一种直流逆变交流控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及电机节电控制技术领域，提供一种直流逆变交流控制装置，包括整流桥单元、IGBT、叠层母排、第一连接端子及第二连接端子，IGBT分别与叠层母排和第二连接端子连接，叠层母排包括底层绝缘层、叠层母排DRCL、叠层母排P+、中间绝缘层、叠层母排GND以及顶层绝缘层，叠层母排P+通过第一连接口与IGBT连接，叠层母排GND通过第二连接口与IGBT连接；叠层母排P+与叠层母排GND通过第三连接口和第四连接口相互连接，叠层母排DRCL与叠层母排GND之间、叠层母排P+与叠层母排GND之间通过第五连接口连接，该装置结构紧凑，大大提高了节电控制器的使用效率，避免IGBT烧毁的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种直流逆变交流控制装置
本技术属于电机节电控制
，尤其涉及一种直流逆变交流控制装置。
技术介绍
在电机节电控制器中，绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor, IGBT)与电容的连接均采用电缆直接连接，当额定功率不断提高时，电机节电控制器的故障率明显增多，其主要的故障现象是IGBT模块的烧毁。 当IGBT模块烧坏时，需要对其进行更换，甚至要更换新的电机节电控制器，对用户来说，操作不便，而且成本增加。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种直流逆变交流控制装置，旨在解决现有技术中IGBT模块经常烧坏，需要对其进行更换，甚至要更换新的电机节电控制器，增加成本的问题。 本技术是这样实现的，一种直流逆变交流控制装置，所述直流逆变交流控制装置设置在节电控制器的内部支撑板上，所述直流逆变交流控制装置包括整流桥单元、若干个IGBT、叠层母排、第一连接端子以及第二连接端子，其中: 所述整流桥单元设置在所述支撑板的上部，所述整流桥单元分别与所述叠层母排和第一连接端子连接，所述第一连接端子连接所述节电控制器的接触器； 所述IGBT固定设置在所述支撑板上，所述IGBT的输出端口与所述第二连接端子连接，所述第二连接端子设有三相输出端口 ； 所述叠层母排依次设有底层绝缘层、叠层母排DRCL、叠层母排P+、中间绝缘层、叠层母排GND以及顶层绝缘层，其中，所述底层绝缘层与所述支撑板接触； 所述叠层母排P+通过第一连接口与所述IGBT连接，所述叠层母排GND通过第二连接口与所述IGBT连接； 所述叠层母排P+设有与所述接触器连接的第一连接端，所述叠层母排GND设有与所述整流桥单元连接的第二连接端； [0011 ] 所述叠层母排P+与所述叠层母排GND通过第三连接口和第四连接口相互连接，所述叠层母排DRCL与所述叠层母排GND之间、所述叠层母排P+与所述叠层母排GND之间通过第五连接口连接。 作为一种改进的方案，所述第一连接端子设有整流桥连接端口以及叠层母排连接端口。 作为一种改进的方案，所述整流桥单元设有整流输入端、正极输出端以及负极输出端，其中: 所述正极输出端与所述第一连接端子的所述整流桥连接端口对应连接； 所述负极输出端与所述叠层母排GND连接。 作为一种改进的方案，所述底层绝缘层、中间绝缘层以及所述底层绝缘层上分别设有若干贯通孔。 作为一种改进的方案，所述底层绝缘层、叠层母排DRCL、叠层母排P+、中间绝缘层、叠层母排GND以及顶层绝缘层上分别设有固定螺丝孔。 由于直流逆变交流控制装置包括整流桥单元、若干个IGBT、叠层母排、第一连接端子以及第二连接端子，IGBT分别与叠层母排和第二连接端子连接，叠层母排包括底层绝缘层、叠层母排DRCL、叠层母排P+、中间绝缘层、叠层母排GND以及顶层绝缘层，叠层母排P+通过第一连接口与所述IGBT连接，所述叠层母排GND通过第二连接口与所述IGBT连接；叠层母排P+设有与所述接触器连接的第一连接端，叠层母排GND设有与所述整流桥单元连接的第二连接端；所述叠层母排P+与叠层母排GND通过第三连接口和第四连接口相互连接，所述叠层母排DRCL与叠层母排GND之间、叠层母排P+与叠层母排GND之间通过第五连接口连接，该装置结构紧凑，设计简洁，其具有较低的电感，可避免浪涌电压而引起的击穿，载流能力较高，大大提高了节电控制器的使用效率，避免IGBT烧毁的情况。 【附图说明】 图1是本技术提供的直流逆变交流控制装置的结构示意图； 图2是本技术提供的叠层母排的结构示意图； 图3是本技术提供的底层绝缘层的结构示意图； 图4是本技术提供的叠层母排DRCL的结构示意图； 图5是本技术提供的叠叠层母排P+的结构示意图； 图6是本技术提供的中间绝缘层的结构示意图； 图7是本技术提供的叠层母排GND的结构示意图； 图8是本技术提供的顶层绝缘层的结构示意图； 其中，1-节电控制器，2-支撑板，3-整流桥单元，4-1GBT, 5_叠层母排，6_第一连接端子，7-第二连接端子，8-1GBT输出端口，9-三相输出端口，10-底层绝缘层，11-叠层母排DRCL，12-叠层母排P+，13-中间绝缘层，14-叠层母排GND，15-顶层绝缘层，16-第一连接口，17-第二连接口，18-第一连接端，19-第二连接端，20-第三连接口，21-第四连接口，22-第五连接口，23-整流桥连接端口，24-叠层母排连接端口，25-整流输入端，26-正极输出端，27-负极输出端，28-贯通孔，29-固定螺丝孔。 【具体实施方式】 为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。 图1示出了本技术提供的直流逆变交流控制装置的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本技术相关的部分。 直流逆变交流控制装置设置在节电控制器1的内部支撑板2上，所述直流逆变交流控制装置包括整流桥单元3、若干个IGBT4、低电感的叠层母排5、第一连接端子6以及第二连接端子7，其中: 所述整流桥单元3设置在所述支撑板2的上部，所述整流桥单元3分别与所述叠层母排5和第一连接端子6连接，所述第一连接端子6连接所述节电控制器1的接触器(图中未示出)； 所述IGBT4固定设置在所述支撑板2上，所述IGBT输出端口 8与所述第二连接端子7连接，所述第二连接端子7设有三相输出端口 9 ； 如图2所示，同时结合图3至图8所示，所述叠层母排5依次设有底层绝缘层10、叠层母排DRCL11、叠层母排P+12、中间绝缘层13、叠层母排GND14以及顶层绝缘层15，其中，所述底层绝缘层10与所述支撑板2接触； 所述叠层母排P+12通过第一连接口 16与所述IGBT4连接，所述叠层母排GND14通过第二连接口 17与所述IGBT4连接； 所述叠层母排P+12设有与所述接触器连接的第一连接端18，所述叠层母排GND14设有与所述整流桥单元3连接的第二连接端19 ； 所述叠层母排P+12与所述叠层母排GND14通过第三连接口 20和第四连接口 21相互连接，所述叠层母排DRCL11与所述叠层母排GND14之间、所述叠层母排P+12与所述叠层母排GND14之间通过第五连接口 22连接。 在该实施例中，通过各层叠层母排5的设计，实现直流逆变交流的目的，而且其具有较低的电感。 在本技术中，第一连接端子6设有整流桥连接端口 23以及叠层母排连接端口24； 整流桥单元3设有整流输入端25、正极输出端26以及负极输出端27，其中: 所述正极输出端26与所述第一连接端子6的所述整流桥连接端口 23对应连接； 所述负极输出端27与所述叠层母排GND14连接。 在该实施例中，所述叠层母排GND14设有与所述整流桥单元3的负极输出端27连接的第二连接端19。 在本技术中，底层绝缘层10、中间绝缘层13以及所述底层绝缘层10上分别设有若干贯通孔28，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流逆变交流控制装置，其特征在于，所述直流逆变交流控制装置设置在节电控制器的内部支撑板上，所述直流逆变交流控制装置包括整流桥单元、若干个IGBT、叠层母排、第一连接端子以及第二连接端子，其中：所述整流桥单元设置在所述支撑板的上部，所述整流桥单元分别与所述叠层母排和第一连接端子连接，所述第一连接端子连接所述节电控制器的接触器；所述IGBT固定设置在所述支撑板上，所述IGBT的输出端口与所述第二连接端子连接，所述第二连接端子设有三相输出端口；所述叠层母排依次设有底层绝缘层、叠层母排DRCL、叠层母排P+、中间绝缘层、叠层母排GND以及顶层绝缘层，其中，所述底层绝缘层与所述支撑板接触；所述叠层母排P+通过第一连接口与所述IGBT连接，所述叠层母排GND通过第二连接口与所述IGBT连接；所述叠层母排P+设有与所述接触器连接的第一连接端，所述叠层母排GND设有与所述整流桥单元连接的第二连接端；所述叠层母排P+与所述叠层母排GND通过第三连接口和第四连接口相互连接，所述叠层母排DRCL与所述叠层母排GND之间、所述叠层母排P+与所述叠层母排GND之间通过第五连接口连接。

【技术特征摘要】
1.一种直流逆变交流控制装置，其特征在于，所述直流逆变交流控制装置设置在节电控制器的内部支撑板上，所述直流逆变交流控制装置包括整流桥单元、若干个IGBT、叠层母排、第一连接端子以及第二连接端子，其中: 所述整流桥单元设置在所述支撑板的上部，所述整流桥单元分别与所述叠层母排和第一连接端子连接，所述第一连接端子连接所述节电控制器的接触器； 所述IGBT固定设置在所述支撑板上，所述IGBT的输出端口与所述第二连接端子连接，所述第二连接端子设有三相输出端口； 所述叠层母排依次设有底层绝缘层、叠层母排DRCL、叠层母排P+、中间绝缘层、叠层母排GND以及顶层绝缘层，其中，所述底层绝缘层与所述支撑板接触； 所述叠层母排P+通过第一连接口与所述IGBT连接，所述叠层母排GND通过第二连接口与所述IGBT连接； 所述叠层母排P+设有与所述接触器连接的第一连接端，所述叠层母排GND设有与所述整流桥单元连接的第二连接端...

【专利技术属性】
技术研发人员：康抒智，陈世光，
申请(专利权)人：青岛海博瓦节能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37