用于电子器件中的含有方形酸或克酮酸部分的有机化合物制造技术

本发明专利技术涉及包括作为锚定基团的方形酸或克酮酸基团的化合物、所述化合物的合成方法、所述化合物的应用、以及用于电子器件中的组件，所述组件包括至少一种这样的化合物经由方形酸或克酮酸基团附着至其的表面。本发明专利技术还涉及包含这样的组件的电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子器件中的含有方形酸或克酮酸部分的有机化合物本专利技术涉及包括作为锚定基团(结合基团，anchoringgroup)的方形酸(二羟基环丁烯二酮，squaricacid)或克酮酸(邻二羟环戊烯三酮，croconicacid)的化合物，所述化合物的合成的方法，所述化合物的应用，以及用于电子器件中的组件(assemblies)，所述组件包括至少一个这样的化合物经由方形酸或克酮酸基团附着至其的表面。本专利技术还涉及包括这样的组件的电子器件。异质材料(dissimilarmaterial)，即，无机的/无机的、有机的/有机的、或无机的/有机材料之间的界面上的电荷(孔或电子)运输涉及到多种电子器件，包括发光器件(LED等)、晶体管器件(FET、TFT等)、和光伏器件(太阳能电池、光探测器等)。因此，例如，由于电极材料的逸出功(功函数，workfunction)的不同的能级排列和有机材料的最高占据分子轨道(HOMO)和/或最低未占分子轨道(LUMO)，肖特基势垒(Schottkybarrier)存在于电极/有机界面。因此，肖特基势垒代表两相之间的电荷注入的势垒，和它的量级是决定实际上所有的有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物，包括作为锚定基团的方形酸或克酮酸基团，所述化合物具有通式1其中n是1或2，和D选自烷基、芳基、芳烷基、杂烷基、杂芳基或杂芳烷基取代基，每个取代基是取代的或未取代的，其中，所述化合物优先选自式2至12中的一种：其中a＝0‑2，A1和A2各自独立地选自H，或任何环状或非环状取代的、或未取代的烷基、或杂烷基，或通式‑[(CXY)n1‑(B1)n3‑(CXY)n2‑W]p‑R的任何直链或支链部分，其中，在每种情况下并且独立地，p＝0‑18，优选0‑3，n1和n2独立地＝0‑18，优选0‑4，n3＝0‑1，其中W选自‑O、‑S、‑N(R)、‑C(R)＝N、‑C(O)N(R)‑、‑Si(R)2...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.07 EP 12167017.81.一种化合物，包括作为锚定基团的方形酸基团，所述化合物具有通式2其中n是1，以及其中A1选自2.根据权利要求1所述的化合物用于改变或影响传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的下述中的应用：-逸出功；-表面能；-隧道势垒；和/或-光吸收能力。3.根据权利要求2所述的应用，其中所述应用包括将所述至少一种化合物吸附到所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上。4.根据权利要求3所述的应用，其中通过将所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底暴露于包括至少一种根据权利要求1所述的化合物的溶液，发生所述吸附。5.根据权利要求3所述的应用，其中通过将包括至少一种根据权利要求1所述的化合物的溶液蒸发或旋涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，发生所述吸附。6.根据权利要求3所述的应用，其中通过将至少一种根据权利要求1所述的化合物热蒸发或升华在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，发生所述吸附。7.根据权利要求3所述的应用，其中通过将包括至少一种根据权利要求1所述的化合物的溶液或基质刮涂或滴涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，或通过将至少一种根据权利要求1所述的化合物刮涂或滴涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，发生所述吸附。8.根据权利要求2至7中任一项所述的应用，用于改变或影响传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的所述逸出功和所述光吸收能力。9.根据权利要求8所述的应用，用于朝向真空能级转移所述逸出功，并且改进所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的所述光吸收能力。10.根据权利要求2至7中任一项所述的应用，其中使用两种或三种根据权利要求1所述的化合物。11.一种电子器件，包括至少一种根据权利要求1所述的化合物。12.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述器件选自发光器件、肖特基势垒二极管、整流器、场效应晶体管、光伏器件、光化学器件、存储器件、传感器、显示器、或光催化的...

【专利技术属性】
技术研发人员：格尔达·富尔曼，拉尔斯·彼得·舍勒，大卫·丹纳，马库斯·奥伯迈尔，阿梅内·巴梅迪，加布里埃莱·内尔斯，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP