一种MEMS悬臂梁式加速度计及其制造工艺制造技术

技术编号:10943485 阅读:123 留言:0更新日期:2015-01-22 20:07
一种MEMS悬臂梁式加速度计,包括:测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板;所述测量体包括框架、位于所述框架内的质量块,所述质量块与所述框架之间通过多根悬臂梁相连接;所述质量块与所述框架之间还设置有缓冲梁,所述缓冲梁的一端与所述质量块相连接,所述缓冲梁的另一端与所述框架相连接。缓冲梁可以有效地保护加速度计,防止其因外力过大而损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器领域,尤其涉及一种加速度计及其制造工艺。
技术介绍
现今,加速度计可适用于诸多应用,例如在测量地震的强度并收集数据、检测汽车碰撞时的撞击强度、以及在手机及游戏机中检测出倾斜的角度和方向。而在微电子机械系统(MEMS)技术不断进步的情况下,许多纳米级的小型加速度测量仪已经被商业化广泛采用。传统的电容式加速度计例如专利号ZL03112312.0、公告日为2007年5月30日的中国专利,电容式加速度计包括了悬臂梁及质量块。当有加速度时,加速度计的质量块会向加速度方向运动,使得质量块与电极间的间隙距离发生变化并导致电容的变化。这种加速度计通过微加工工艺制成,具有体积小、造价低等特点。然而,由于只在质量块的两边设置了两根弹性梁,导致在检测过程中非敏感方向的加速度会对敏感方向产生串扰,降低了检测的精度。而且各个悬臂梁也不会产生相同的变形及位移。使得这种加速度计的摆动模态振型不太对称。此外,在外部冲击力较大的时候会出现悬臂梁断裂、质量块与框架发生碰撞等情况。本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/45/201310305611.html" title="一种MEMS悬臂梁式加速度计及其制造工艺原文来自X技术">MEMS悬臂梁式加速度计及其制造工艺</a>

【技术保护点】
一种MEMS悬臂梁式加速度计,包括:测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板;所述测量体包括框架、位于所述框架内的质量块,所述质量块与所述框架之间通过多根悬臂梁相连接;其特征在于,所述质量块与所述框架之间还设置有缓冲梁,所述缓冲梁的一端与所述质量块相连接,所述缓冲梁的另一端与所述框架相连接。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS悬臂梁式加速度计,包括:测量体、与所述测量体相连
接的上盖板以及下盖板;所述测量体包括框架、位于所述框架内的质量
块,所述质量块与所述框架之间通过多根悬臂梁相连接;其特征在于,
所述质量块与所述框架之间还设置有缓冲梁,所述缓冲梁的一端与所述
质量块相连接,所述缓冲梁的另一端与所述框架相连接。
2.如权利要求1所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
缓冲梁设置在所述质量块的端角处,并沿所述质量块的中线对称设置。
3.如权利要求1所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
悬臂梁为L型折叠梁,包括质量块连接臂及框架连接臂,所述质量块连接
臂的中线与所述质量块的中线相对应。
4.如权利要求3所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
质量块连接臂的宽度大于所述框架连接臂的宽度。
5.如权利要求1所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
质量块、所述上盖板以及所述下盖板上设置有电极。
6.如权利要求1所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
测量体采用包括有上硅层及下硅层的绝缘体上外延硅结构,每层硅层之
间分别设置有氧化埋层。
7.如权利要求6所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
测量体采用双面绝缘体上外延硅结构,包括上硅层、中间硅层及下硅层;
每两层硅层之间分别设置有二氧化硅层。
8.如权利要求1所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
上盖板及所述下盖板与所述质量块之间设置有过载保护装置,所述过载
保护装置包括弹性部及凸点;所述凸点设置在所述弹性部上,所述弹性

\t部设置在所述质量块或所述盖板上,所述凸点限制所述质量块的运动幅
度。
9.如权利要求1所述的MEMS悬臂梁式加速度计,其特征在于,所述
弹性部设置在所述质量块上,所述凸点设置在所述盖板上与所述弹性部
相对应的位置,所述凸点与所述弹性部相接触,并限制所述质量块的运
动幅度;或所述弹性部设置在所述盖板上,所述凸点设置在所述质量块
上与所述弹性部相对应的位置上,所述凸点与所述弹性部相接触,并限
制所述质量块的运动幅度。
10.一种MEMS悬臂梁式加速度计的制造工艺,其特征在于,所述制
造工艺包括以下步骤:
第一步,在所述绝缘体上外延硅硅片的正面及背面生长或淀积出二
氧化硅层;
第二步,在所述绝缘体上外延硅硅片的正面及背面淀积一层氮化硅
层;
第三步,通过光刻及刻蚀,将所述绝缘体上外延硅硅片背面的部分
氮化硅层及二氧化硅层去除,并露出下硅层;
第四步,将下硅层暴露在外的部分刻蚀至氧化埋层;
第五步,将暴露在外的氧化埋层去除;
第六步,将绝缘体上外延硅硅片背面的氮化硅层及二氧化硅层去除;
第七步,将两块绝缘体上外延硅硅片进行背对背硅-硅键合;形成质...

【专利技术属性】
技术研发人员:于连忠孙晨
申请(专利权)人:中国科学院地质与地球物理研究所
类型:发明
国别省市:北京;11

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