【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁场传感探头,尤其涉及一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头。
技术介绍
磁场传感器是可以将磁场强度转变成电信号输出的器件。传统的磁场传感器主要有测量线圈磁场计、光泵磁力计、核旋进磁力仪、超导干涉量子磁力计、磁阻磁力计、霍尔传感器、光缆磁力计、磁光传感器等。目前,磁场传感器的发展趋势为灵敏度高、温度稳定性好、抗干扰性强、小型化、集成化、智能化和低功耗,传统的磁场传感器难以完全实现这些优良性能。随着微电子机械系统(micro-electro-mechanicalsystem,MEMS)的发展,磁场传感器向小型化和微型化发展,不仅可以降低制作成本,还可以实现对狭窄空间的待测信号的检测。和传统器件相比,MEMS磁场传感器具有体积小、重量轻、功耗低、成本低和可靠性高等传统传感器无法比拟的优点,符合磁场传感器的发展趋势。本专利技术的磁场传感探头的结构为在硅基底上加工悬臂梁,悬臂梁上表面镀有超磁致伸缩薄膜(GMF:GiantMagnetostrictiveThinFilm),并且形成叉指结构,在硅基底上镀有铬金属膜,悬臂梁上镀有铬金属膜和超磁致 ...
【技术保护点】
一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头,包括:硅基底、固支端、悬臂梁、铬金属膜、超磁致伸缩薄膜,硅基底上表面镀铬金属膜,固支端位于硅基底的两侧,悬臂梁通过固支端与硅基底连接,每侧三个悬臂梁,两侧的悬臂梁形成叉指结构,悬臂梁上表面镀铬金属膜和超磁致伸缩薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头,包括:硅基底、固支端、悬臂梁、铬金属膜、超磁致伸缩薄膜,硅基底上表面镀铬金属膜,固支端位于硅基底的两侧,悬臂梁通过固支端与硅基底连接,每侧三个悬臂梁,两侧的悬臂梁形成叉指结构,悬臂梁上表面镀铬金属膜和超磁致伸缩薄膜。2.根据权利要求1所述的一种基于超磁致伸缩薄膜的悬臂梁叉指电容磁场传感探头...
【专利技术属性】
技术研发人员:严红梅,刘月明,顾天文,张亮,
申请(专利权)人:中国计量大学,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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