一种升压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种升压电路，该电路包括：共地电源、方波信号发生器、MOS管、电容和二极管；方波信号发生器的输出端分别与两个MOS管的栅极相连；其中，PMOS管的源极与第一电源正极相连，PMOS管的漏极与NMOS管的漏极以及第一电容的一端相连；NMOS管的源极接地；第一电容的另一端与第一二极管的负极以及第二二极管的正极相连；第一二极管的正极与所述第二电源正极相连；第二二极管的负极与所述第二电容的一端相连；第二电容的另一端接地；第二二极管的负极与第二电容的一端作为升压电路的输出端。本实用新型专利技术使用分离元器件搭建升压电路，无需使用复杂的DC/DC集成电路，具有结构简单、低成本、方便调试以及易于实现的优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种升压电路，该电路包括：共地电源、方波信号发生器、MOS管、电容和二极管；方波信号发生器的输出端分别与两个MOS管的栅极相连；其中，PMOS管的源极与第一电源正极相连，PMOS管的漏极与NMOS管的漏极以及第一电容的一端相连；NMOS管的源极接地；第一电容的另一端与第一二极管的负极以及第二二极管的正极相连；第一二极管的正极与所述第二电源正极相连；第二二极管的负极与所述第二电容的一端相连；第二电容的另一端接地；第二二极管的负极与第二电容的一端作为升压电路的输出端。本技术使用分离元器件搭建升压电路，无需使用复杂的DC/DC集成电路，具有结构简单、低成本、方便调试以及易于实现的优点。【专利说明】一种升压电路
本技术涉及电源设计领域，尤其涉及一种升压电路。
技术介绍
随着电力电子技术的飞速发展，电路设计中的电路电压越来越低。很多集成芯片的电源电压都在2V以下，但是2V电源电压并不足以驱动一些常用元器件，例如LED，因此必须采用升压电路。 目前最常用的升压电路是Boost拓扑型DC/DC升压电路，其工作原理是:首先通过高频振荡产生低压脉冲，然后通过脉冲变压器将低压脉冲升压至预定电压值，最后通过脉冲整流获得高压直流电。 然而在实际使用中，出于对成本或系统复杂度等因素的考虑，Boost拓扑型DC/DC升压电路并不适用于驱动电路中的简单元器件，因此，在保证升压电路功效的基础上，进一步简化电路结构，降低生产成本，对于驱动电路中的简单元器件具有重要的意义。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术提供了一种市电电压保护电路，以解决上述问题或者至少部分地解决上述问题。 本技术提供了一种升压电路，包括:第一电源、第二电源、方波信号发生器、PMOS管、NMOS管、第一电容、第一二极管、第二二极管和第二电容； 所述第一电源和所述第二电源是共地电源； 所述方波信号发生器的输出端分别与所述PMOS管的栅极与所述NMOS管的栅极相连； 所述PMOS管的源极与所述第一电源正极相连，所述PMOS管的漏极与所述NMOS管的漏极以及所述第一电容的一端相连； 所述NMOS管的源极接地； 所述第一电容的另一端与所述第一二极管的负极以及所述第二二极管的正极相连； 所述第一二极管的正极与所述第二电源正极相连； 所述第二二极管的负极与所述第二电容的一端相连； 所述第二电容的另一端接地； 其中，所述第二二极管的负极与所述第二电容的一端作为升压电路的输出端。 可选地，所述第一电源和所述第二电源为不同的电源；或者，所述第一电源和所述第二电源为相同的电源。 可选地，所述第一二极管和所述第二二极管均为低压降二极管。 可选地，该升压电路进一步包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管和负载； 所述第一电阻的一端与所述第一电源正极或者所述第二电源正极相连，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端以及所述三极管的基极相连； 所述第二电阻的另一端接地； 所述第三电阻的一端与所述三极管的发射极相连，所述第三电阻的另一端接地； 所述三极管的集电极与负载的负极相连； 所述负载的正极与所述升压电路的输出端相连。 综上所述，与现有技术相比，本技术提供的技术方案仅使用分离元器件搭建升压电路，无需使用复杂的DC/DC集成电路，具有结构简单、低成本、方便调试以及易于实现的优点。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术一个实施例中的一种升压电路的电路结构示意图； 图2是本技术另一个实施例中的一种升压电路的电路结构示意图。 【具体实施方式】 为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。 图1是本技术一个实施例中的一种升压电路的电路结构示意图。如图1所示，该升压电路包括:第一电源VDD、第二电源VCC、方波信号发生器F、PMOS管Ql、NMOS管Q2、第一电容Cl、第一二极管D1、第二二极管D2和第二电容C2。 第一电源VDD和第二电源VCC是共地低电压电源,方波信号发生器F的输出端分别与PMOS管Ql的栅极与NMOS管Q2的栅极相连，该方波信号发生器F也可以用微控制单元MCU的GP1端输出代替；PM0S管Ql的源极与第一电源VDD正极相连，PMOS管Ql的漏极与NMOS管Q2的漏极以及第一电容Cl的一端相连；NM0S管Q2的源极接地；第一电容Cl的另一端与第一二极管Dl的负极以及第二二极管D2的正极相连，第一二极管Dl的正极与第二电源VCC正极相连；第二二极管D2的负极与第二电容D2的一端相连；第二电容C2的另一端接地；第二二极管D2的负极与第二电容C2的一端作为升压电路的输出端。 其中，PMOS管Ql和NMOS管Q2作为升压电路中的开关电路，第一电容Cl为储能电容，第一二极管Dl和第二二极管D2为低压降二极管，实现单向导通功能，第二电容C2是滤波电容。 如图1所示，该升压电路的工作原理是:方波信号发生器F分别向PMOS管Ql的栅极与NMOS管Q2的栅极输出方波信号，当方波信号发生器F的输出信号为高电平时,PMOS管Ql截止，NMOS管Q2导通,第一电容Cl的一端近似接地,第一电容Cl的另一端经过反向第一二极管Dl与第二电源VCC相连，第二电源VCC经过第一二极管Dl为第一电容Cl充电，此时，第一电容Cl两端的电压为: Vci = VCC-Vm, 相应地，输出电压V out为: V out = VCC-Vd1-Vd2O 当方波信号发生器F的输出信号为低电平时，PMOS管Ql导通，NMOS管Q2截止，第一电容Cl的一端与第一电源VDD相连，即从原来的低电平突变为高电平，又由于电容两端的电压不能突变，即Va = VCC-Vdi依然成立，此时，输出电压V out为: V out = VDD+VCC-Vm-VD2o 在方波信号发生器F的输出信号的周期性变化下，本实施例中的输出电压V out呈现周期性的高电平与低电平的转换。该输出电压V out经过由第二电容C2构成的滤波电路，低电平信号被滤掉，得到高电平信号输出，实现电路的升压效果。 由于第一二极管Dl和第二二极管D2是低压降二极管，因此电路输出电压近似等于第一电源VDD与第二电源VCC的电压之和,若第一电源VDD和第二电源VCC米用同一电压电源，则本电路实现了倍压功能。 由上述可知，本技术提供的技术方案利用简单的分离元器件搭建升压电路，具有结构简单、成本低廉、方便调试的优点，适用于驱动电路中的简单元器件。 图2是本技术另一个实施例中的一种升压电路的电路结构示意图。如图2所示，在本实施例中，利用升压电路驱动发光二极管LED。即在图1所示的升压电路基础上，进一步包括:负载电路。 由于升压电路的驱动电路部分与上述相同，在此不再赘述。负载电路进一步包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、三极管Q3和发光二极管LED。 在本实施例中，第一电阻Rl的一端与第二电源VCC正极相连，所述第一电阻Rl的另一端与第二电阻R2的一端以及三极管Q3的基极相连；第二电阻R2的另一端接地；第三电阻R3的一端与三极管Q3的发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升压电路，其特征在于，包括：第一电源、第二电源、方波信号发生器、PMOS管、NMOS管、第一电容、第一二极管、第二二极管和第二电容；所述第一电源和所述第二电源是共地电源；所述方波信号发生器的输出端分别与所述PMOS管的栅极与所述NMOS管的栅极相连；所述PMOS管的源极与所述第一电源正极相连，所述PMOS管的漏极与所述NMOS管的漏极以及所述第一电容的一端相连；所述NMOS管的源极接地；所述第一电容的另一端与所述第一二极管的负极以及所述第二二极管的正极相连；所述第一二极管的正极与所述第二电源正极相连；所述第二二极管的负极与所述第二电容的一端相连；所述第二电容的另一端接地；其中，所述第二二极管的负极与所述第二电容的一端作为升压电路的输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张召德，
申请(专利权)人：青岛歌尔声学科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37