太阳电池组件(10)包括：具有形成在光电转换部(20)上的第一电极(30)和第二电极(40)的多个太阳电池(11)；和利用粘接剂(16)来安装在第一电极(30)和第二电极(40)上，将太阳电池(11)彼此连接的配线件(15)。粘接剂(16)设置成从配线件(15)的正下方区域(R)露出，附着在配线件(15)的侧面(15s)上。太阳电池组件(10)在正下方区域(R)具有空隙(17)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】太阳电池组件（10)包括：具有形成在光电转换部（20)上的第一电极（30)和第二电极（40)的多个太阳电池（11);和利用粘接剂（16)来安装在第一电极（30)和第二电极（40)上，将太阳电池(11)彼此连接的配线件（15)。粘接剂（16)设置成从配线件（15)的正下方区域（R)露出，附着在配线件（15)的侧面（15s)上。太阳电池组件（10)在正下方区域（R)具有空隙（17)。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
太阳电池组件包括：多个太阳电池；将太阳电池彼此电连接的配线件；和将它们 封固的填充件。配线件能够利用粘接剂安装在太阳电池的电极上（例如，参照专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2〇08-205137号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题 然而，在太阳电池组件中，存在因制造时或使用时的温度变化而导致上述粘接剂 等发生膨胀、收缩的情况。而且，这种膨胀、收缩引起粘接界面发生剥离，导致配线件与电极 的导通不良。 用于解决问题的技术方案 本专利技术的太阳电池组件包括：具有光电转换部和形成在光电转换部上的电极的多 个太阳电池；和用粘接剂来安装在电极上，将太阳电池彼此连接的配线件，粘接剂设置成从 配线件的正下方区域露出，附着在配线件的侧面上，在该正下方区域具有空隙。 专利技术效果 根据本专利技术，能够提供一种能维持配线件与电极的良好的连接性的太阳电池组 件。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本专利技术的实施方式的一例的太阳电池组件的截面图。 图2是从受光面侧观察图1所示的太阳电池组件中应用的太阳电池的平面图。 图3是表示图2的A-A线截面的一部分的图。 图4是图2的B部放大图。 图5是表示图4的C-C线截面的一部分（受光面侧）的图。 图6是表示图4的C-C线截面的一部分（背面侧）的图。 图7是表示本专利技术的实施方式的一例的太阳电池组件的变形例的图。 图8是用于说明本专利技术的实施方式的一例的太阳电池组件的制造方法的图。 图9是用于说明本专利技术的实施方式的一例的太阳电池组件的制造方法的图。 图10是表示本专利技术的实施方式的一例的太阳电池组件中光电转换部的变形例的 截面图。 图11是表示本专利技术的实施方式的一例的太阳电池组件中光电转换部的变形例的 截面图。 【具体实施方式】 参照附图，下面对本专利技术的实施方式的一例的太阳电池组件10进行详细说明。其 中，实施方式中参照的附图是示意性地记载，附图所描绘的构成源极的尺寸比率等有时与 实物不同。具体的尺寸比率等应参考下面的说明来判断。 在本说明书中，"在第一目标物（例如衬底）上的全域，形成有第二目标物（例如 非晶态半导体层）"这样的记载，只要没有加以特别的限定，不仅仅指第一与第二目标物直 接接触地形成的情况。即，这种记载还包括在第一与第二目标物之间存在其他目标物的情 况。另外，"形成在全域"包含实质上视作全域的情况（例如，第一物体上的95%被覆盖的 状态）。 首先，参照图1?图3,对太阳电池组件10的结构进行说明。图1是表示太阳电 池10的一部分的截面图。图2是从受光面侧观察太阳电池10中应用的太阳电池11的平 面图。图3是表示图2的A-A线截面的一部分的图。 太阳电池组件10包括：多个太阳电池11 ;配置在太阳电池11的受光面侧的第一 保护部件12 ;和配置在太阳电池11的背面侧的第二保护部件13。多个太阳电池11由第一 保护部件12和第二保持部件13夹持，并且由填充件14封固。 太阳电池组件10还包括将太阳电池11彼此电连接的配线件15。另外，太阳电池 组件10通常包括将配线件15彼此连接的搭接配线件、框架、端子箱（均未图示）等。 太阳电池11包括：通过接收太阳光来生成载流子的光电转换部20 ;形成在光电转 换部20的受光面上的作为受光面电极的第一电极30 ;和形成在光电转换部20的背面上的 作为背面电极的第二电极40。太阳电池11中，光电转换部20中生成的载流子由第一电极 3〇和第二电极40收集。此处，"受光面"是指太阳光从太阳电池11的外部主要入射的面， "背面"是指与受光面相反侧的面。例如，入射到太阳电池11的太阳光中50%?100%的光 从受光面侧入射。 光电转换部20具有：由晶体硅（C-Si)、砷化镓（GaAs)、磷化铟（InP)等半导体材 料构成的衬底21 ;形成在衬底21的受光面上的非晶态半导体层22 ;和形成在衬底21的背 面上的非晶态半导体层23。作为衬底21，特别优选η型单晶硅衬底。衬底21的受光面和 背面优选具有凹凸高度为Ιμπι?15μιη左右的织构结构（未图示）。 非晶态半导体层22例如为依次形成有i型非晶硅层和ρ型非晶硅层的层结构。非 晶态半导体层23例如为依次形成有i型非晶硅层和η型非晶硅层的层结构。另外，光电转 换部20也可以是如下结构：在衬底21的受光面上依次形成i型非晶硅层和η型非晶硅层， 在衬底21的背面上依次形成i型非晶硅层和ρ型非晶硅层。 第一电极30和第二电极40分别包括透明导电层31、41。透明导电层31、41例如 由在氧化铟（Ιη 203)、氧化锌（ZnO)等金属氧化物中掺杂锡（Sn)、锑（Sb)等的透明导电性氧 化物而构成。透明导电层31、41优选分别在非晶态半导体层22、23上以覆盖除了其端缘部 的全域的方式形成。 第一电极30还包括形成在透明导电层31上的多个（例如50条）副栅线电极32 和多个（例如两条）主栅线电极33作为经由透明导电层31收集载流子的集电极。副栅线 电极32是形成在透明导电层31上的广范围上的细线状的电极。主栅线电极33是从副栅 线电极32收集载流子的电极。在第一电极30中，隔开规定间隔相互平行地配置有各主栅 线电极33,与其正交地配置有多个副栅线电极32。多个副栅线电极32配置成一部分从各 主栅线电极33延伸到受光面的端缘侧，剩余部分连接各主栅线电极 33。 第二电极40也与第一电极3〇同样地，包括形成在透明导电层41上的多个（例如 25〇条）的副栅线电极42和多个（例如两条）主栅线电极43。各电极的配置与第一电极 30的情况同样。 副栅线电极32、42和主栅线电极33、43(以下有时将它们合称作"集电极"）例如 具有在粘合树脂中分散有导电性填料的结构。导电性填料例如可以使用银（Ag)、铜（Cu)、 镍（Ni)等的金属颗粒、碳、或它们的混合物等。其中，优选Ag颗粒。集电极例如通过使用 了导电性浆料的丝网印刷法来形成。集电极也能够利用电镀法形成。 副栅线电极32的宽度从降低遮光损耗等观点出发，优选30 μ m?150 μ m左右，进 一步优选40μπι?ΙΟΟμπι左右。主栅线电极33的宽度优选为50μηι?300μιη左右，进一 步优选为80 μ m?15〇 μ m左右。副栅线电极犯和主栅线电极33的高度（绒面结构的凸 部至各电极的最上表面的长度）从降低遮光损耗等观点出发，优选40 μ m?150 μ m，且彼此 为相同程度。对于第二电极40的副栅线电极42而言，优选使其宽度比副栅线电极32本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳电池组件，其特征在于，包括：具有光电转换部和形成在所述光电转换部上的电极的多个太阳电池；和用粘接剂来安装在所述电极上，将所述太阳电池彼此连接的配线件，所述粘接剂设置成从所述配线件的正下方区域露出，附着在所述配线件的侧面上，在所述正下方区域具有空隙。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：川上司，岩田大裕，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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