【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰复位电路
本技术涉及集成电路领域，具体涉及一种复位电路。
技术介绍
在现有的集成电路设计技术中，根据芯片的不同应用环境，会提出不同的抗干扰问题，如带大驱动的电路，驱动会对电源产生影响。复位电路是保证芯片能够正常初始化的电路，一般典型电路如图1所示，反相器由电源供电。根据电容C的电压不突变原理，通过PMOS晶体管对电容C充电,可以实现复位功能。但是,如果电源电压不稳，第一反相器、第二反相器、第三反相器的供电电压波动较大，或波动时间较长，由于PMOS晶体管是导通的，并且为了保证复位时间足够长，PMOS管一般设计成弱管，这样，反相器电路的输入变化较慢，与反相器的电源不同步，这样会使内部电路产生复位，造成芯片的功能混乱，为了提高电路对电源的抗干扰能力，急需一种抗干扰复位电路。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是提供一种抗干扰复位电路，解决现有技术中因PMOS管导通，在电源波动情况下，导致内部电路误复位造成芯片功能紊乱的问题。 为达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案是:一种抗干扰复位电路，包括源极与电源连接、漏极与一端接地...
【技术保护点】
一种抗干扰复位电路，包括源极与电源（1）连接、漏极与一端接地的电容器（3）连接、栅极接地的PMOS管（2）和反相器电路，所述PMOS管（2）和电容器（3）的连接点与所述反相器电路的输入端连接，所述反相器电路的输出端连接外电路，所述反相器电路包括依次串联连接的第一反相器（4）、第二反相器（5）和第三反相器（6），其特征在于：所述第一反相器（4）和第二反相器（5）的电源输入端连接于所述PMOS管（2）的漏极。
【技术特征摘要】
1.一种抗干扰复位电路，包括源极与电源(I)连接、漏极与一端接地的电容器(3)连接、栅极接地的PMOS管(2)和反相器电路，所述PMOS管(2)和电容器(3)的连接点与所述反相器电路的输入端连接，所述反相器...
【专利技术属性】
技术研发人员：李富华，赵鹤鸣，胡成煜，顾益俊，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。