一种密叶泥炭藓人工种植方法技术

本发明专利技术公开了一种密叶泥炭藓人工种植方法，选择海拔在800米—2000米，阳光充足，给排水方便地方建设大棚；用密度70％的遮阴网盖在大棚外；将棚内地面拍紧拍平；隔出种植床；用塑料农膜铺平；用泥炭藓粉均匀地撒在农膜上，厚度为0.5-2cm；将密叶泥炭藓鲜品切成1-3cm的细段均匀地撒在泥炭藓粉上，用种量300-800g每平方；将种植好的密叶泥炭藓拍紧；用水喷湿,保持泥炭藓粉润湿状态；种植床上的密叶泥炭藓1年后生长达10cm，进入采收期。本发明专利技术能将野生泥炭藓资源驯化后育苗进行人种植推广，得到的密叶泥炭藓品种，生长速度快、植物体高大、品质粗壮，单产鲜品8000公斤，干品400公斤到500公斤。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，选择海拔在800米—2000米，阳光充足，给排水方便地方建设大棚；用密度70％的遮阴网盖在大棚外；将棚内地面拍紧拍平；隔出种植床；用塑料农膜铺平；用泥炭藓粉均匀地撒在农膜上，厚度为0.5-2cm；将密叶泥炭藓鲜品切成1-3cm的细段均匀地撒在泥炭藓粉上，用种量300-800g每平方；将种植好的密叶泥炭藓拍紧；用水喷湿,保持泥炭藓粉润湿状态；种植床上的密叶泥炭藓1年后生长达10cm，进入采收期。本专利技术能将野生泥炭藓资源驯化后育苗进行人种植推广，得到的密叶泥炭藓品种，生长速度快、植物体高大、品质粗壮，单产鲜品8000公斤，干品400公斤到500公斤。【专利说明】
本专利技术涉及，属于泥炭藓种植
。
技术介绍
泥炭藓，别名水苔，属于泥炭藓亚纲，泥炭藓目，中国专利200310104033公开了一种水苔种植方法。该方法是将泥炭藓枝条整株或切断后进行培养，是野生种苗变人工种植驯化的原生种苗，种植产量不高，按照传统种植方法，亩产在200公斤，品质也不如新西兰和智利的泥炭藓，达不到出口高价格要求。全世界泥炭藓品种300余种，我国有46种。如“中位泥炭藓”、“加萨泥炭藓”、“粗叶泥炭藓”、“拟尖叶泥炭藓”、“暖地泥炭藓及其亚种”、“密叶泥炭藓”、“泥炭藓及其亚种”等。各种泥炭藓的用途、外观、品相、生长特性等都有一定的差距，如果采用原有的泥炭藓种植方法，无法针对单一品种进行培养、改良，达到进一步人工种植提高泥炭藓产品质量和产量的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提供，能够适合密叶泥炭藓种植，改善密叶泥炭藓品种，提高其产量。 本专利技术的技术方案:包括下述步骤: (I)选择阳光照射充足，给排水条件方便的地方建设大棚；海拔在800米一2000米; (2)、大棚的农膜盖顶后用密度70%的遮阴网盖在大棚外； (3)、将棚内地面拍紧拍平； (4)、在地面上用木方隔成宽l-3m、长4_6m的种植床； (5)、在种植床的底部用塑料农膜铺平，农膜要超出种植床的四周； ￠)、用泥炭藓加工生产中余下的下脚料泥炭藓粉均匀地撒在农膜上，厚度为0.5_2cm ； (7)、将野生采集的密叶泥炭藓鲜品切成l-3cm的细段均匀地撒在泥炭藓粉上，一个平方米用种量300-800g ； (8)、将种植好的密叶泥炭藓拍紧； (9)、每天在种植好的种植床上用水喷湿，保持泥炭藓细粉润湿状态； (10)、种植好30天后种植床上的密叶泥炭藓开始腐烂，2个月后开始长出绿色的新细胞，3个月后出芽，I年后生长达10cm，一年后成熟进入采收期。 上述的密叶泥炭藓人工种植方法，包括下述步骤: (I)选择阳光照射充足，给排水条件方便的地方建设大棚，海拔在1000米一 1500米，大棚高2.5m,宽6m,长30m ； (2)、大棚的农膜盖顶后用密度70%的遮阴网盖在大棚外； (3)、将棚内地面拍紧拍平； (4)、在地面上用木方隔成宽2m、长5m的种植床； (5)、在种植床的底部用塑料农膜铺平，农膜要超出种植床的四周； ￠)、用泥炭藓加工生产中余下的下脚料泥炭藓粉均匀地撒在农膜上，厚度为Icm ； (7)、将野生采集的密叶泥炭藓鲜品切成2cm的细段均匀地撒在泥炭藓粉上，一个平方米用种量500g ； (8)、将种植好的密叶泥炭藓拍紧； (9)、每天在种植好的种植床上用水喷湿，保持泥炭藓粉润湿状态； (10)、种植好30天后种植床上的密叶泥炭藓开始腐烂，2个月后开始长出绿色的新细胞，3个月后出芽，I年后生长达10cm，一年后成熟进入采收期。 本专利技术的有益效果:本专利技术的 申请人:，一直致力于泥炭藓培育、种植的研究、生产工作，本专利公开的密叶泥炭藓人工种植方法，是经 申请人:长期实验、人工驯化野生泥炭藓后育苗培养的总结。密叶泥炭藓，植物体1cm左右，叶片密集丛生，呈灰绿色、黄绿色或稍紫红色，颈皮部分2到3层大形无色细胞，外皮细胞薄碧具单孔，中轴黄褐色，颈叶细小，呈三角状舌形，长0.5到0.55毫米，基部宽0.5毫米先端圆钝内卷，无色细胞菱形无螺纹，颈部上端密集丛生6枝左右，其中2枝强生。植株挺直粗短，叶片卵圆形，雌雄同株。孢子呈黄棕色。多生长于林下潮湿洼地或水沟边，生长区域以北半球及高寒山地为主。现有的野生密叶泥炭藓，由于长期采挖野生资源，导致了资源枯竭被破坏，密叶泥炭藓生长地的生态也严重被破坏，无法再生长。通过本专利技术的种植方法，能将野生泥炭藓资源驯化后育苗进行人种植推广，对泥炭藓产业的发展具有深远的意义。 本专利技术种植得到的密叶泥炭藓品种，生长速度快、植物体高大、品质粗壮，单产鲜品8000公斤，干品400公斤到500公斤，可以用于湿地公园建设中湿地造景产品。 【具体实施方式】 本专利技术的实施例1:密叶泥炭藓人工种植方法，包括下述步骤: (I)选择阳光照射充足，给排水条件方便的地方建设大棚；海拔在800米一2000米。 (2)、大棚的农膜盖顶后用密度70%的遮阴网盖在大棚外； (3)、将棚内地面拍紧拍平； (4)、在地面上用木方隔成宽l-3m、长4_6m的种植床； (5)、在种植床的底部用塑料农膜铺平，农膜要超出种植床的四周； ￠)、用泥炭藓加工生产中余下的下脚料泥炭藓粉均匀地撒在农膜上，厚度为0.5_2cm ； (7)、将野生采集的密叶泥炭藓鲜品切成l-3cm的细段均匀地撒在泥炭藓粉上，一个平方米用种量300-800g ； (8)、将种植好的密叶泥炭藓拍紧； (9)、每天在种植好的种植床上用水喷湿，保持泥炭藓细粉润湿状态；前2个月内，每天隔2小时喷一次，共需要喷水6次。后期可减少至每天3-4次。 (10)、种植好30天后种植床上的密叶泥炭藓开始腐烂，2个月后开始长出绿色的新细胞，3个月后出芽，I年后生长达10cm，一年后成熟进入采收期。 本专利技术的实施例2:密叶泥炭藓人工种植方法，包括下述步骤: (I)选择阳光照射充足，给排水条件方便的地方建设大棚，海拔在1000米一 1500米，大棚高2.5m,宽6m,长30m ； (2)、大棚的农膜盖顶后用密度70%的遮阴网盖在大棚外； (3)、将棚内地面拍紧拍平； (4)、在地面上用木方隔成宽2m、长5m的种植床； (5)、在种植床的底部用塑料农膜铺平，农膜要超出种植床的四周； ￠)、用泥炭藓加工生产中余下的下脚料泥炭藓粉均匀地撒在农膜上，厚度为Icm ； (7)、将野生采集的密叶泥炭藓鲜品切成2cm的细段均匀地撒在泥炭藓粉上，一个平方米用种量500g ； (8)、将种植好的密叶泥炭藓拍紧； (9)、每天在种植好的种植床上用水喷湿，保持泥炭藓粉润湿状态；前2个月内，每天隔2小时喷一次，共需要喷水6次。后期可减少喷水次数 (10)、种植好30天后种植床上的密叶泥炭藓开始腐烂，2个月后开始长出绿色的新细胞，3个月后出芽，I年后生长达10cm，一年后成熟进入采收期。 本专利技术的实施例3:密叶泥炭藓人工种植方法，包括下述步骤: (I)选择阳光照射充足，给排水条件方便的地方建设大棚，海拔在1200米，大棚高2.5m,宽 6m,长 30m ； (2)、大棚的农膜盖顶后用密度70%的遮阴网盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密叶泥炭藓人工种植方法，其特征在于：包括下述步骤：(1)选择阳光照射充足，给排水条件方便的地方建设大棚；海拔在800米—2000米；(2)、大棚的农膜盖顶后用密度70％的遮阴网盖在大棚外；(3)、将棚内地面拍紧拍平；(4)、在地面上用木方隔成宽1‑3m、长4‑6m的种植床；(5)、在种植床的底部用塑料农膜铺平，农膜要超出种植床的四周；(6)、用泥炭藓加工生产中余下的下脚料泥炭藓粉均匀地撒在农膜上，厚度为0.5‑2cm；(7)、将野生采集的密叶泥炭藓鲜品切成1‑3cm的细段均匀地撒在泥炭藓粉上，一个平方米用种量300‑800g；(8)、将种植好的密叶泥炭藓拍紧；(9)、每天在种植好的种植床上用水喷湿,保持泥炭藓粉润湿状态；(10)、种植好30天后种植床上的密叶泥炭藓开始腐烂，2个月后开始长出绿色的新细胞，3个月后出芽，1年后生长达10cm，一年后成熟进入采收期。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱国金，
申请(专利权)人：贵州高原农产资材开发有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52