有益效果是: IGBT触发装置高低压回路之间的隔离电压等级高，提高了 IGBT使用的安全性； IGBT触发装置触发功率高，满足了单管和双管并联的触发，提高IGBT使用的灵活性； IGBT触发装置有完善的保护控制，提高了 IGBT的使用寿命和可靠性。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术一实施方式中IGBT双管并联功率模块的装配结构图； 图2为本专利技术一实施方式中IGBT双管并联功率模块的另一视角装配结构图； 图3为本专利技术一实施方式中IGBT触发装置的结构示意图； 图4为本专利技术一实施方式中IGBT双管并联功率模块的主电路原理图。 其中:1、高压端子盒2、水冷基板3、特制螺栓4、支撑端子5、框架6、IGBT7、IGBT配置保护装置8、复合母排9、低压连接器10、IGBT触发装置11、门极驱动板组件101、第一连接器102、隔离变压器103、光耦104、第二连接器。 【具体实施方式】 本专利技术公开了一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和IGBT相连的低压连接器，一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT触发装置，用于接收控制信号并将控制信号进行隔离变换，将高压端子盒输入的高压单相的交流电变换成直流电，通过复合母排输出，IGBT触发装置包括: 用于接收控制信号的第一连接器； 用于将控制信号进行隔离变换的隔离变压器； 用于传输控制信号的光耦； 用于输出控制信号的第二连接器。 优选地，模块还包括用于固定高压端子盒和IGBT的水冷基板。 优选地，IGBT与水冷基板相接触的一面上涂覆有导热硅脂层。 优选地，模块还设有一框架，水冷基板与框架固定安装。 优选地，低压连接器与框架固定安装。 优选地，框架上固定安装有若干门极驱动组件。 优选地，IGBT触发装置与门极驱动组件固定对应安装。 优选地，模块还包括若干与水冷基板固定安装的支撑端子。 本专利技术将控制电源和IGBT侧的高压进行隔离，防止主回路的高压对其他电路的损害。 为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。 参图1、图2所示为本专利技术一【具体实施方式】中IGBT双管并联功率模块的结构示意图。本实施方式中的IGBT双管并联功率模块包括高压端子盒1、复合目排8、若干并联设置于高压端子盒I和复合目排8之间的IGBT6、以及和IGBT6相连的低压连接器9，一个或多个IGBT6与低压连接器9之间设有IGBT触发装置10，IGBT触发装置10的结构示意图参图3所示，用于接收控制信号并将控制信号进行隔离变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和所述IGBT相连的低压连接器，其特征在于，所述一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT触发装置，用于接收控制信号并将控制信号进行隔离变换，将高压端子盒输入的高压单相的交流电变换成直流电，通过复合母排输出，所述IGBT触发装置包括：用于接收控制信号的第一连接器；用于将控制信号进行隔离变换的隔离变压器；用于传输控制信号的光耦；用于输出控制信号的第二连接器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张晋芳，王博，陈嘉明，谢鹏，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61