触控屏及其制造方法技术

技术编号:10930447 阅读:60 留言:0更新日期:2015-01-21 11:44
一种触控屏,其包括基板、形成于基板表面上的氧化铟锡膜,及连接导线。氧化铟锡膜形成有呈矩阵排列的多个第一电极及多个第二电极。多个第一电极与多个第二电极间隔设置,沿第一方向排列的同一列第一电极之间相互电性连接,沿与该第一方向交叉的第二方向排列的同一列第二电极相互间隔,并通过连接导线电性连接。连接导线由金属制成,且其表面经氧化或硫化处理。本发明专利技术还提供一种触控屏的制造方法。本发明专利技术的触控屏的连接导线表面经氧化或硫化处理,从而使其表面生成一层氧化物或硫化物,由于氧化物或硫化物的可见光波段的反射率较低,因此,可降低连接导线的表面反射度,以降低连接导线在强光下的可视性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种触控屏,其包括基板、形成于基板表面上的氧化铟锡膜,及连接导线。氧化铟锡膜形成有呈矩阵排列的多个第一电极及多个第二电极。多个第一电极与多个第二电极间隔设置,沿第一方向排列的同一列第一电极之间相互电性连接,沿与该第一方向交叉的第二方向排列的同一列第二电极相互间隔,并通过连接导线电性连接。连接导线由金属制成,且其表面经氧化或硫化处理。本专利技术还提供一种触控屏的制造方法。本专利技术的触控屏的连接导线表面经氧化或硫化处理,从而使其表面生成一层氧化物或硫化物,由于氧化物或硫化物的可见光波段的反射率较低,因此,可降低连接导线的表面反射度,以降低连接导线在强光下的可视性。【专利说明】
本专利技术涉及一种触控屏,特别涉及一种具有单层氧化铟锡膜的触控屏及其制造方 法。
技术介绍
触控屏的应用非常广泛,而具有单层氧化铟锡(Single Indium Tin Oxide,SIT0) 结构的触控屏因其厚度薄、制造成本较低,具有更广阔的应用前景。SITO触控屏通常包括基 板、形成于基板上的氧化铟锡膜,所述氧化铟锡膜经由蚀刻等方法形成大致呈矩阵排列的 多个第一电极和多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控屏,其包括基板、形成于该基板表面上的氧化铟锡膜,及由金属制成的连接导线,该氧化铟锡膜形成有呈矩阵排列的多个第一电极及多个第二电极,该多个第一电极与该多个第二电极间隔设置,沿第一方向排列的同一列第一电极之间相互电性连接,沿与该第一方向交叉的第二方向排列的同一列第二电极相互间隔,并通过该连接导线电性连接,其特征在于:该连接导线的表面经氧化或硫化处理,以在该连接导线的表面生成氧化物或硫化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴景扬宋斯伟罗文凯赵天行
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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