一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头制造技术

技术编号:14370939 阅读:257 留言:0更新日期:2017-01-09 16:13
本实用新型专利技术是一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头,属于微悬臂梁传感器领域。所述的传感探头包括硅基底、固支端、悬臂梁、铬金属膜和超磁致伸缩薄膜。固支端位于硅基底的两侧,悬臂梁通过固支端与硅基底连接,每侧三个悬臂梁,铬金属膜镀在硅基底和悬臂梁的上表面,硅基底和悬臂梁之间形成电容结构,同一侧的电容结构并联。超磁致伸缩薄膜镀在悬臂梁上的铬金属膜上面,一侧悬臂梁上的铬金属膜上面镀正超磁致伸缩薄膜,另一侧镀负超磁致伸缩薄膜,正、负两种超磁致伸缩薄膜的磁致伸缩系数相同或相近。在待测磁场中,超磁致伸缩薄膜的伸缩导致光纤悬臂梁的挠曲,两侧并联电容的大小发生相反的变化,通过对差动电容的检测分析得出外界磁场的大小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁场传感探头,尤其涉及一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头
技术介绍
磁场传感器是可以将磁场强度转变成电信号输出的器件。传统的磁场传感器主要有测量线圈磁场计、光泵磁力计、核旋进磁力仪、超导干涉量子磁力计、磁阻磁力计、霍尔传感器、光缆磁力计、磁光传感器等。目前,磁场传感器的发展趋势为灵敏度高、温度稳定性好、抗干扰性强、小型化、集成化、智能化和低功耗,传统的磁场传感器难以完全实现这些优良性能。随着微电子机械系统(micro-electro-mechanicalsystem,MEMS)的发展,磁场传感器向小型化和微型化发展,不仅可以降低制作成本,还可以实现对狭窄空间的待测信号的检测。和传统器件相比,MEMS磁场传感器具有体积小、重量轻、功耗低、成本低和可靠性高等传统传感器无法比拟的优点,符合磁场传感器的发展趋势。本专利技术的磁场传感探头的结构为在硅基底上加工悬臂梁,悬臂梁上表面镀有超磁致伸缩薄膜(GMF:GiantMagnetostrictiveThinFilm),并且形成叉指结构,在硅基底上镀有铬金属膜,悬臂梁上镀有铬金属膜和超磁致伸缩薄膜,硅基底和悬本文档来自技高网...
一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头

【技术保护点】
一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头,包括:硅基底、固支端、悬臂梁、铬金属膜、超磁致伸缩薄膜,硅基底上表面镀铬金属膜,固支端位于硅基底的两侧,悬臂梁通过固支端与硅基底连接,每侧三个悬臂梁,两侧的悬臂梁形成叉指结构,悬臂梁上表面镀铬金属膜和超磁致伸缩薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头,包括:硅基底、固支端、悬臂梁、铬金属膜、超磁致伸缩薄膜,硅基底上表面镀铬金属膜,固支端位于硅基底的两侧,悬臂梁通过固支端与硅基底连接,每侧三个悬臂梁,两侧的悬臂梁形成叉指结构,悬臂梁上表面镀铬金属膜和超磁致伸缩薄膜。2.根据权利要求1所述的一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头...

【专利技术属性】
技术研发人员:严红梅刘月明顾天文张亮
申请(专利权)人:中国计量大学
类型:新型
国别省市:浙江;33

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