泵浦辐射装置和用于泵浦激光活性介质的方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】泵浦辐射装置和用于泵浦激光活性介质的方法
本专利技术涉及一种泵浦辐射装置，其包括：用于产生泵浦辐射的泵浦辐射源以及用于泵浦辐射源的波长稳定化的装置，例如以光栅结构的形式。本专利技术也涉及一种用于泵浦激光活性介质的方法，其包括以下步骤：借助泵浦辐射源产生泵浦辐射、例如借助光栅结构稳定化泵浦辐射的波长以及借助泵浦辐射泵浦激光活性介质。
技术介绍
由WO2006/025849A2已知一种用于高的辐射功率的辐射源，所述辐射源包括作为泵浦辐射源的半导体二极管激光器和具有光栅结构的反射体。反射体与半导体二极管激光器光学连接并且如此与二极管激光器的输出射束对准，使得输出射束中的辐射的一部分由反射体反射回到二极管激光器中。借助在WO2006/025849A2中所描述的辐射源产生的(从反射体透射的)激光辐射可以充当作用于泵浦激光活性介质的泵浦辐射。所述激光活性介质通常具有非常窄的吸收线，即具有非常窄的波长范围，在所述波长范围中吸收泵浦辐射。对于激光活性介质的泵浦而言，泵浦辐射的一部分的与波长相关的至泵浦辐射源的反馈是有利的，因为在此发生所发射的波长的稳定化，从而泵浦辐射的从反射体透...
【技术保护点】
一种泵浦辐射装置(11)，其包括：用于产生泵浦辐射(3)的泵浦辐射源(1)，以及用于所述泵浦辐射源(1)的波长稳定化的装置(5，5a)，其特征在于：由所述泵浦辐射(3)双向穿过的激光活性介质(12，22)，用于将没有由所述激光活性介质(12，22)吸收的泵浦辐射(3c)反射回所述泵浦辐射源(1)的逆反射体(14，14a‑d)，和用于通过滤除没有由所述激光活性介质(12，22)吸收的泵浦辐射(3c)的不期望的频谱部分(10)来防止所述泵浦辐射源(1)的波长不稳定化的波长选择性元件(14a‑d，15，15a，15b)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.03 DE 102012207339.6;2012.03.30 US 61/617,1.一种泵浦辐射装置(11)，其包括：用于产生泵浦辐射(3)的泵浦辐射源(1)，以及用于所述泵浦辐射源(1)的波长稳定化的装置，其中：由所述泵浦辐射(3)双向穿过的激光活性介质(12，22)，用于将没有由所述激光活性介质(12，22)吸收的泵浦辐射(3c)反射回所述泵浦辐射源(1)的逆反射体(14)，和用于通过滤除没有由所述激光活性介质(12，22)吸收的泵浦辐射(3c)的不期望的频谱部分(10)来防止所述泵浦辐射源(1)的波长不稳定化的波长选择性元件；其中没有由所述激光活性介质吸收的泵浦辐射(3c)的不期望的频谱部分(10)包括与激光活性介质的吸收频谱相同的频谱并位于用于激励所述激光活性介质的目标波长段之外。2.根据权利要求1所述的泵浦辐射装置，其中，用于所述波长稳定化的装置构造为与波长相关的反射体，以便将所产生的泵浦辐射(3)的一部分(3a)反射回所述泵浦辐射源(1)并且将所述泵浦辐射(3)的所透射的一部分(3b)输送到所述激光活性介质(12，22)。3.根据权利要求1或2所述的泵浦辐射装置，其中，所述波长选择性元件是干涉滤波器。4.根据权利要求3所述的泵浦辐射装置，其中，所述干涉滤波器是相对于所述泵浦辐射(3)的射束方向(13)成一个角度α定向的标准具(15)。5.根据权利要求4所述的泵浦辐射装置，其中，所述标准具(15)构造为薄层标准具。6.根据权利要求1或2所述的泵浦辐射装置，其还包括：用于转向和/或吸收由所述波长选择性元件从所述泵浦辐射(3)的光学路径引开的不期望的频谱部分(10)的接收元件(17)。7.根据权利要求1或2所述的泵浦辐射装置，其中，所述激光活性介质是固体晶体，并且所述波长选择性元件在所述泵浦辐射(3)的光程中设置在用于波长稳定化的装置和所述固体晶体之间或者所述固体晶体和所述逆反射体(14)之间。8.根据权利要求1或2所述的泵浦辐射装置，其中，尤其构成用于所述泵浦辐射(3)的端镜的逆反射体构造为波长选择性元件。9...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·祖特尔，A·基利，J·克莱因鲍尔，Y·李，
申请(专利权)人：通快激光有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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