一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法技术

技术编号:10949445 阅读:129 留言:0更新日期:2015-01-23 10:59
一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法,在转子位置区间[0°,θr/3]设置第一组转矩阈值,在转子位置区间[θr/3,θr/2]设置第二组转矩阈值,对相邻的A相和B相供电励磁,A相供电励磁比B相供电励磁超前θr/3,A相到B相的整个换相过程分为两个区间,在转子位置区间[0°,θ1]区间A相使用第二组转矩阈值,B相使用第一组转矩阈值,临界位置θ1是在换相过程中自动出现的,无需额外进行计算,总转矩控制在[Te+th2low,Te+th2up]之间;在转子位置区间[θ1,θr/3]区间A相继续使用第二组转矩阈值,B相继续使用第一组转矩阈值,总转矩被控制在[Te+th1low,Te+th1up]之间,抑制了三相开关磁阻电机转矩脉动。

【技术实现步骤摘要】
一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法
本专利技术涉及一种开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法,尤其适用于三相开关磁阻电机驱动系统。
技术介绍
开关磁阻电机以其结构简单坚固,制造成本低以及良好的调速性能而广受关注。然而其特殊的双凸极结构以及开关式的励磁方式,使之输出的电磁转矩存在较大脉动,严重制约了其领域的应用,为此研究者们提出了多种方法,在消除转矩脉动的同时还实现了铜损最小化,这些方法在一定速度范围段取得了良好的效果,然而当转速较高时,由于受有限的直流供电电压限制,系统控制跟踪期望电流、期望磁链、期望转矩的能力减弱,转矩脉动难以有效消除。此外,受绕组所能承受的最大电流及半导体器件伏安容量的限制,开关磁阻电机系统存在电流上限,电流的限制使得开关磁阻电机只能输出有限范围的平滑转矩。因此,对于所有输出平滑转矩的控制都存在一定的可操作范围。
技术实现思路
技术问题:本专利技术的目的是克服已有技术中存在的问题,提供一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法。技术方案:本专利技术的三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法,包括如下步骤:a.在转子位置区间[0°,θr/3]设置第一组转矩阈值(th1low,th1zero,th1up),在转子位置区间[θr/3,θr/2]设置第二组转矩阈值(th2low,th2zero,th2up),这6个转矩阈值满足条件:th1zero>th2up>0---(1)]]>th1low>th2zero>th2low---(2)]]>--(3)]]>其中,转子位置0°为最小相电感位置,转子位置θr为齿距角即一个转子周期,半个转子周期是θr/2;b.设置励磁状态SA为A相供电励磁状态,励磁状态SA=1表示A相励磁电压为正,励磁状态SA=0表示A相励磁电压为零,励磁状态SA=-1表示A相励磁电压为负;设置励磁状态SB为B相供电励磁状态,励磁状态SB=1表示B相励磁电压为正,励磁状态SB=0表示B相励磁电压为零,励磁状态SB=-1表示B相励磁电压为负,期望的总平滑转矩为Te;c.对相邻的A相和B相供电励磁,A相供电励磁比B相供电励磁超前θr/3,此时,A相关断,B相开通,通过将A相到B相分为两个区间的换相过程,实现三相开关磁阻电机转矩脉动的三电平抑制。所述A相到B相分为两个区间的换相过程:(1)在转子位置区间[0°,θ1],A相使用第二组转矩阈值(th2low,th2zero,th2up),B相使用第一组转矩阈值(th1low,th1zero,th1up),临界位置θ1是在换相过程中自动出现的,无需额外进行计算;(1.1)在转子位置0°位置进入B相导通周期,设定初始励磁状态SB=1,B相电流和转矩从0开始增大;励磁状态SA保持原有状态SA=1,A相电流与转矩增加。总转矩增加;(1.2)当总转矩增加到转矩值Te+th2up,励磁状态SA由1转换为-1,A相转矩减小;B相保持原有状态,B相转矩继续增加。由于此时B相电感变化率及相电流较小,B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率,总转矩变化趋势由A相决定,总转矩减小;(1.3)当总转矩首先减小到转矩值Te+th1low,不满足A、B两相状态转移条件,励磁状态SA和SB保持原有状态,总转矩继续减小;(1.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2zero,触发A相状态由励磁状态SA=-1转变为励磁状态SA=0,A相转矩减小,但减小速率比励磁状态SA=-1时要小;B相保持原有励磁状态,转矩继续增加。此时在励磁状态SA=0,励磁状态SB=1的情况下,A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率,总转矩减小;(1.5)当总转矩减小到转矩值Te+th2low,满足A相状态转移条件,A相状态由励磁状态SA=0转变为励磁状态SA=1,A相转矩增大;B相保持原有状态,转矩继续增加;总转矩增加;(1.6)当总转矩依次增加到转矩值Te+th2zero与Te+th1low,但均不满足A、B相的状态转移条件,总转矩继续增加;(1.7)当总转矩增加到转矩值Te+th2up,重复步骤(1.2)~(1.6),B相状态未被触发而改变,保持励磁状态SB=1;A相励磁状态在1、0和-1间切换,将总转矩控制在[Te+th2low,Te+th2up]之间,从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°,θ1]的脉动;(1.8)随着转子位置增大,B相电感变化率及电流增大到一定水平,在某一临界位置之后,当励磁状态SA=0,励磁状态SB=1时,A相转矩减小速率小于B相转矩增加速率,总转矩上升;(2)在转子位置区间[θ1,θr/3],A相继续使用第二组转矩阈值(th2low,th2zero,th2up),B相继续使用第一组转矩阈值(th1low,th1zero,th1up);(2.1)在转子位置θ1位置,总转矩达到转矩值Te+th2up,A相状态切换为励磁状态SA=-1;B相保持励磁状态SB=1,在该位置A相转矩在负供电电压激励下的下降速率大于B相转矩在正供电电压激励下的增加速率,因此总转矩下降。然而该状况在随后发生改变,随着转子位置增加,尽管A、B两相励磁状态均未变,但A相在励磁状态SA=-1状态下的转矩下降速率小于B相在励磁状态SB=1状态下的转矩增加速率,从而总转矩上升;(2.2)当总转矩上升到转矩值Te+th2up,励磁状态SA和励磁状态SB均未被触发改变状态,总转矩继续上升;(2.3)当总转矩达到转矩值Te+th1zero,满足B相状态转移条件,励磁状态SB转换为0,B相转矩减小;A相保持原有励磁状态SA=-1,总转矩减小;(2.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2up,励磁状态SA和励磁状态SB均未被触发改变状态,总转矩继续减小;(2.5)当总转矩减小到转矩值Te+th1low,满足B相状态转移条件,励磁状态SB转换为1,B相转矩增加;A相保持原有励磁状态SA=-1,总转矩上升;(2.6)重复步骤(2.2)~(2.5),励磁状态SA保持-1,A相转矩和电流持续变小;励磁状态SB在0和1之间切换,总转矩被控制在[Te+th1low,Te+th1zero]之间,从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ1,θr/3]的脉动;(2.7)当转子位于临界位置,B相转矩在励磁状态SB=0时转矩增加,且增加速率大于A相在励磁状态SA=-1时转矩下降速率,此时总转矩上升;(2.8)当总转矩上升至转矩值Te+th1up,B相状态被触发改变,励磁状态SB从0转为-1,B相转矩减小;A相转矩继续减小,总转矩减小;(2.9)当总转矩依次减小到转矩值Te+th1zero与转矩值Te+th2up,励磁状态SA和励磁状态SB均未被触发改变状态,总转矩继续减小;(2.10)当总转矩减小到转矩值Te+th1low,励磁状态SB被触发改变为1,B相转矩增加;A相保持原有状态,A相转矩继续减小,总转矩增加;(2.11)当总转矩增加到转矩值Te+th1zero,励磁状态SB被触发改变本文档来自技高网...
一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法

【技术保护点】
一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法,其特征在于:a.在转子位置区间[0°,θr/3]设置第一组转矩阈值(th1low,th1zero,th1up),在转子位置区间[θr/3,θr/2]设置第二组转矩阈值(th2low,th2zero,th2up),这6个转矩阈值满足条件:th1up>th1zero>th2up>0---(1)]]>0>th1low>th2zero>th2low---(2)]]>|th1zero|=|th2zero|---(3)]]>|th1up|=|th2low|---(4)]]>|th2up|=|th1low|---(5)]]>其中,转子位置0°为最小相电感位置,转子位置θr为齿距角即一个转子周期,半个转子周期是θr/2;b.设置励磁状态SA为A相供电励磁状态,励磁状态SA=1表示A相励磁电压为正,励磁状态SA=0表示A相励磁电压为零,励磁状态SA=‑1表示A相励磁电压为负;设置励磁状态SB为B相供电励磁状态,励磁状态SB=1表示B相励磁电压为正,励磁状态SB=0表示B相励磁电压为零,励磁状态SB=‑1表示B相励磁电压为负,期望的总平滑转矩为Te;c.对相邻的A相和B相供电励磁,A相供电励磁比B相供电励磁超前θr/3,此时,A相关断,B相开通,通过将A相到B相分为两个区间的换相过程,实现三相开关磁阻电机转矩脉动的三电平抑制。...

【技术特征摘要】
1.一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法,其特征在于:a.在转子位置区间[0°,θr/3]设置第一组转矩阈值th1low、th1zero、th1up,在转子位置区间[θr/3,θr/2]设置第二组转矩阈值th2low、th2zero、th2up,这6个转矩阈值满足条件:th1up>th1zero>th2up>0(1)0>th1low>th2zero>th2low(2)|th1zero|=|th2zero|(3)|th1up|=|th2low|(4)|th2up|=|th1low|(5)其中,转子位置0°为最小相电感位置,转子位置θr为齿距角即一个转子周期,半个转子周期是θr/2;b.设置励磁状态SA为A相供电励磁状态,励磁状态SA=1表示A相励磁电压为正,励磁状态SA=0表示A相励磁电压为零,励磁状态SA=-1表示A相励磁电压为负;设置励磁状态SB为B相供电励磁状态,励磁状态SB=1表示B相励磁电压为正,励磁状态SB=0表示B相励磁电压为零,励磁状态SB=-1表示B相励磁电压为负,期望的总平滑转矩为Te;c.对相邻的A相和B相供电励磁,A相供电励磁比B相供电励磁超前θr/3,此时,A相关断,B相开通,通过将A相到B相分为两个区间的换相过程,实现三相开关磁阻电机转矩脉动的三电平抑制;所述A相到B相分为两个区间的换相过程:(1)在转子位置区间[0°,θ1],A相使用第二组转矩阈值th2low、th2zero、th2up,B相使用第一组转矩阈值th1low、th1zero,th1up,临界位置θ1是在换相过程中自动出现的,无需额外进行计算;(1.1)在转子位置0°位置进入B相导通周期,设定初始励磁状态SB=1,B相电流和转矩从0开始增大;励磁状态SA保持原有状态SA=1,A相电流与转矩增加;总转矩增加;(1.2)当总转矩增加到转矩值Te+th2up,励磁状态SA由1转换为-1,A相转矩减小;B相保持原有状态,B相转矩继续增加;由于此时B相电感变化率及相电流较小,B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率,总转矩变化趋势由A相决定,总转矩减小;(1.3)当总转矩首先减小到转矩值Te+th1low,不满足A、B两相状态转移条件,励磁状态SA和SB保持原有状态,总转矩继续减小;(1.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2zero,触发A相状态由励磁状态SA=-1转变为励磁状态SA=0,A相转矩减小,但减小速率比励磁状态SA=-1时要小;B相保持原有励磁状态,转矩继续增加;此时在励磁状态SA=0,励磁状态SB=1的情况下,A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率,总转矩减小;(1.5)当总转矩减小到转矩值Te+th2low,满足A相状态转移条件,A相状态由励磁状态SA=0转变为励磁状态SA=1,A相转矩增大;B相保持原有状态,转矩继续增加;总转矩增加;(1.6)当总转矩依次增加到转矩值Te+th2zero与Te+th1low,但均不满足A、B相的状态转移条件,总转矩继续增加;(1.7)当总转矩增加到转矩值Te+th2up,重复步骤(1.2)~(1.6),B相状态未被触发而改变,保持励磁状态SB=1;A相励磁状态在1、0和-1间切换,将总转矩控制在[Te+th2low,Te+th2up]之间,从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°,θ1]的脉动;(1.8)随着转子位置增大,B相电感变化率及电流增大到一定水平,在某一临界位置之后,当励磁状态SA=0,励磁状态...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈昊石交通
申请(专利权)人:中国矿业大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1